浅析家用电器与电源电压

日常使用的家用电器必须在额定电源电压下,才能正常工作,若电器与电源电压不匹配,轻则电器无法工作,重则烧毁电器甚至引发火灾事故。由此可见,家用电器设定的额定电压应与电力供电网络相符,这也是保障电器设备安全运行的必备条件。我国对家用电器的额定电源电压统一规定为220V,与电力供电系统网络相匹配。     

一种改进的超低压电压基准源设计

本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB。     

简易信号电压测量仪

本文介绍一种简易信号电压测量仪,其电路原理如附图所示。该仪器不仅可测量被测信号的电压绝对值,而且还可测定其电压的正、负极性;不仅可测直流电压,而且还可测频率高达数千赫的交流电压。该信号电压测量仪主要由LM324(IC)等组成,ICa～ICd各为其中的一组运放。电路由±9V直流电压供电。ICa、ICb等组成信号电压绝对值测试电路。当被测电压为负值时,ICa第①脚输出正电压,D2截止,此时ICa不起作用,被测电压经R3送至ICb第⑥脚反相输入端,经-1倍的放大后,在其第⑦脚输出该被测负信号电压的绝     

一种嵌入式上电复位电路的设计与芯片实现

在芯片上电过程中,需要复位电路提供一个复位信号,保证系统正常启动。为了解决传统电路中起拉电压和复位时间较难控制等问题,提出一种利用反相器翻转电压设置起拉电压、电容控制复位时间的新型结构。该上电复位电路在MXIC0.5μm CMOS工艺上得以验证实现。测试结果表明在正负电源分别为0V和-5V的情况下,电路的起拉电平为-4.5V,复位时间为3.44ms,满足工程要求。     

提供精确互补电压的放大器

图1中的电路生成两个模拟电压,用一种互补方式可以改变这两个电压.当直通输出电压上升时,互补的输出电压下降,反之亦然.两个输出电压之和为恒定值:VOUT+VOUTC=VREF,其中VOUT为直通输出电压.VOUTC为互补输出,而VREF是从带隙单元IC1获得的一个基准电压.     

一种高电源抑制比曲率补偿带隙基准电压源

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度、高电源抑制带隙电压基准源。采用二阶曲率补偿技术,电路采用预电压调整电路,为基准电路提供稳定的电源,提高了电源抑制比,在提高精度的同时兼顾了电源抑制比,整个电路采用了CSMC0.5μm标准CMOS工艺实现,采用spectre进行进行仿真,仿真结果显示当温度为-40℃~80℃,输出基准电压变化小于1mV,温度系数为3.29×10-6℃,低频时(1kHz)的电源抑制比达到75dB,基准电路在高于3.3V电源电压下可以稳定工作,具有较好的性能。     

一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35 μm 5 V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64 μm×136 μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53 V;电源电压在3.4~5.5 V范围内,线性调整率为97.8 μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2 dB,在100 Hz处为-123.3 dB,在1 kHz处为103.3 dB;环境温度在-45 ℃~125 ℃范围内,平均温度系数为8.7×10-6/℃。     

浅谈高频衰减器在150KW发射机自动控制中出现的问题及解决方法

本文以在维护过程中高频衰减器出现的问题进行分析,对该现象的处理方法及解决方案进行了说明,以便为今后大家在维护该型号的发射机时处理类似故障提供了帮助.     

一种带瞬态响应增强的无电容型LDO

在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO。采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积。采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度。采用0.13 μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证。结果表明,片上补偿电容为2 pF时,系统静态电流为30 μA,当负载在1 μs内从1 mA变化到50 mA时,输出电压过冲为88 mV,下冲为50 mV,与不带过冲/下冲检测电路的LDO相比,分别提高了56%和54%。     

基于双极载流子导电的新型恒流器件

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。     

一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布

介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。     

多电压监控器与电源时序控制器

ADM1184与ADM1186包含4个高精密比较器,内置0．6V基准电压源监控电压轨。它们的工作电源电压范围为2．7～5．5V,具有4个可编程输入,通过外部分压可以监控不同的电压电平。此外,ADM1186允许在硬件上直接进行支持上电与断电排序,无须相应的软件支持,确保电源电压摆幅按照适当的顺序且在允许容限内进行上电与断电操作,从而进一步提高了系统可靠性。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

建立一个精密的双极性电压基准

脉冲发生器经常需要有精确滞后值的电压比较器,而这类比较器需要双极性电压基准。大多数电压基准IC均是以其低侧电源轨为基准。如果你的电路用正负两种电压,可以在一个IC基准的输出端接一个-1增益的转换器,就能获得负的基准电压。但如果你的模拟电路采用的是单一电源,就必须将共模电压转换到一个特殊电平上。图1中的电路可以用来完成这...     

MAX16903／16904：降压转换器

Maxim推出汽车级同步降压转换器MA×16903／16904,电流损耗为25pA（空载时）,可分别提供1A和600mA输出电流。这两款2．1MHz降压转换器经过优化,可工作在3．5V×28V电压范围。MA×16903／16904能够承受汽车应用中的极限电池电压：可承受高达42V的抛负载瞬态电压以及低至3．5V的冷启动电压。     

一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计

通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10kHz时为-98dB,1MHz～1GHz时为-40dB。     

瞬态电压抑制二极管在电路中的应用

主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。     

一种有源电压限位电路的设计

本文提出了一种新颖的电压限位电路。该电路该采用电压跟随器FOLLOWER和模拟二选一选择器结构,其中的比较器采用PNP双极型三极管,从而使输出更精确地跟随输入。与传统电压限压电路相比,该电路在设定的电压范围内,输出电压能更好地跟随输入电压变化,在输出端误差小,设定的电压范围以外,电路输出能固定在某一特定值。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,当下限阈值VTH-设定在0.5V,上限阈值VTH+设定在2V,输入电压VIN输入范围在0~3V内时,输出电压精确跟随VIN的变化而变化。     

真有效值电压的数字测量

1 引言 在电压测量中，经常需要测量正弦波，尤其是失真正弦波电压的有效值，所以，有效值电压的测量是十分重要的。为了求得对交流信号电压的测量，通常都是先把交流信号转换成直流信号，然后再输入到A／D转换器中通过数字化处理而求得准确的测量结果。目前人们常用的数字万用表在测交流时均采用按有效值标度的平均值AC／DC转换来实现，虽能测正弦电压的有效值，但它对被测信号的波形失真非常敏感，如即便波形失真率为1％，也要产生0．3％的误差。因此，当测量含有失真波形的交流电压时，需要用真有效值型AC／DC转换器。2 真有效值电压…     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。