DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。     

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。     

馆藏新购标准介绍

标准号：SJ 20528/1-95 标准名称：MYLJ1、MYLJ2、MYIJ3型防雷压敏电阻器详细规范 本规范所规定的MYLJ1、MYLJ2、MYLJ3型防雷压敏电阻器其全部要求由本规范和总规范SJ20528—95防雷型压敏电阻器总规范作出规定。     

Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。     

环形压敏电阻器及其研发现状

介绍了环形压敏电阻器的形体结构,电极形状,导电模式及其消噪原理;分析了环形压敏电阻器的应用及研发现状;比较了各种环形压敏电阻器的优劣。正处于研究阶段的TiO2系环形压敏电阻器有望弥补SrTiO3系环形压敏电阻器和ZnO系压敏电阻器存在的不足之处。     

氧化锌压敏电阻器的研究和发展进程

来文对氧化锌压敏电阻器的特性、发展历程、技术现状以及今后的课题进行了评述。氧化锌压敏电阻器的特点是具有优异的非欧姆特性和耐浪涌能力。这些特点是起因于晶界现象这样一种电子陶瓷所固有的性质。人们极其重视基础理论研究和应用技术。因此,非欧姆性导电机制、陶瓷的微观结构及形成机理的研究进展很快。氧化锌压敏电阻器在电子线路和电力系统的浪涌抑制技术方面起着重要的作用。氧化锌压敏电阻器的发展表明了寻找利用电子陶瓷的晶界现象的新元件的可能性。     

恒瓦数监控器

恒流和恒压电路是众所周知的。本文给出恒瓦数电路(见图1)。此电路依赖于负载和感测器电压之间的倒数关系。编程电阻器确定所供给的瓦特数。本设计围绕1V考虑。假定负载是100Ω而所希望的恒瓦数是0.01W。调整器关系是1/N×N=1V,即基准电压是1V。在Y的输入电压用N表示。最后所得到的输出是：(1/N+N)V。为了求得编程电阻器,需要知道负载电压1/N,编程电阻器是0.01负载或100Ω。因此A×A×100=0.01W,其中A为0.01(电流),负载电压为100×0.01=1V。编程电阻器电压N为1/1V,即1V。电流是共同的,所以编程电阻器是1V/0.01,或100Ω。在这种…     

片式电阻器生产增长价格下降小型款式受宠

片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005     

工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

五种通用元件发展的新动向

一、电阻器 当前全球电阻器市场发展的动向是:(1) 2001年全球电阻器市场疲软,2002年有望复苏。2001年由于蜂窝电话、计算机外设和PDA市场的走软,导致全球电阻器市场不景气、库存积压、价格下跌和产能过剩,各电阻器制造商通过裁员、减少投资和压缩研发经费来渡过难关。据iSuppli公司分析,2001年全球片式厚膜电阻器市场为10.4亿美元,比上年下降7.1％。薄膜电阻器库存积