半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ，并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明，空间生长的半绝缘ＧａＡｓ单晶的全面电性能均优于常规ＩＥＣ半绝缘ＧａＡｓ单晶。     

电力半导体器件的现状及发展趋势

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静，动态特性，目前水平，存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压，大电流，快速，高温器件的作用。     

改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶

本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.     

国际功率半导体器件与功率集成电路会议（ISPSD）介绍

国际功率半导体器件与功率集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，     

世界半导体器件市场发展动向

半导体市场历经连续三年不景气后,终于在1999年开始走出低谷。据Dataquest分析预测,1999年世界半导体市场将比上年增长13％。促进世界半导体市场复苏的积极因素:(1)行情挺翘的电子产品生产势头;(2)摆脱亚洲金融风暴袭击的亚洲太平洋地区半导体市场开始出现增长趋势;(3)半导     

电力半导体器件的最新发展动向

综述了电力半导体器件的最新发展动向,介绍了几种新型的电力半导体器件,指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。     

非掺SI—GaAs单晶热处理的研究

采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的科技司有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％，ＥＬ２ＲＳＤ≤５％，ＰＬ－Ｍａｐｐｉｎｇ≤９％。     

国外微波,毫米波半导体器件,单片集成电路的最新进展及其商业市场前景

简要叙述了国外微波、毫米波半导体器件的近期进展及一些新型器件的研制状况.介绍了正实施中的美国国防部MIMICⅡ阶段计划以及新近低嗓声和功率MMIC放大器的参数水平,并俯瞰了美国GaAs生产线的现状和进展.最后简要综述了国外GaAs MMIC商用市场的前景.     

半导体器件模拟技术的研究

主要介绍了半导体器件模拟中常用的HD模型与DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例，简要说明了如何在三角网络上离散化方程。同时，介绍了几种求解非线形方程组常用的数值方法。     

2～3英寸半绝缘LEC GaAs单晶特性分布研究

本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2～3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和经过整锭热处理晶体的特性分布规律,发现有的结果与国外报道的类似,有的结果至今未见报道;一些晶体经过热处理,均匀性有明显改善,但有的就变化不大。这表明,对于不同的原生晶体,可能需要采用不同的热处理条件,才能获得均匀的结果;另外,对所得结果进行了初步的分析和探讨,寻找了电学性质均匀性与晶体完整性的内在关系,为改善晶体的均匀性提供了有用的实验依据。     

电力半导体器件的最新发展动向

综述了电力半导体器件的最新发展动向,介绍了几种新型的电力半导体器件,指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

微波半导体器件国内外发展动态及应用（一）

本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.