相干时域数据存储

相干时域数据存储相干时域光存储（ＣＴＯＭ）又称受激光子回波存储，能提供超高密度和超高数据产率的潜力。与永久性光谱烧孔相似，这种存储除普通两维光学存储器中所用的空间地址外，还存储非均匀加宽吸收材料频率维度的信息。然而，在相干时域与存储中，存储的信息是所...     

信息存储材料的现状与未来

信息存储材料的研究与开发直接影响着整个信息技术的发展进程。本文从磁光存储材料，磁存储材料、光存储材料和纳米存储材料四个方面评述了现代信息存储材料应用于电子领域中的现状，并就其前景及今后研究方向进行了讨论。     

电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。     

超高密度数字光存储新技术的研究进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快存取速率以及长的存储寿命，而传统的数字光存储的存储密度已经接近其物理极限。因此探索新的存储理论、技术和材料，已成为目前数字光存储领域的急迫任务。简要综述了超高密度数字光存储新技术，介绍了近年来该领域研究的新进展。     

光存储系统在海量数据存储市场中的重要作用

光存储系统在海量数据存储市场中的重要作用象磁带数据存贮一样，光学数据存贮技术在音像市场发展迅速。光学系统包括：ＣＤ－ＲＯＭ、一次写入多次读出（ＷＯＲＭ）和可重写（或可擦除）光盘，其核心技术建立在家用音像ＣＤ和激光影碟放像机基础上。光存贮基础光存贮的过...     

超高密度光存储技术

文章从三维体存储和近场光存储两个方向介绍了超高密度光存储技术。三维体存储 包括:体全息数据存储、双光子吸收存储和多层存储。体全息数据存储容量大、寻址快、存储寿命长;双光子吸收存储也属于多层记录存储,存储形式多样,本文以光致色变光存储为例进行讨论。海量存储的另一个研究方向是近场光存储,该技术与传统光存储显著的区别在于:用纳米尺寸的光学探针距记录介质纳米距离实现纳米尺寸光点的记录,从而实现超高密度光存储。文章最后对超高密度光存储发展及应用趋势进行了阐述。     

EO－PVA有机染料薄膜的存储特性研究

制备并研究了染料掺杂ＥＯ—ＰＶＡ有机材料膜片的存储性能．用氩离子单线激光作光源，获得了良好的实时和长时存储图像信息．最低存储功率密度可小于０．２Ｗ／ｃｍ２。分析了该材料的存储机理，确定了最佳存储参数。     

新型有机金属存储材料

本文通过对光存储领域的发展现状及趋势的分析，介绍了一种新型的存储材料，即光致聚合物有机全息存储材料，并论述了其存储原理和应用前景。     

基于光致变色原理的多阶存储实验研究

多阶存储是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而显著提高光存储容量的新颖方法。对光致变色材料采用不同的光能量写人，读出时则具有不同的吸收率，该特性可用来实现多阶数据存储。在研究光致变色材料曝光特性的基础上，提出了基于光致变色原理的多阶存储数学模型，该模型反映了光致变色材料吸收率与曝光量之间的非线性关系，为光致变色材料的多阶存储写策略的优化提供了理论依据。在4阶和8阶静态存储实验结果中，各信号峰值之间有明显的阶次变化，且信号之间没有交叠现象，从而验证了利用该材料进行多阶存储的可行性。将该多阶技术应用在实际光盘存储中，可实现两至三倍于普通光盘容量的高密度存储。     

频域光存储偏振极化成孔动力学的研究

报道用偏振光谱对频域存储有机材料ＴＨＰ／ＰＭＭＡ进行持久性光谱烧孔，获得了一般方法难以得到的４００％以上孔深的各向异性孔。着重讨论固体偏振光谱烧孔理论及快速成孔机理，并在实验上观察到各向异性成孔动力学过程，理论和实验上得到很好的拟合。展示了偏振光谱烧孔技术在频域光存储和固体高分辨光谱应用的良好前景。     

采用不同中间夹层的双记录层磁光光盘热光特性比较

磁光存储技术是一种颇受关注的下一代光存储技术.为提高单个磁光光盘的存储容量,途径之一是采用多值存储、多波长读出技术,实现所谓三维磁光存储.通常使用不同波长的蓝光来实现信号的读写操作.如果不同波长的激光在磁光存储多层膜中产生热场分布的差异较大,将有利于提高读出信号的信噪比.本文结合光学矩阵法及有限元方法分析了中间夹层分别为SiN、GaP时,磁光存储多层膜的热光特性.结果表明在蓝光波段,用GaP层替代传统的SiN中间夹层,将使磁光光盘具有更好的热光特性.     

