电镀前工艺对MLCC电镀后质量的影响

在相同电镀条件下,对不同银端浆、不同材料体系的ＭＬＣＣ进行电镀,实验结果表明,它们的镀后合格率不一样。总的来讲,１类瓷的镀后合格率要高于２类瓷的合格率,高温烧结的ＭＬＣＣ的镀后合格率要高于低温烧结的ＭＬＣＣ。端电极银底层的质量对于镀后ＭＬＣＣ的产品合格率有很大的影响,用扫描电镜观察发现如果银底层不致密或有针孔,将导致镀后ＭＬＣＣ的损耗超出合格标准。     

“正方形”MLCC产品的DPA与无损检测

对多层瓷介电容器(MLCC)产品进行超声波无损检测时,要求使MLCC的内电极平行于水平面放置。而对于那些无法知道内电极排列方向的"正方形"产品,就很容易漏检。而且,这类产品在做DPA检测时,无法正确地码放也成了一个问题--既浪费了样品又浪费了时间。因此,对于这类的MLCC产品,能够正确地辨认内电极排列的方向就显得至关重要。通过对MLCC进行超声波扫描与DPA的对比试验,找到了正确辨认内电极排列的方法,由此可以大大提高工作效率。     

MLCC叠层空洞判别超声检测技术研究

通过对超声检测技术的原理进行分析,并将其与X射线检查和制样镜检技术分别进行对比,阐述了超声检测技术在检测片式多层瓷介电容器(MLCC)的裂纹、 分层和空洞等内部缺陷方面的优势.对超声显微镜的扫描原理和扫描模式进行分析,确定了MLCC内部空洞缺陷超声检测的判定方法.并利用B扫描模式对ML-CC的叠层空洞进行了判别和区分,对于提高MLCC超声检测技术检测结果的准确性具有指导意义.     

介质厚度对MLCC的TC、TVC特性影响

研究了细晶钛酸钡介质层厚度对 ML CC的 TC、TVC特性的影响。结果表明介质层厚度≥ 2 7μm时 ,ML CC的 TC、TVC特性符合 2 X1(BX)特性要求。在施加直流偏压时 ,- 2 5 %≤ ΔC/ C≤ +15 %。ML CC的绝缘电阻为 10 1 1 Ω,损耗小于 15 0× 10     

高频高Q值MLCC的设计与制作

采用了四种电子材料和工艺分别制作高频高Q值片式多层陶瓷电容器(MLCC).研究、对比了这四种电容器高频特性.结果表明:采用高钯高温烧结体系MLCC的Q值优于其它体系MLCC,但制造成奉高,四种设计方案各有优劣.     

MLCC装配质量优化研究

针对本所产品中多层陶瓷电容器(MLCC)在经过环境试验后出现的失效问题,通过对失效原因进行分析,结合生产实际情况,进行了技术改进.制作了技术改进前后的试验板,经过环境试验后测试,结果表明,未改进前的试验板中的MLCC出现问题,而改进后的试验板没有发现问题.最后对故障MLCC进行了DPA检查,结果发现MLCC端头出现45°角裂纹.试验结果表明经过技术改进后有效地解决了MLCC装配质量问题,提高了产品装配合格率,达到了预期的效果.     

MLCC电极质量的显微研究

本文采用扫描电子显微镜分析了MLCC电极的微观结构,发现并研究了其存在的问题:端电极银底层存在较多的空洞及针孔缺陷,银底层与镍层之间结合不紧密等.这些电极微观结构反应出的问题,是降低MLCC可靠性和增加废品率的重要原因.研究结果对于生产工艺及配方的改进有着重要的实用意义.     

01005规格MLCC切割质量影响因素

随着5G时代的到来和智能手机的普及,市场对01005规格的超小型多层陶瓷电容器的需求急速增长.由于尺寸超小,切割工艺是01005规格MLCC的生产中在一大技术难点.为了获得良好的切割质量,研究了瓷坯中黏合剂含量、切割刀片及感温胶片这几个主要影响因素.结果发现,选取合适的黏合剂含量,可以减少粘片情况,并且防止切面粗糙、切...     

