新一代IGBT驱动产品—SEMiX^TM模块

新型SEMiXTM模块提供的功率容积密度几乎相当于62-mm模块的2倍。SEMiXTM首先推出了3种模块尺寸 :SEMiXTM2,SEMiXTM3和6单元SEMiXTM33。SEMiXTM系列是一种平台式设计 ,可提供适用于各种功率档的不同尺寸模块。SEMiXTM 产品采用600V,1200V和1700VIGBT3trench技术;其中1200V模块同     

与众不同的SKM系列IGBT功率模块

德国西门康公司生产的ＳＫＭ系列ＩＧＢＴ功率模块，不必使用ＲＣＤ吸收电路，并联时能自动均流，开关损耗不随温度正比地产加，ＳＯＡ曲线为矩形，并具有不必负压关断、短路电流自动抑制、正温度特性且没有寿命刹手特点。本文分析了ＳＫＭ系列ＩＧＢＴ功率模块的特点，并与其它型号ＩＧＢＴ进行了比较。     

用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块

带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。     

智能功率模块

IPM（智能功率模块,Intelligent Power Modules）是为满足应用及市场需求,IGBT芯片为主体,将这种芯片及其门极驱动、控制和过流、过压、过热、短路、欠压锁定等多种保护与故障检测电路混合集成于一体的大功率器件,模块结合适合于工业化、标准化生产,简化应用设计,提高系统性能与可靠性,在各种电力变换中起重要作用,正逐渐成这功率器件的主流产品。     

高压变频器中IGBT模块的选择及计算分析

本文阐述了目前变频器应用中常用的几种模块，如IGCT、IEGT、GTO、IGBT。通过计算分析比较，得出IGBT是目前性价比较好的器件。     

采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块

新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式；具有比现有产品更高的；占片热效率和电气效率，以及更高的健壮性和模块可靠性，同时兼容现有的设计，已成为最新模块开发的目标。     

一款高性能IGBT智能功率模块

基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停、高温空载快速启停、温升方面进行了对比试验分析。测试结果表明,采用自主开发IGBT芯片的IPM完全满足应用需求。该IPM在常温快速启停试验运行50 min后进行保护,保护时间比三菱公司IPM略长;在高温空载快速启停和温升方面,该IPM与三菱公司IPM无明显差异;在高温空载快速启停试验中,稳态下该IPM驱动器最高温度为105℃;温升试验中,采用该IPM驱动电机,电机温升为56℃。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

结构紧凑的SEMIX IGBT模块迎来新成员

2004年11月23日德国纽伦堡讯，新的紧凑型SEMiX 13 Sixpaek 200A IGBT功率模块采用经过验证的适用于PCB组装和电缆连接的无焊料连接技术。     

基于LabVIEW的IGBT模块测试系统设计与实现

针对IGBT模块测试现状,研究并设计了基于Lab VIEW的IGBT模块测试系统,它由平板电脑、数据采集模块、IGBT驱动与保护模块、通信与接口模块组成。能够完成对62mm封装、semix系列扁平封装及IHM封装IGBT模块电性能测试,并对测试数据进行记录、保存及打印。     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

功率IGBT模块可靠性研究

提出了一种根据功率IGBT模块实时特征量对IGBT缺陷程度进行评估的新方法。首先从IGBT模块的结构入手,分析了其失效机理及故障特征。然后对IGBT模块进行人为挑断键合线实验,对获得的实验数据进行灰色关联模型建模,以初步验证灰色关联度与缺陷程度的关系;并进一步进行了老化试验,提出了灰色关联预计模型,通过实验验证了预测模型的正确性。该文研究成果为IGBT模块在线可靠性预测提供了参考依据。     

PrimePACK^TM封装优化集成模块内的IGBT叠层可提高功率密度

本文讨论了最新PrimePACK^TM模块如何集成到现有的逆变器平台中,描述了包括控制和保护在内的逆变器模块的架构概念。该模块的机械特性允许对热管理进行优化,进而充分发挥IGBT输出电流能力,分析并比较了IGBT驱动的不同方案。最后,给出逆变器的测试结果。     

Overload robust IGBT design for SSCB application

This paper presents an optimised power semiconductor architecture based on the CIGBT approach to be used in solid-state circuit breaker (SSCB) applications where the conduction losses have to be as low as possible without compromising the forward voltage blocking capability. Indeed, a high overcurrent turn-off and short-circuit withstand capabilities have to be ensured. Starting from a standard NPT-IGBT design for switching applications, the results show that the proposed device, which is optimised by the application of the individual clustered concept, offers a reduction in conduction losses of 13%, without compromise on voltage blocking capability. An original design solution is implemented to further ensure short-circuit and overload turn-off capabilities at maximum ambient temperature and twice the nominal rated current.     

基于有限元仿真的IGBT混合模块的可靠性分析

集成化与微型化是当今电子信息产业发展的特点,其中电子元件的结温与热应力是影响其可靠性的重要因素。硅基IGBT和SiC基续流二极管组成的混合模块广泛应用于城市轨道交通等领域,其可靠性直接影响轨道交通车辆的运行性能。本文建立IGBT混合模块的仿真模型,随着各层材料厚度、焊料空洞大小和位置的变化,计算分析IGBT混合模块的温度与应变变化规律,对模块封装结构进行优化设计。将高热导率石墨烯应用在IGBT混合模块中,仿真分析应用位置不同对模块可靠性的影响,从而进一步优化混合模块的封装结构。通过仿真计算,优化后的IGBT混合模块可将最高结温降低近3℃,最大热应力下降超过30 MPa。     

大功率IGBT驱动电路的设计

大功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）在现代雷达发射机,特别是全固态调制器、高压开关电源中得到广泛应用。其驱动电路要求驱动能力强、保护迅速有效。介绍了互感器触发方式的大功率IGBT驱动电路的设计。该电路具有输出电阻低、电流增益高等优点,并具备快速过流检测和保护功能,解决了IGBT高低电位隔离以及多个IGBT同步驱动问题。实验表明,该驱动电路不仅满足设计要求,而且工作稳定可靠,通用性强,可广泛应用于全固态调制器和高压开关电源。     

IGBT故障状态测试

介绍了变频器用IGBT模块的种类及故障判断的测试方法     

大功率IGBT驱动电路设计与应用

绝缘栅型双极性晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)作为电力变换装置的核心器件,它的可靠稳定工作直接影响着系统的性能,这对IGBT的驱动电路提出了很高的要求。针对500kW光伏逆变器,基于该逆变器的结构拓扑和IGBT型号,给出了一种IGBT驱动电路的设计方案,研究了驱动电路和保护电路的主要设计原理和注意问题。最后,结合实际应用,给出了该驱动电路的驱动波形和逆变交流侧电流波形,分析和讨论了该驱动电路设计的可靠性与合理性。     

基于IGBT的直流充电机装置设计

基于目前电动汽车大功率充电装置的需求,提出了一种基于IGBT器件的直流充电机充电装置设计方案,并完成系统的软硬件设计。该系统的硬件部分架构设计主要是主回路部分以及控制系统部分,软件部分采用C语言进行编程,能够完成对其输出电压电流等信号的检测。实际应用表明,该系统达到了设计要求。