TiO2纳米棒的制备与结构表征

纳米TiO2是一种性能优异的半导体材料，对400～800nm范围内的可见光具有较强的反射能力，对紫外线的吸收能力也较强。所以，纳米TiO2在精细陶瓷、紫外线屏蔽材料、半导体材料、光催化材料等方面有着广泛的用途。制备TiO2纳米棒的方法很多，其中水热法制备出的粉体具有晶粒发育完整。     

薄晶硅太阳电池的研究进展

薄晶硅太阳电池减少硅材料厚度不仅能降低材料消耗和电池成本,还可以赋予其一定的柔韧性,拓展其在可穿戴设备、建筑光伏一体化等领域的潜在应用,成为目前太阳电池领域的研究热点。近年来的研究工作多集中在通过纳米图案化结构、等离激元效应等途径增强薄晶硅对太阳光,尤其是长波长太阳光的吸收,以弥补硅吸收层薄化后引起的吸光能力不足的问题。本文将侧重从图案化纳米结构、等离激元效应增强薄晶硅电池的光吸收性能、薄晶硅太阳电池电学性能的优化、新型薄晶硅太阳电池等方面,对薄晶硅太阳电池的发展现状进行阐述。     

透射电镜下纳米材料的操纵

纳米材料以其不同于体材料的优异性能和广阔的应用前景成为材料和物理学研究的热点。纳米材料的性能与其结构密切相关，例如纳米碳管，可以表现为半导体性或金属性。传统的测量手段只能分别得到结构和性能的信息，无法满足纳米材料研究的需要，而且，作为未来电子器件的基本构成单元，纳米材料的原位操控和测量对纳米材料的性能研究和进一步构造新型电子器件也是非常有益和必要的。     

山东大学半导体纳米复合发光材料器件研制成功

由山东大学蒋民华院士等承担的山东省科技攻关项目———纳米材料和器件的制备、表征及其应用,日前通过了山东省科技厅组织的技术鉴定。该课题首次利用多孔纳米固体研制出ZnO气敏传感器,成功解决了固扰传感器生产厂家多年的ZnO气敏传感器本征电阻过高和工作稳定性较差的问题。该项目研制的ⅢV族半导体纳米复合发光材料和氧化锌多孔纳米固体气敏传感器为国内外首创。山东大学半导体纳米复合发光材料器件研制成功@刘广荣     

卤水-碳酸钠法纳米氧化镁的微观形态

纳米氧化镁是随着纳米材料的发展而诞生的一种新型高功能精细无机材料，由于其具有不同于本体材料的热、光、电、力学和化学等特殊性能，而被广泛应用于高级陶瓷材料、电气绝缘材料、化妆品、香粉、油漆、橡胶填充剂、酸性气体吸附剂、催化剂载体等领域。     

我国首个纳米棒场效应晶体管研制成功

近日,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料（纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等）具有较常规材料更为优越的性能,在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景,引起了国际学术界的极大关注。     

纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系

近几年来，纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣。纳米硅量子线的成功合成［１，２］使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能。本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法，同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态。在本实...     

聚合物/纳米半导体电致发光

纳米半导体与聚合物复合形成的新型电致发光材料，在大规模平面显示和移动通信等现代信息显示方面具有广阔的应用前景。在这种复合型电致发光材料体系中，聚合物不仅可用作LED器件的粘接剂，而且在用作无机发光层的分散介质时，对纳米晶粒的表面可以起纯化作用，防止发光猝灭，从而通过控制和调节纳米晶粒的含量和尺寸来调节发光强度和波长。当采用共轭聚合物与纳米半导体形成复合体系时，还可以通过共轭聚合物与纳米半导体间的电子转移来调节发光层的电子结构及其发光性能。利用纳米半导体的高电荷输运性，也可以增强电致发光聚合物发光层的效率。     

半导体可饱和吸收镜运用于军用脉冲激光测距

摘要本文对激光测距系统中应用的几种主要波长脉冲光源的应用领域和特点进行了比较。介绍了一种国际上正在流行而国内还未发现有报道的实现固体激光器和光纤激光器被动锁模和调Q的新型半导体材料吸收体——半导体可饱和吸收镜。     