MLCC产业现状及质量分析

随着多层陶瓷电容器（MLCC）制造工艺和技术的不断发展,MLCC对质量可靠性的要求也在不断地提高。随着5G、新能源汽车和通信等行业对集成电路的需求的增大,MLCC的市场规模将会进一步地提升,技术发展也会更加的多元和多样化。对目前MLCC存在的主要失效模式、失效机理和质量问题进行了梳理,对今后提高MLCC的可靠性和质量具有重要的意义。     

10℃法则与多层瓷介电容器的贮存寿命试验

GJB/Z 148-2006《军用电容器选择与应用指南》提出的10℃法则,是表征元件寿命与温度应力关系的简便估算方式,它对于估算实际的使用条件下多层瓷介电容器的长期贮存寿命有着重要的意义。列举了国外对于多层瓷介电容器激活能的研究成果,并通过经典的温度加速模型与10℃法则的关系,证明了10℃法则对于多层瓷介电容器的加速寿命试验的适用性;同时认为根据10℃法则进行贮存寿命试验所得到的结果比使用经典的温度加速模型得到的结果更加可信。     

MLCC的质量控制与失效分析

前言 无源元件(passive component)在电子产品中占有十分重要的地位。虽然很多无源元件在整个电子产品中所占的物料价值并不高,但任何一个微不足道的元器件的失效都可能导致整个系统的失效。一般电子产品中有源元器件(IC)和无源元件的比例约为1:10—20。从该数据可以看出无源元件质量控制的重要性。     

MLCC的一种典型失效形式及优化方式

对多层陶瓷电容器的一种典型失效形式进行研究.将多层陶瓷电容器焊后进行极限高低温冲击试验,试验发现焊接端头会出现微裂纹.微裂纹底部与外电极金属边缘重合,裂纹斜向上延伸,与焊接面之间呈锐角.裂纹贯穿交叠电极时会导致陶瓷电容器的电性能失效.后续可以根据实际情况为多层陶瓷电容器设计适宜的上下护片厚度、外电极端头宽度及单侧电极宽...     

RF MLCC热应力分析

采用有限元方法,应用ANSYS软件．模拟不同内电极结构和不同端电极厚度的RF MLCC在热冲击时的热应力分布。模拟结果显示：端电极倒角处、银电极与内电极引出端的接触处所受von mises热应力较大．是热应力下RF MLCC结构中最薄弱的部位：结构中的峰值热应力随温度循环次数的增加而增加,五次循环后的热应力约为首次循环的4．5倍;悬浮内电极结构银电极上的最大热应力远小于正常内电极结构;增加银电极厚度可以大大减小热应力,对于13层悬浮内电极结构的RF MLCC．银电极厚度增加一倍,其所受热应力最大值减少约50％。本次仿真结合了自由划分和映射划分,并且多次局部细化网格,消除了畸形网格,使得各次仿真的能量准则百分比误差均小于2％。为分析RF MLCC热失效机制、优化结构、提高其可靠性提供了理论依据。     

组装工艺过程对瓷介电容器可靠性的影响

混合集成电路的组装工艺对片式电容器的性能会带来影响。本文对混合电路中片式电容器经过环境试验后的失效现象进行了分析，并提出了组装片式电容器的合理工艺，以提高其可靠性。     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

MLCC内电极厚度对其性能影响的研究

贱金属多层陶瓷电容器(MLCC)的内电极镍层厚度对其常规电性能、耐热冲击和绝缘稳定性有严重的影响.通过试验研究发现,镍层厚度在1 μm左右,可获得常规电性能良好和高可靠性的贱金属多层陶瓷电容器产品(BME-MLCC).     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。     

MLC银端电极浆料的研究

用光亮超细导电银粉、玻璃料粉和有机粘合剂等制成浆料。经浸涂、干燥、烧成形成多层瓷介电容器的端电极。试验结果表明，本浆料达到引进线的工艺技术要求和端电极专用浆料的标准要求；各种技术性能良好，可与进口的美国同类浆料媲美。     

MLCC规模生产工艺的新进展

着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。