首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
以Nd(NO3)3·6H2O和Na2WO4·2H2O为原料,采用微波水热法在160℃~220℃反应90min成功合成了NdWO4(OH)粉体,利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对所合成的NdWO4(OH)粉体进行了表征,讨论了合成温度对NdWO4(OH)粉体晶体结构和微观形貌的影响,并对所合成粉体的光催化性能进行了研究.结果表明:合成温度对NdWO4(OH)粉体的晶体结构和微观形貌均有明显影响;在紫外光下照射120min,200℃合成的NdWO4(OH)粉体对RhB溶液的降解率达93.0%.  相似文献   

2.
采用低温熔盐法制备了LaFeO3光催化剂,用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)等测试手段对材料的结构、粒径进行了分析和表征,研究了其对罗丹明B溶液的光催化降解性能.试验表明:煅烧温度对LaFeO3粉体的结晶发育等具有重要的影响;光催化降解试验数据表明低温熔盐法制备的LaFeO3粉体具有较高的催化活性.  相似文献   

3.
以TiO2及CaCO3为原料,CaCl2为反应介质,对熔盐合成法制备CaTiO3粉体进行研究,并与固相合成法进行比较。结果表明,熔盐合成法可将纯相CaTiO3的合成温度从固相合成法所需的1400℃降至800℃,熔盐法合成的CaTiO3粉末粒度较小(〈0.5μm),分布均匀,且具有很高的分散性。在熔盐合成法中由于Ca—CO3及TiO2在熔融CaCl2中有较高的溶解度,两者可在其中通过“溶解析出”机理进行反应,从而在较低的温度下生成单一相的CaTiO3。  相似文献   

4.
根据热力学相关理论,利用基本函数△rHT^0、△GT^0、Kp在Si3N4粉体制备过程中的变化特征,分析了典型Si3N4粉体合成工艺的反应进行趋势,生成相的化学组成、稳定性,合成工艺最大转化率以及发展动向,讨论了过程可控和获得高纯、优质Si3N4粉体的热力学条件,开发优质、低能耗、高产率以适应工业化批量生产的Si3N4粉体合成工艺,流态化CVD是一条重要途径。  相似文献   

5.
分别采用柠檬酸一硝酸盐法,甘氨酸一硝酸盐法,碳酸盐共沉淀法制备了Ce0.9Gd0.1O19.5粉体。利用XRD、TG-DTA和FI-IR对粉体进行了表征,探讨了合成方法和烧结温度对掺杂CeO2米粉体粒径的影响。结果表明,烧结温度对粉体的粒径大小有较大的影响,采用碳酸盐共沉淀法合成的样品于500℃下焙烧2h后合成的掺杂CeO2粉体的颗粒最小。  相似文献   

6.
采用两步-水热法制备Ba5Nb4O15纳米粉体,研究矿化剂浓度、水热合成温度以及保温时间等因素对产物相组成的影响。利用X射线衍射分析样品相组成,通过Scherer公式计算所的粉体晶粒尺寸。X射线衍射结果表明,水热法合成Ba5Nb4O15单相的工艺条件为:Ba∶Nb=2∶1、碱浓度为2.0mol/L、水热反应240℃/48h,所得粉体晶粒尺寸约35nm。  相似文献   

7.
采用溶胶凝胶法,结合高温焙烧和微波焙烧分别合成了La0.6Ca0.4CoO3复合氧化物.凝胶的DSC和TGA分析表明:复合氧化物粉体在680℃左右相转变基本完成.然后以此为依据,对200℃凝胶焙烧的粉体作了X—ray相分析,表明粉体以金属氧化物和金属单质的形式存在,没有钙钛矿相形成;对700℃、800℃和900℃高温炉焙烧粉体分别做了X—ray相详细分析,结果表明焙烧温度越高,结晶程度越好.又对比了三组微波焙烧所得的粉体和800℃高温炉焙烧粉体的X-ray相,微波焙烧所得粉体也为钙钛矿结构,但与高温焙烧所得粉体相比,结晶程度还不够完整.线性扫描伏安测试表明,用溶胶凝胶法制备的La0.6Ca0.4CoO3电极,在碱性溶液中具有良好的氧还原活性.并且,通过合适的微波焙烧工艺合成的粉体的电催化活性要比高温焙烧所得粉体的催化活性高.  相似文献   

8.
用溶胶-凝胶法、沉淀-结晶法、共研磨-结晶法3种不同的合成方法合成出尖晶石型Li4Ti5O12。产物分别在不同温度下焙烧,经XRD测定,选择最佳制备条件为:溶胶-凝胶法,合成温度700-800℃,原料摩尔配比n(Li)/n(Ti)=0.8,焙烧时间4 h。采用TG-DSC测试方法研究了凝胶粉体的热分解和相转变过程。  相似文献   