能捕获更多阳光的纳米柱

加利福尼亚大学伯克利分校的研究人员研制了一种拥有新型纳米结构的材料,其可以使太阳能电池和光探测器的成本变低。它能像商业薄膜太阳能电池一样吸收阳光,却使用更少的半导体材料。     

韩制可伸缩石墨烯晶体管克服传统半导体缺陷

据报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质。新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究报告发表在最近出版的《纳米快报》杂志上。     

稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展

稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

ZnS纳米带的显微结构分析

ZnS是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，可用于平板显示器，电致发光器件，红外窗口等材料，最近引起了研究者的普遍关注，便如纳米颗粒、纳米带、纳米线、纳米管及纳米电缆等。利用简单的热矿散方法，我们合成了几种带状纳米材料。众所周知，ZnS有两种典型结构：     

阳极氧化铝模板法制备纳米电子材料

阳极氧化铝模板具有容易制备、成本低、孔道分布均匀等特点,是制备形状高度均匀、有序纳米电子材料的理想无机模板。该模板法制得的金属、半导体和非金属纳米材料具有不同于母材的光、电、磁等特殊性能,在新型电子材料的开发方面具有广阔的应用前景。文中介绍了该模板的阳极氧化工艺、成膜机理以及不同的电解液、氧化电流、电压等因素对模板的纳米孔道生长的影响。分析了纳米材料的直流电沉积和交流电沉积的电化学机理和沉积速率的影响因素。     

业界快讯

沈文忠课题组研制出具有高电子迁移率的纳米硅薄膜据1987年Phys.R ev.报道,纳米硅薄膜(nc鄄Si∶H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料。中国科学(A辑)记载,沈文忠课题组早在1992年已正式研制出来,指出它是一种具有高电导性、室温电导率高达10-1Ω-1·cm-1     

工业用固体激光器的现状

最初的固体激光器是一种采用灯泵浦的脉的冲YAG激光器，可用于小型零件加工。随着高功率半导体激光(激光二极管：LD)泵浦的YAG激光器的出现，固体激光器得到了惊人的发展。目前盘形激光器和光纤激光器等新型固体激光器倍受市场的青睐。本文主要介绍固体激光器及其应用。     

提高深度剖析拉曼光谱的纵向分辨能力

使用适当似从理论上给出了共焦显微拉曼光谱仪的纵向仪器响应函数，针对相对薄（几个μm)的样品（诸如半导体薄膜材料）给出了一个简化的卷积模型，利用共焦显微拉曼光谱的深度剖析方法，研究了激光晶化后的非晶硅薄膜，并利用反卷积算法，提高了对薄膜纵向结构的分辨能力，发现了激光晶化产生的纳米微晶硅仅位于薄膜中间。     

激光溅射法生长的CdMnTe纳米晶体的法拉弟效应

较小尺寸的半导体结构是近来最为强化研究的固体介质。对这种结构的兴趣不仅由该材料的独特性质的基本研究引起，而且它们在光电子学和集成光学的应用中具有新的前景。小尺寸量子结构的一个类型是准零尺寸系统或量子点，其中准粒子的运动在三维的各维上都受到限制。扩散至电介质基质中的半导体纳米晶体可在高温玻璃合成［１］时、溶胶－凝胶工艺［２］或借助半导体材料或电介质的磁控管溅射［３］生长。作者曾对扩散至沸石和聚合物基质中的半磁性半导体ＣｄＭｎＴｅ和ＣｄＭｎＳｅ纳米晶体［４］、以及激光溅射的ＣｄＭｎＴｅ薄膜［５］进行…     

能够探测固体内部组成分布的光声图像法

日本理化学研究所激光科学研究小组成功地建立了一种“光声图像法”，它是采用三维显示和浓淡显示的方法，能够观察半导体激光材料、集成电路材料及光学材料等固体表层附近的内部组成分布情况。