Pt／TiO2二极管湿敏传感器

Ｐｔ常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触，在常温下，Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的电子电导对Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒高度的变化非常敏感，本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能，并讨论了因水在Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的化学吸附，引起表面Ｆｅｒｍｉ能级改变，影响Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒的高度，从而导致了Ｉ－Ｖ曲线变化的物理过程，对器件制造过程中的工艺问题所论述。     

Pt/TiO_2二极管湿敏传感器

Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触.在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感.本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面态费米能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线的变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题也有所论述     

ZrO_2/聚苯乙烯磺酸钠复合湿敏元件的性能研究

从高度分散的ZrO2溶胶出发,制备了ZrO2/聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)有机-无机复合湿敏元件,研究了NaPSS掺入量对湿敏元件性能的影响,并采用复阻抗谱分析了湿敏元件的感湿机理。结果表明:加入适量的NaPSS有利于改善湿敏元件的灵敏度和线性,当NaPSS与ZrO2的质量比为1:100时,所制复合湿敏元件的性能最好,其湿滞小(2%RH),响应-恢复时间短(吸附时间:2 s,脱附时间:15 s);复阻抗谱分析说明湿敏元件对湿度的电响应经历了一个从低湿下的电荷转移到高湿下的离子扩散导电的过程。     

本领奇特的湿敏电阻器

通常，人们将大气中水蒸气的含量以圾某些物质中所含水分的多少笼统称为湿度。湿度和温度一样，与人们的生产活动和日常生活密切相关，测量和控制湿度有时候显得非常重要。     

SnO2-LiZnVO4系湿敏材料湿敏特性及介电特性

采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对其湿敏性能的影响,测试了材料的电抗特性、电容量特性和响应–恢复特性。结果表明,采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,液相掺杂x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有较好的湿敏性能和响应–恢复特性,响应时间和恢复时间都为55s左右。测试频率对材料的电抗和电容量影响很大。     

用溶胶凝胶法制备湿敏陶瓷和传感器的研究进展

溶胶凝胶法是通过软化学方法剪 裁材料并合成高性能陶瓷的重 要手段,在制备湿敏陶瓷及传感 器方面具有一系列突出的优点,得到了 广泛的应用。本文综述了国内外在这方 面的研究进展。1.引言 溶胶凝胶法制备湿敏陶瓷一般采 用无机盐或金属醇盐为前驱物,将前驱 物溶于溶剂中,加入所需的掺杂物质和 化学添加剂,经水解、缩聚后制成稳定 的溶胶。溶胶经适当处理制得粒度均匀 的陶瓷粉料,经压片、烧结制得多孔湿     

多孔SiO_2厚膜湿度传感器的制造及其湿敏特性

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备了三种ＳｉＯ２凝胶，并以此制造了多孔ＳｉＯ２厚膜湿度传感器。其电容量－湿度关系呈开关特性，转变点约在８５％ＲＨ。     

Fe_2O_3+MgO+K_2CO_3湿敏陶瓷材料性能的研究

研究了Fe_2O_3-MgO-K_2CO_3湿敏陶瓷材料的成分、工艺、组织与性能,对测得的“湿度—电阻”数据进行了数学分析,从中选出最佳成分与工艺。利用XRD、SEM及能谱分析等测试手段对试样的相组成、相结构、晶粒度、气孔率以及成分进行了观察、测试和半定量分析,并讨论了它们对湿敏特性的影响。结果表明,该铁基湿敏陶瓷材料具有固有阻值低、阻值变化范围大和线性度好等优点。     

复合钒钛酸干凝胶薄膜的湿敏特性研究

采用sol-gel法制备了复合钒钛酸干凝胶(H2V10Ti2O30-y·nH2O)薄膜,并对其湿敏特性进行了研究。结果表明:该薄膜为层状结构。用此薄膜制备的湿敏元件,在RH为11%～95%的范围内,感湿特性曲线线性好,其响应、恢复时间分别为5s和20s,湿滞为RH2%,感湿温度系数为RH0.45%/℃,并具有良好的稳定性。H2V10Ti2O30-y·nH2O干凝胶薄膜湿敏元件的灵敏度和湿滞均优于复合钒酸(H2V12O31-y·nH2O)干凝胶薄膜湿敏元件。     

酞菁钴微纳米线的制备及其湿敏特性研究

在预处理衬底上采用物理气相输运法制备了长度100μm以上的CoPc微纳米线,并采用滴注法构筑了基于CoPc微纳米线的电阻式湿度传感器.研究了传感器的湿敏特性及其响应机理.结果显示基于CoPc微纳米线的电阻式湿度传感器具有良好的重复稳定性、低检测下限(33％RH)和快速响应-恢复时间(分别为5 s和2 s).研究表明有机...     

