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介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率VDMOS器件、隔离技术及CMOS/VDMOS兼容工艺设计进行了详细分析,最后给出了实验结果。 相似文献
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飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为200V的功率MOS-FET器件。这种“硅MAX”器件采用沟槽MOS工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其100-200V的额定电压来源于DMOS功率MOSFET。这种新器件在开关型功率源,DC/DC转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率MOSFET的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小MOSFET单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互… 相似文献
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本文介绍一种智能功率集成电路(高边CMOS模拟开关)的隔离技术。对除开关管VDMOS管以外的器件采用自隔离技术,VDMOS管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁,采用浮阱技术来防止电路闭锁。 相似文献
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本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距,可以在小范围内调整nMOS管的阈值电压。这种双扩散nMOS器件结构,特别适合于制作单驱动器件的MOS功率集成电路。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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VDMOS场效应晶体管及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
VDMOS场效应晶体管是功率器件中的一种新兴器件,它的应用领域相当广泛,可以说绝大部分用三极管的地方都可以用VDMOS管取代。文章就VDMOS场效应晶体管的基本特性、应用基础等作了介绍;最后介绍了笔者应用过的几种典型VDMOS电路。 相似文献
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飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor)推出七种新型高压平面型MOSFET ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (SMPS)和DC/DC转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体TO 2 2 0封装 5 0 0VFQP18N 5 0V2为例 ,其FOM较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0VFQD18N2 0V2采用D PAK封装 ,其FOM (RDS(ON)… 相似文献
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为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100A/cm^2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率VDMOSFET,已研制出了漏源击穿电压大于200V,正常工作电源大于2A;自动保护保护过电流小于4A的器件。工艺完全与浣VDMOSFET一致;这种新颖VDMOSFET结构的应用能提高整机可靠性。 相似文献
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新的GHz级处理器要比前几 代需要更大的电流和更低的电压。由于Internet的急剧增长和对带宽的需求,促使功率器件要不断地满足DC-DC变换器具有更高的功率控制效率、功率密度和可靠性的要求。以下将讨论变换器的效率是如何立足于IC和MOSFET,而得以提高 3%以上性能的。新一代DC-DC空换器对 器件的要求 能提高DC-DC变换器效率的关键元器件、功率IC和MOSFET,可使变换器的性能指标有所改善。这些新产品现在已能为笔记本电脑中的下一代处理器和ASIC(专用集成电路)、服务器和宽带网络等提供电… 相似文献
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Berta F. Fernandez J. Hidalgo S. Godignon P. Rebollo J. Millan J. 《Electron Device Letters, IEEE》1991,12(9):465-467
A novel self-isolated low-voltage smart power technology, based on a conventional polysilicon-gate VDMOS process, has been developed for applications where cost is a crucial factor. The low mask count (eight) and the optimization of the VDMOS power device are the main process characteristics. Besides, different devices (high-voltage PMOS, low-voltage CMOS, vertical and lateral n-p-n bipolar transistors, diodes, Zeners, and high-value isolated capacitors) are also fabricated, all MOS transistors being self-aligned to the gate 相似文献
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Matsushita T. Mihara T. Ikeda H. Hirota M. Hirota Y. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1991,38(7):1576-1581
A novel type of intelligent power device (IPD), which is suitable for automotive monolithic high side switch with high current capability, is presented. An integration of a vertical-power DMOSFET and planar MOS IC devices is performed by the newly developed junction-isolation technique using only one epitaxial growth. The isolation voltage of 80 V has been obtained, which is large enough for automotive IPDs if they are protected against high voltage transients on the battery line. A rugged vertical DMOSFET (VDMOS) has also been developed for this IPD. It has a cellular Zener diode between its source and drain, which prevents the secondary breakdown of parasitic bipolar transistor, and the resulting avalanche capability enhancement is more than an order of magnitude. This VDMOS is used for both output power device and protection device for low-voltage MOS circuitry, which makes the IPD free from any transients in the automobile without the need for external protection 相似文献
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文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析,结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论,探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET器件导通电阻的途径。文中以实际VDMOSFET生产的引线孔刻蚀工艺为例,阐述了通过SOFT-ETCH工艺,改善接触孔表面损伤以达到降低VDMOSFET导通电阻的实现方法,通过详实的实验数据对比,证实SOFE-ETCH工艺对导通电阻的改良作用。 相似文献
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作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。 相似文献
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关于VDMOS栅源漏电问题的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
文章从VDMOS器件结构及工作原理入手,对VDMOS芯片生产的工艺控制难题——栅源漏电问题作了较全面的分析,描述了栅源漏电对器件的影响、常用的测试方法及问题发生的机理。以详实的理论依据和实际生产中的实验数据,归纳了影响VDMOS栅源漏电的因素及对应的工艺控制要点,总结了解决这一问题的思路及方法,供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一定了解的半导体技术工作者参考。 相似文献