考虑红外焦平面器件非线性响应的一种非均匀性校正方法

针对红外焦平面阵列的非线性响应特性,提出了一种考虑非线性响应的“曲线—直线”校正方法,并给出了校正的计算公式.仿真实验结果说明此方法具有精度高,计算量小的优点,需要存储的参数少,易于硬件实现.     

氢激射器球形贮存泡的填充因子

本文推导了氢原子激射器球形贮存泡填充因子的普遍表达式。计算了谐振腔和贮存泡的尺寸分别取各种不同值情况下的填充因子,并画出了填充因子和贮存泡尺寸之间的关系曲线。     

一种屏幕图文高效压缩存储系统的实现

本文针对屏幕图文存储量不足问题,提出了一种新的压缩存储系统的原理和设计。新系统具有高压缩比和快运行速度。     

四元数神经网络模型的计算机模拟研究

用Ｄｉｒａｃ符号表示１６态四元数离散神经网络模型，用计算机模拟讨论了该模型的存贮容量和容错能力，与Ｈｏｐｆｉｅｌｄ模型对比，并进行了计算机１６值灰度或彩色图像识别模拟。     

光致漂白材料的激光三维信息高密度存储

光信息存储是目前数字化信息存储的主要手段，传统二维光信息存储中存在的不足限制了存储密度及存储容量的进一步提高。基于光致漂白材料的三维光信息存储机理，建立了共焦/双光子扫描荧光显微镜系统。采用一种新型光致漂白芴类衍生物ATFTBAr作为存储材料，利用飞秒激光实现了在该材料上的三维光信息存储和读取。存储层达到四层，每层间距和信息点间距分别达到了10 m 和8 m。对信息点进行了信号强度的识别和对比，详细分析了由于折射率失配所引起的信号串扰问题。研究表明，建立的实验系统和选用的存储材料能够较好地实现三维光信息存储。     

水煤浆技术在中国的开发与应用

简要介绍了水煤浆技术的制备、储运、燃烧技术,阐述了水煤浆技术在中国的应用及已具备的科研和开发能力,对水煤浆的应用前景进行了预测。     

微爆材料的飞秒激光三维光存储

飞秒激光三维光存储是实现高密度和超高密度光存储的重要方法之一。对一种新的微爆材料（以PMMA为基质掺杂Sm0.5Ce0.5（DBM）3Phen染料）的吸收光谱进行了测量和分析,以波长为514.5 nm的激光作为激光光源获得了激发前后的荧光光谱,以800 nm飞秒激光作为激发光源得到激发前后的电子旋转共振光谱特性,并分析了不同激光脉冲能量下存储数据点尺寸和存储点读出灰度值的变化情况,并实现了该材料的飞秒激光四层光信息存储,点间距为4 m,层间距为16 m,实验结果表明:这种材料可以很好地应用于三维光信息存储。     

基于SATA硬盘和FPGA的高速数据采集存储系统

为解决现有采集存储系统不能同时满足高速率采集,大容量脱机且长时间持续存储的问题,设计了一种基于SATA硬盘和FPGA的数据采集和存储方案。本设计由AD9627转换芯片,Altera Cyclone系列FPGA,JM20330串并转换双向桥接芯片完成硬件架构,由Verilog HDL语言编程实现软件架构,直接使用FPGA编程实现数据的多通道分配和磁盘阵列控制,分时处理A/D芯片采集到的高速率大容系量数据,再由串并转换芯片将目标数据存入串口SATA硬盘。实验结果表明,在150 MHZ的采样频率下,设计前端对中频10 MHz、带宽10 MHz的线性调频信号进行高速数据采集,设计后端能将采得的高速并行数据进行脱机、高速的大容量数据存储。与以往数据采集存储统相比较,基于FPGA的SATA硬盘数据采集存储技术,缩短了专用SATA硬盘控制器的开发周期,减轻了系统内部的存储压力,提升了数据的存储速度,安全性和强抗干扰性,实现了长时间、大容量的数据存储。     

基于130nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计

基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库.研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计.提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置.对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比.测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV ·cm2 ·mg_1的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm2·mg_1和99.8 MeV·cm2·mg_1两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁.结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力.