用瞬态激励分析法模拟半导体器件的交流特性

基于傅里叶变换的瞬态激励法是一种模拟半导体器件交流特性的计算技术。本文详细介绍了这种方法的原理和具体使用方法，并且给出了用这种方法模拟Ｓｉ－ＳｉＧｅ－Ｓｉ异质结双极晶体管的结果。     

半导体器件技术与生产设备的最新进展

半导体工业就其整个经济动向来看时起时伏,但总的来说还是不断向前发展的。予计在今后5年间将增长两倍左右。发展的中心是集成电路,特别是以计算机系统为中心的半导体存储器。另外,微处理机也将得到很大发展。在半导体工业中,随着产量的增长,且要不断地定型新产品,就要引进、探讨新技术,为达到上述目的,就要不断地改革,试制最佳式的生产设备。仅从降低成本方面来说,也要研制新设备。     

半导体器件生产中的静电与防护

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系.生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品.     

高纯氢中微量杂质氧的气相色谱分析

本文报导采用气相色谱变温浓缩取样的方法,分析了高纯氢中的微量氧.其测量灵敏度可达O.1ppm数量级.并在实际应用中证明,这种分析方法比较简单,重复性好,对改进监测半导体材料的制备会起到有益的作用.     

气体中微量氢快速分析法的研究及其应用

一、前言 在电子工业常用的高纯氧、氮、氩等气体中,氢是主要的杂质之一,国内外标准中规定氢杂质含量低于1PPm,因此微量氢的测定是很重要的。在医学上临床应用的氢呼吸试验中,微量氢测定也是关键。用于气体中微量氢测定的气相色谱检测器有热导、氦离子化、放电等。这些检测器均要求使用高纯载     

滚球机在半导体器件生产中的应用

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可用于半导体器件生产的干冰洁净技术

可用于半导体器件生产的干冰洁净技术半导体生产中，要求表面洁净，这永远是一个十分重要的问题。干冰技术是一项新兴的洁净技术。在一般情况下，干冰的粒径大约为５μｍ或以下，调节喷嘴后，直径可在很大的范围内控制。干冰可以很有效的除去１μｍ以下的颗粒，它直接喷到...     

半导体器件中载流子迁移率的研究

分析了器件中载流子迁移率的基本理论及其受温度、掺杂浓度、栅极电压以及漏极电压的影响,并总结了测量器件中载流子迁移率的几种常用的方法。     

EWB中测试半导体器件特性的方法

利用EWB5.0中的虚拟仪器和虚拟电流控制电压源,构建测试半导体器件的电路,实现对二极管伏安特性、双极晶体管的输入输出特性、场效应管的输出特性和转移特性的测试。     

空气中铍的比色测定

由于氧化铍瓷的导热性能极好,已广泛应用于电子器件的制造,但氧化铍粉尘毒性大,扩散到空气中给人以极大的危害,卫生监控标准极高(1微克Be/1米~3),所以要求分析方法灵敏度要高。我们以铬菁R比色法为基础,加十六烷基三甲基溴化铵提高其灵敏度,获得满意的结果,使铍毒的监测易于推广。     

半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展

本文首先对干法刻蚀技术发展的二十余年作了回顾。列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑,并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。在发展动向方面介绍了电子迴旋共振和线圈耦合等离子体等刻蚀技术的新进展,以及主干道式和集团式的多工艺真空联机系统设备设计的新结构。突出说明干法刻蚀技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。     

半导体器件工艺中热电偶可靠性测温

本文介绍了半导体器件工艺中利用热电偶测温的原理、性能以及如何对热电偶误差进行修正补偿。     

半导体器件制作中使用的高纯气体

众所周知,在半导体生产中要使用各种化学药品。估计美国半导体工业生产中所消耗的各种化学药品在1980年约为900亿日元。这些药品主要是用于芯片生产;除此之外,印刷电路板的厂家等购入价值约400亿日元的化学药品。因而,合计约1200亿日元的化学药品,这意味着半导体工业的消费量是相当大的。这些化学药品     

一种高纯气体微量水微量氧自动检测装置

介绍了一种具有实时在线测量功能的高纯气体微量水微量氧自动检测装置,详细阐述了该装置的结构组成和性能特点,包括装置的硬件系统、软件系统、主要技术指标及研制过程中解决的关键技术和创新点。实践表明,此微量水微量氧自动检测装置成本较低、性能稳定可靠、精度较高,实现了小型化、自动化和智能化。