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本文研究了BaO-TiO2-Nd2O3(BTN)系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂,获得了一系列中温热补偿独石电容器(MLC)陶瓷,实验结果证实:当Ti/Ba=1.003时,BTN系陶瓷的居里温度(Tc)随Nd2O3含量的增大而产生逐步漂移。用XRD确定了陶瓷的主晶相,SEM照片显示出晶粒尺寸对Nd^3+含量的依赖关系,分析了Ti/Ba比对陶瓷介电系数温度系数(ae)的影响。 相似文献
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从反铁电材料的储能特性出发,着重介绍了一类适合制作储能电容器的La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试,研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电-铁电相变。结果表明:La^3+掺杂Pb(Zr,Ti,Sn)O3反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备了[Pb,La)(Zr,Ti)O3]铁电薄膜。利用DTA-TG,XRD和SEM研究了[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]凝胶的分解、晶化过程[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜,应使用具有适当粘度的前体溶胶,这是通过控制其浓度和水解度来获得的。 相似文献
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化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷 总被引:2,自引:1,他引:1
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的四方→立方相转变温度(居里温度)、晶胞参数等一系列随Pb/Sr比变化的材料性质。 相似文献
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Ba(Ti,Sn)O3陶瓷的微观结构研究唐一文王仁卉戴明星(武汉大学物理系,武汉430072)近几年来,人们对居里点在室温附近的弛豫铁电体Ba(Ti,Sn)O3产生了兴趣。它的大的、几乎无滞后的电致伸缩效应[1],以及其优异的介电性能[2]具有良好的... 相似文献
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本文对(1-y)(Sr_1-xPbx)TiO_3·y(Bi_2O_3·3TiO_2)陶瓷材料在直流偏压下的介电性能进行了测量,发现此系统瓷料的偏压性能较好,并分析了陶瓷组分时偏压性能的影响,解释了所发现的实验现象。 相似文献
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研究了Cr2O3作为改性添加剂对(PbSm)(TiMn)O3系压电陶瓷介电及压电性能的影响.实验表明,添加适量的Cr2O3能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料,其kt=45%~50%,kt/kp=15~18,TCft3=-0.8~-6ppm/℃.因此,在研究、开发高性能压电材料过程中,Cr2O3不失为一种优良的改性材料. 相似文献
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采用X射线、SEM等分析手段,通过实验研究了以(Sr,Pb,Ca)TiO3复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中,Pb、Bi2O3·nTiO2含量(摩尔分数),n值大小及MnCO3添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Pb含量,可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料;Bi203·nTiO2含量及n值均存在优值;适量MnCO3作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化,室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εr=2000,tgδ≤0.005.试样|△C/C|≤10%,综合性能好的中高压瓷料。 相似文献
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Nd2O3掺杂BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷的介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在溶胶-凝胶法制备钛酸钡(BaZr0.2Ti0.8O3)超细粉体的过程中,使用液相掺杂的方式在溶胶过程中进行了稀土元素Nd的掺杂。掺杂摩尔分数为0、0.001、0.002、0.003、0.004和0.005。掺杂改性后的BaZr0.2Ti0.8O3粉体,通过X-射线衍射(XRD)测试,结果表明在摩尔分数为0.005以内的稀土Nd掺杂并未改变BaZr0.2Ti0.8O3的钙钛矿结构。粉体烧结的陶瓷介电性能得到较大的改善:介电常数由3 389提高到4 493,而介电损耗在60 Hz时由1.4%降低到0.35%。 相似文献
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研究了烧结温度、组成和稀土元素对(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Ln_(1/2))TiO_3(x=0.3、0.5(摩尔分数); Ln=La、Nd、Sm)微波介质陶瓷的晶体结构和微波介电性能的影响.X-射线衍射(XRD)分析表明,除(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Ln_(1/2))TiO_3(x=0.5,Ln=Nd)陶瓷中含有少量Nd_2Ti_2O_7外,其余陶瓷均形成了单一的正交钙钛矿相.x=0.5的样品微波介电性能明显优于相应的x=0.3的样品.(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Ln_(1/2))TiO_3(x=0.5)陶瓷微波介电性能:介电常数ε=160,品质因数与频率之积Qf =1 200 GHz,频率温度系数τ_f=-97×10~(-6)/℃(Ln=La);ε=129,Qf=2 000 GHz,τ_f=-52×10~(-6)/℃(Ln=Nd);ε=118,Qf=2 305 GHz,τ_f=-45×10~(-6)/℃(Ln=Sm). 相似文献
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研究了PbTiO3和Bi2Ti2O7复合掺杂对新型的具有中介电常数的Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷物相组成、介电性能和烧结温度的影响。结果表明,掺杂后的陶瓷材料主晶相仍为A2B2O7型烧绿石结构,未发现第二相,Bi3+和Pb2+共同占据Y3+所在的A位。Pb/Bi复合掺杂有效降低了陶瓷的烧结温度,当w(PbTiO3)=2%和w(Bi2Ti2O7)=8%时,烧结温度降低为1 260℃,且陶瓷具有较好的介电性能,即介电常数rε≈64,介质损耗tanδ≈3.6×10-3,品质因数与频率的乘积Q×f≈2 438 GHz。 相似文献
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以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yLuy)9.33Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33GHz时εr约为76,Q.f约为2532,τf为–42×10–6/℃;y<0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性。 相似文献
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采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150~1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10~90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。 相似文献
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高介电常数微波陶瓷材料的研究进展 总被引:11,自引:0,他引:11
叙述了BaO-Ln2O3-xTiO2系陶瓷的掺杂、添加烧结助剂和晶粒取向对其烧结温度和微波介电性能的影响。简述了(Pb1-xCax)(Fe0.5Nb0.5)O3系陶瓷的掺杂改性和低温烧结的研究进展。介绍了迄今为止εr最高的一类微波介质陶瓷CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系材料。提出了需要进一步思考和解决的问题。 相似文献