IGBT温度特性及其等效电路模拟

文章提出了一种基于子电路的IGBT模型，并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果。用SPICE的LEVEL_8模型，确保模拟的精确性和收敛性。模拟结果表明，无论PT型还是NPT型IGBT，其温度系数均可正可负，纠正了一种普遍的观点称为PT型IGBT，其温度系数可正可负而NPT型IGBT，其温度系数只为正。模拟结果与实验对比符合较好。     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证

提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压控制可变电阻模型等效IGBT的n-外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取,计算依据正确,物理意义明确.用该模型计算了IGBT的I-V特性、开关特性等,与实测符合较好,误差不超过8%,此结果比已报道的同类模型要好,且更为简单方便.     

新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证

提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压控制可变电阻模型等效IGBT的n- 外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取,计算依据正确,物理意义明确.用该模型计算了IGBT的I- V特性、开关特性等,与实测符合较好,误差不超过8% ,此结果比已报道的同类模型要好,且更为简单方便.     

SPICE 模拟中的收敛问题分析

电路模拟中最常遇到、最难解决的问题是电路收敛问题。本文在给出不收敛可能产生的耗因之后,着重分析和介绍了在直流模拟和瞬态模拟中解决收敛问题的方法。     

新型功率器件IGBT及其辐照效应

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０Ｖ ＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

新型功率器件IGBT研制

简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺。对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应了系统的研究，结合实际工艺对ＩＧＢＴ的版图及工艺进行了优化设计，合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。成功地制作了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

薄膜SOI／CMOS的SPICE电路模拟

鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，具具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型－－ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实用性，分析了器件参数对ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速率的影响，这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践。     

Novel IGBT SPICE Model with Non-destructive Parameter Extraction and Comparison with Measurements

A subcircuit-based model for the insulated gate bipolar transistor(IGBT) is proposed and optimized. The IGBT wide base conductivity modulated resistor is effectively equivalent by using a voltage controlled resistor. Based on analytical equation describing the semiconductor physics, the model parameters are extracted accurately via measured data without device destruction. Employing the MOS-level-8 SPICE model, the proposed IGBT subcircuit model gives more simulation accuracy and easy convergence, the simulation results are verified by comparison with measured results.     

基于SPICE的半实物模拟训练系统

为了提高半实物仿真模拟训练系统的操作真实程度,采用标准模块化设计的方法,将成熟的SPICE电路仿真技术集成到基于以太网的半实物模拟训练设备中,研制了某型地空导弹制导站模拟训练系统。该模拟训练系统读取外部实物元件操作,改变预设SPICE电路文件的参数,并将其作为SPICE仿真输入。由主控程序运行SPICE仿真程序,并将仿真的结果转化为外部实物元件的输出。系统可以对正常的操作进行模拟,也可以对故障状态进行模拟。     

非致冷红外焦平面阵列读出电路的设计和SPICE模拟

读出电路是非致冷红外焦平面阵列的核心部件之一,对电路进行SPICE模拟是验证电路的重要手段.针对近年来得到迅猛发展的微测辐射热计(VOx)非致冷红外焦平面阵列的特点,提出了相应CMOS读出电路的设计方案,并用PSpice 9.2给出了4×4 CMOS读出电路的实现和精确的模拟结果.模拟结果表明,该方案是适合微测辐射热计非致冷红外焦平面阵列读出电路一种较为理想的形式,同样也适合于大阵列(如160×120和320×240)的CMOS读出电路.     

基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究

通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒子翻转的模拟,讨论了器件模拟物理模型的选择,验证了理论分析的正确性,并对重离子撞击引起的瞬态电流过程进行分析.分析表明单粒子翻转存在两个放电阶段,第一阶段过量电子漂移扩散电流组成激增电流部分;第二阶段部分耗尽SOI器件寄生三极管放电机制以及过量空穴放电机制引起的缓慢电流放电＂尾部＂.结合激增电流的物理意义,提出合理的数学模型,推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的＂尾部＂电流,提出子电路模型,并基于SPICE三极管模型进行参数提取,着重讨论了单粒子翻转的敏感参数.最后给出了以反相器为例的SPICE模拟与TCAD模拟在瞬态电流,输出节点电荷收集,LET阈值的对比结果,验证了SPICE模型的合理性和精确性.     

Modelling mutual thermal interactions between power LEDs in SPICE

The paper concerns modelling an influence of self-heating and mutual thermal coupling on power LEDs characteristics. The electrothermal model of a power LED for SPICE software taking into account electric, thermal and optical properties of the considered devices, and particularly mutual thermal coupling between the devices situated on the common heat-sink, is presented. The method of estimating model parameters values is proposed and the method of measuring their own and mutual thermal resistance between power LEDs is described. Using the elaborated model the characteristics of selected diodes are calculated at different cooling conditions of the investigated LED. The obtained results of calculations are compared with the measurements results for a single diode, two diodes situated on the common heat-sink and a LED module.     

用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型

提出了一个用于ＳＰＩＣＥ模拟高频互连 应的ＰＣＬ互连电路模型,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型,对频率达１０００ＭＨｚ时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析,并指出了抑制互连效应的技术途径。     

开关电容现场可编程模拟阵列FPAA的频域SPICE仿真

根据C.F．KURTH和G．S.MOSCHYTZ的采用z域四口等效电路对开关电容网络进行双口分析的理论,以现场可编程模拟阵列FPAA实现的PID控制器为例,建立用于频域仿真的SPICE模型,从而方便地用SPICE软件对PID校正后的整个控制系统的稳定性进行仿真分析。     

VDMOS等效电路的SPICE模型

分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用SPICE软件对等效电路仿真,进行了直流分析和瞬态分析,得到等效电路的电学特性曲线图.仿真的结果与MEDICI器件模拟工具模拟结果相互比较,具有较好的一致性.