9.
以Fe(NO3)3·9H2O和NH4VO3为原料,采用微波水热-煅烧两步法合成了片层状结构单斜相Fe2V4O13光催化剂.以罗丹明B溶液为目标降解物,对不同煅烧温度下合成的Fe2V4O13粉体的光催化性能进行了研究.结果表明:随着煅烧温度的升高,片层状颗粒不断长大,Fe2V4O13光催化剂的结晶性能逐渐增强,粉体的比表面积逐渐减小.350℃和550℃下制备出的片层状粉体分别是由300nm大小及1Arm大小的小颗粒和块状颗粒聚集生长而成,二者都不利于光催化性能的提高;450℃煅烧合成的Fe2V4O13粉体晶化强度良好且粉体间团聚现象较小,具有较大的比表面积,光催化反应活性位点多,有利于光催化反应的进行.该温度下合成的Fe2V4O13粉体在紫外光照射240rain后对罗丹明B溶液的降解率可达到79.0%.  相似文献   

10.
根据热力学相关理论,利用基本函数ΔrH0T、ΔG0T、Kp在S i3N4粉体制备过程中的变化特征,分析了典型S i3N4粉体合成工艺的反应进行趋势,生成相的化学组成、稳定性,合成工艺最大转化率以及发展动向,讨论了过程可控和获得高纯、优质S i3N4粉体的热力学条件,开发优质、低能耗、高产率以适应工业化批量生产的S i3N4粉体合成工艺,流态化CVD是一条重要途径。  相似文献   

11.
以4-硝基邻苯二甲酰亚胺为原料,经氨化、脱水反应合成了4-硝基邻苯二腈。对4-硝基邻苯二甲酰亚胺的氨化和4-硝基邻苯二甲酰胺的脱水反应条件进行了研究,获得较佳的工艺条件,从而制得了高纯度的4-硝基邻苯二腈,总收率达59 3%,纯度达99 5%。  相似文献   

12.
4-氨基邻苯二甲酰亚胺的合成   总被引:6,自引:0,他引:6  
以4-硝基邻苯二甲酰亚胺为原料,采用氯化亚锡一盐酸还原法制备4-氨基邻苯二甲酰亚胺.考察了还原反应时间、盐酸用量和后处理对反应的影响.通过对工艺条件的考察:确定了还原反应时间;盐酸用量比文献减少60%;后处理用氨水代替纯水进行洗涤,所得废酸液比文献减少58%,收率为90%.通过熔点测定和红外光谱分析证明了结构.  相似文献   

13.
以苯硫酚钠和对硝基氯苯为原料,经过取代、还原、重氮化、水解4步反应,最终合成了4-苯硫基苯酚,通过单因素实验确定了还原反应的较佳条件是:原料配比n(4-硝基二苯硫醚):n(水合肼)=1:2.5,催化剂三氯化铁用量为4-硝基二苯硫醚质量的3.0%,反应温度70℃,反应时间4.5h。目标产物4-苯硫基苯酚总收率约为64%,纯度为95%。目标产物的结构通过IR、GC-MS和1 H NMR进行了确证。  相似文献   

14.
在三氯化铝催化下 ,以 4-羟基联苯为原料 ,与三氯乙酰氯进行酰基化反应合成了 4-羟基 - 4′-三氯乙酰基联苯 ,经氨解反应得到 4-羟基 - 4′-联苯甲酰胺 ,进而用氯化亚砜脱水制得 4-羟基 - 4′-联苯腈 ,总收率达 5 6% ,纯度≥ 99%。  相似文献   

15.
从4-正烷基环己酮出发合成2-卤代-4-(反式-4-正烷基环己基)苯甲酸,并利用1H NMR谱、质谱、红外光谱和元素分析对其结构进行了表征.目标化合物均呈现向列相液晶.  相似文献   

16.
以4-硝基邻苯二甲酰亚胺(4NP)为原料,采用铁粉还原法制备4-氨基邻苯二甲酰亚胺(4-AP).考察了还原反应温度、反应时间、铁粉的用量、氯化铵的用量等因素对4-AP收率的影响.结果表明:当还原反应温度为80℃、反应时间为3h、n(铁粉):n(硝基化合物)为3.5:1.0、n(氯化铵)n(铁粉)为0.3:1.0时,产物的收率为91.08%、熔点为292.7~292.9℃.并通过红外光谱对产物进行了结构表征,与标准图谱一致.  相似文献   

17.
针对硫铵产品外观颜色的不稳定进行了分析,并提出一些生产操作过程中的改进和建议。  相似文献   

18.
按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,制备SrBi4-xLaxTi4O15的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行分析,并测量了铁电、介电性能.结果表明,La掺杂未改变SrBi4Ti4O15的晶体结构;随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)减小,剩余极化(2Pr)先增大,后减小;在x=0.25时,2Pr达到极大值24.2μC@cm-2,这时Ec=60.8 kV@cm-1适量La掺杂可提高SrBi4Ti4O15的铁电性能.SrBi4-xLaxTi4O15的相变温度Tc随x的增加逐渐降低,x=0.25时,Tc=451℃.  相似文献   

19.
MPEG-4标准与多媒体通信   总被引:1,自引:0,他引:1  
MPEG4 标准不只是一种压缩技术,它更提出了一种全新的数据表示方法———面向对象的数据表示方法。MPEG4 标准的建立将使多媒体通信由可能变为现实。本文综述了MPEG4标准的基本原理、主要特点,并重点介绍了MPEG4 中的视频标准,进而阐述了MPEG4 标准在多媒体通信中的应用及其前景。  相似文献   

20.
首先论述了营销理论从4P′s发展到4C′s的过程,并分析了4C′s理论的主要内容,在此基础上,分析了宝洁公司的成功经验。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号