Fe/Al_2O_3/石蜡复合材料的制备及微波吸收性能研究

为了改善Fe粉的微波吸收性能,采用sol-gel法与H_2还原法制备了w(Al_2O_3)为0.5%~5.0%的Fe/Al_2O_3复合粉。利用SEM和激光粒度分析仪分析了所制粉末的形貌与粒度分布;并将所制复合粉末与石蜡按质量比80:20制成Fe/Al_2O_3/石蜡复合材料,研究w(Al_2O_3)对复合材料微波吸收性能的影响。结果表明:Fe/Al_2O_3复合粉的外形呈片状与针状,其粒度分布很宽。当w(Al_2O_3)由0增加到5.0%时,复合材料的复介电常数实部ε′从11增加至21;复磁导率虚部μ″呈多模共振的曲线形式;w(Al_2O_3)为2.0%,厚为2mm的Fe/Al_2O_3/石蜡复合材料的–5dB反射损失R频宽为4.6GHz。     

金属-碳复合材料的制备及其非线性光学性质研究

基于浸渍法,成功制备了铁含量为10.7 wt％、铜含量为12.9 wt％的金属-碳复合材料,通过扫描电子显微镜、X射线粉末衍射谱、电感耦合等离子体原子发射光谱等手段表征了金属-碳复合材料的结构、形貌、晶型以及元素组成.通过开孔Z扫描实验和光限幅实验对该材料的非线性光学性质进行测试,该材料表现出优秀的反饱和吸收型非线性光...     

高导热金刚石/玻璃复合材料的制备和性能研究

首先对金刚石颗粒进行化学镀Cu,并控制氧化,从而在金刚石颗粒表面获得Cu-Cu2O复合结构。然后,在800℃无压烧结制备了金刚石/玻璃复合材料,观察了其表面和界面形貌,并测定了其相对密度和热导率。结果表明,通过对镀Cu金刚石的控制氧化,明显改善了玻璃对金刚石颗粒表面的润湿性,避免了玻璃对金刚石颗粒表面的侵蚀,提高了复合材料的热导率;复合材料的热导率随金刚石含量的增加而增加,当金刚石质量分数为70%时,热导率最高达到了14.420W/(m·K)。     

VO2/FTO复合热致变色薄膜的制备及其光学特性

在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用直流磁控溅射的方法室温沉积纯钒金属薄膜,再在退火炉中经后退火工艺制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构及其光学特性进行研究.结果表明,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征.与相同工艺条件下在玻璃衬底上制备的VO2薄膜相比,VO2/FTO复合薄膜的相变温度降低约18℃,热滞回线温宽收窄约4℃,相变前后的红外透过率分别约为42%和21%.说明复合薄膜既可明显降低相变温度和热滞宽度,又可增强VO2薄膜的红外调控能力.     

CaB2O4/CBS复相陶瓷的制备及性能

研究了偏硼酸钙(CaB2O4)与钙硼硅(CBS)玻璃按不同比例制备的CaB2O4/CBS复相陶瓷的相组成、显微结构、介电性能和热膨胀系数等。在200～500℃时,复相陶瓷的热膨胀系数为10×10–6 K–1。当添加w(CBS)为20%,CaB2O4/CBS复相陶瓷经过930℃保温2 h后,试样主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所构成。微观结构致密,气孔率低,晶粒尺寸为5μm左右。在10 MHz下,εr为7.18,tanδ为1.2×10–4。     

多孔Si/纳米ZnS复合材料发光的研究

利用脉冲激光沉积(PLD)分别在Si片和多孔Si衬底上沉积了ZnS薄膜,考察衬底对ZnS薄膜结构和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)测量表明,两种衬底上制备的ZnS薄膜均沿立方相结构β-ZnS(111)晶向择优取向生长。多孔Si衬底上生长的ZnS薄膜表面有很多凹坑,而Si衬底上生长的ZnS薄膜表面相对比较平整。光致发光(PL)谱显示,ZnS薄膜沉积后,多孔Si的发光峰强度减小且峰位发生蓝移。根据ZnS薄膜具有较高透射率的特点,把透射出ZnS的多孔Si的橙红光和ZnS的发光叠加,多孔Si/ZnS纳米薄膜复合体系在可见光区有很强的PL现象。     

钴掺杂多孔锰氧化物自组装花球制备及其超电容特性研究

通过水热法制备了掺杂不同含量钴离子的多孔结构MnO_2纳米花球,研究了锰氧化物掺杂前后的实际放电比容量,从而比较钴离子含量对其电化学性能的影响。对不同样本做了结构、形貌及电化学性能方面的测试。通过XRD谱说明钴离子均一地掺杂到了锰氧化物的中间。通过SEM照片可以看到产品的微观形貌均是由纳米片层状结构组装成的纳米花球。在未掺杂钴时,纳米花球的颗粒大小不均一,而掺杂摩尔分数10%的钴离子后,大大降低了自组装结构的尺寸,并且使得材料的微观表面更加疏松,这种减小的尺寸使得电解液的进入更加容易,从而使得材料的利用率大大增加。通过恒电流充放电测试显示,当钴掺杂量为摩尔分数10%时,锰氧化物比容量最大可达410.158 F·g~(–1)。     

高介电常数Ta/Al_2O_3复合膜的制备及性能研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽为阳极,氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备了Ta/Al_2O_3复合膜。借助LCR数字电桥、SEM、EDS等测试手段对Ta/Al_2O_3复合膜的介电性能及微观结构进行了分析与表征。研究表明:Ta/Al_2O_3复合氧化膜的表面沉积了质量分数为41.77%的钽。与普通铝阳极(Al_2O_3)氧化膜相比,复合氧化膜的电容提高了50%以上,这主要归因于介电常数较高的钽在复合氧化膜表面的沉积。