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从反铁电材料的储能特性出发,着重介绍了一类适合制作储能电容器的La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试,研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电-铁电相变。结果表明:La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。 相似文献
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高压薄膜脉冲电容器是放电触发电路中的重要储能器件,通常用于产生高功率大电流脉冲.分析高压薄膜电容器性能检测指标及实际放电过程,找出了高压薄膜电容器样本失效原因,采取提高卷绕电容器芯工艺水平措施后,所制高压薄膜电容器常规指标合格,放电触发次数可靠性指标达到系统要求的6 000次以上. 相似文献
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双电层电容器的测量方法 总被引:1,自引:0,他引:1
双电层电容器的测量目前在国内还没有一个统一的测量标准,针对大庆泰科电气有限公司研制生产的CSC-4B型系列超大容量电容器提出一种较为实用的测量方法,该方法可以测量双电层电容器的静电容量、等效串联电阻、漏电流。 相似文献
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基于材料和工艺特点,对新研锆钛酸钡基CT47型脉冲功率电容器的高压脉冲放电性能和贮存性能进行了分析,并根据脉冲功率应用场景设计了系列化性能研究实验。实验结果表明,该电容器温度特性良好,高压脉冲放电性能稳定,耐压值高,绝缘性能好,为该电容器在脉冲功率领域的应用奠定了良好的基础。 相似文献
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高压脉冲电容器电容量漂移影响的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对不同贮存环境对高压脉冲电窖器电窖量瀑移的影响进行了长期对比实验研究。采用同一批次同一型号高压脉冲电容器,随机抽取组合成实验对比组。通过观测,发现该型号高压脉冲电容器电容量的漂移与贮存环境温度的关系密切;与自然光照的关系并不明显;在同样的贮存环境下,与未加任何保护的实验对比组相比较。使用硅胶灌注的实验对比组电容量的漂移速度明显平缓,特别在贮存环境温度较低时,硅胶灌注对高压脉冲电容器电容量的漂移有明显的减缓作用。 相似文献
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通过两阶段充电时间序列设计与试验研究,分析充电电流分别与碳基超级电容器的实际电容量、有效储能量和充电效率之间的定量拟合关系。在室温条件下,实际电容量与充电电流的定量关系比较符合指数函数描述,拟合曲线的相关系数均大于0.99;标称电容量为0.5MF的碳基超级电容器在充电电流小于220A的条件下保持着较高的储能水平,但当充电电流超过220A,该超级电容器的总有效储能量急剧衰减,这表明超级电容器的最佳储能水平受充电参数优化范围的制约。 相似文献
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《电子元件与材料》2016,(9):88-91
介绍了一种基于恒负载放电的超级电容静电容量测量方法,在对应的电压区间内,分别利用瞬时容量和等效容量表示超级电容静电容量。在恒负载放电回路中利用四端分流器对超级电容放电状态进行采样测量,利用经典电路模型从复频域分析推导出电容容量与分流器电压间的对应关系,通过短时间间隔的任意两时刻电压可计算出超级电容瞬时容量,对瞬时容量在某一电压区间进行积分可得到超级电容等效容量。应用时域仿真对该方法进行了验证,仿真结果表明,在静电容量分别设定为常数、电容端电压的线性函数及二次函数时,测量误差均低于0.5%。对几款常见规格的超级电容器进行了实测实验,电容器瞬时容量与端电压近似线性关系。 相似文献
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双电层电容器的测量目前在国内还没有一个统一的测量标准,针对大庆泰科电气有限公司研制生产的CSC—4B型系列超大容量电容器提出了一种较为实用的测量方法,该方法可以测量双电层电容器的静电容量、等效串联电阻、漏电流。 相似文献
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串联谐振电容器充电电源特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
负载与谐振回路L-C以串联形式输出称为串联谐振变换器,将串联谐振变换器应用到电容器充电技术中,产生了串联谐振电容器充电电源(CCPS)。和普通电容器充电电源相比,串联谐振电容器充电电源具有抗负载短路能力强、体积小、控制简单、可开环控制等优点,在国防科研中得到广泛应用。为了研究串联谐振CCPS电路的工作特性,文章给出了其电路原理图及等效电路,建立了该电路的数学模型。通过数学仿真的方法,给出了谐振电路的特性。实验结果验证了所采用控制方案的正确性和充电系统的有效性。 相似文献
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片式独石电容器耐压绝缘测试分选机是片式独石电容器生产专用设备。该机在精密高压直流电源、微电流测试、步进电机精密驱动以及单板机等技术的设计、应用方面达到较高水平,整机具有自动化水平高、操作方便、测试精确、运行稳定可靠、生产效率高等特点,性能完全可以与国外同类设备相媲美。 相似文献
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本文研究在同一光学谐振腔内采用多电极对以获得多光脉冲稳定输出时电极对的间距及脉冲放电时间的最佳选择。 相似文献
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介绍了对闪光灯电容器在不同条件下进行老练工艺试验的结果,选择了合适的温度和电压条件,并采用时间间隙老练工艺,取得了满意的结果。 相似文献
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用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。 相似文献