功率MOSFET的数值模拟

功率UMOS结构相对于功率VDMOS结构的电压限制,通过对源漏沟道区掺杂不均匀的器件进行二维和两种载流子的数值模拟进行了比较;还对两种器件表面和体内的电场分布进行了比较;预估了UMOS由Si/SiO_2界面附近高电场强度引起的碰撞电离所导致的击穿电压下降现象。     

功率MOSFET寄生振荡的研究

针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行.该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点.经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性.     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

基于CPLD的功率MOSFET保护电路设计与实现

介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型

提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心,介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现,设计了电特性参数测试的具体电路,编写了测试控制程序,通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试,可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

高性能高压功率MOSFET

超结型MDmeshV系列功率MOSFET晶体管拥有极低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;新产品STW88N65M5MDmeshVMOSFET又将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型

本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区,可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路,而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致．     

包含热模型的大功率MOSFET新型电路模型

功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战；因而，热问题的优化设计和核实变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的PSPICE模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。其中的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍的模型提供发热和电气参数之间的动态关系。它建立了与许可的热环境的关系，例如，栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。利用这个模型可以改善散热器的设计。由于决定功率损耗的参数是分布在一定范围内，受生产制造的影响很大，因而散热器的设计往往由于无法预先知道功率损耗而无法进行。     

一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计

为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断,研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程,整个驱动电路采用0.18μｍ工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。     

一种基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路

本文首先介绍了光耦HCPL0601的工作特性及其应用。并提出了一种应用HCPL0601实现光电隔离的功率MOSFET驱动电路的设计方案。该驱动电路同时适用于驱动上、下管的导通与关断。实验结果表明,该驱动电路可以得到有效的驱动信号。     

基于功率MOSFET的磁流变阻尼器控制器的研究

根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关系,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器.实验测试表明,控制器电流可在0～2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼器的需要.     

采用新STrip FET技术的功率MOSFET

该功率MOSFET适用于DC-DC转换器。新产品采用独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3W，新产品实现了极低的品质因数。     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。     

基于多值开关级代数的电容模型及其应用

本文应用多值开关级代数为ＭＯＳ电路中的电容建立模型，并提出了应用多值开关级代数分析ＭＯＳ动态电路、时延及电荷共享的方法。