高阻带抑制有源声表面波滤波组件

介绍有源声表面波滤波组件的设计思路。报道最新研制的高性能滤波组件，其中心频率４０ＭＨｚ，３ｄＢ相对带宽０．８％，阻带抑制优于１００ｄＢ，矩形系数（Δｆ１００ｄＢ／Δｆ３ｄＢ）小于３，输入输出端口电压驻波比接近１。组件体积８５ｍｍ×３５ｍｍ×２４ｍｍ，重量小于１１５ｇ     

无绳电话用声表面波滤波器

本文讨论了研制的两种无绳电话机用声表面波滤波器，中心频率为４６．５７ＭＨｚ和４９．９ＭＨｚ；△ｆ＿（－３ｄＢ）＝１．７ＭＨＺ；插损≤１０ｄＢ；△ｆ＿（－４０ｄＢ）／△ｆ＿（－３ｄＢ）≤３．５；阻带抑制≤－４０ｄＢ。采用了低插损的三换能器结构。输入叉指换能器采用了波阵面均匀的孔径加权和相位加权，减小了变迹损耗。理论计算与实验结果一致。     

高频窄带声表面波滤波器

为满足温漂要求，同时避免驻波效应，利用剥离工艺在石英基片上制作了中心频率为１１２８ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２．８ＭＨｚ，插入损耗＞－１２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ的高频窄带声表面波滤波器。     

声表面波波导耦合双模谐振窄带滤波器

本文利用集总参数等效电路模型计算了声表面波波导耦合双模谐振窄带滤波器的频率响应。讨论了谐振器各设计参量对滤波器性能的影响。在Ｘ－１１２°ＹＬｉＴａＯ＿３基片上实验制作了中心频率１１４ＭＨｚ左右，Δｆ＿（－３ｄＢ）分别为７０ｋＨｚ和４０ｋＨｚ的二极和四极窄带滤波器。对二极滤波器，阻带抑制小于一３０ｄＢ；对四极滤波器，阻带抑制小于一５０ｄＢ；匹配后插损３ｄＢ。理论计算与实验结果一致。     

一种新型的声表面波窄带滤波器

在同一基片上平行放置三个相同的ＳＰＵＤＴ滤波器，这三个滤波器的中心距彼此相差λ／３。通过并联获得了在给定带宽下比一般滤波器更短的长度，并在匹配的条件下，具有更小的转换损耗和输入输出反射。报道了采用此方法制作的中心频率１００ＭＨｚ，３ｄＢ带宽０．５ＭＨｚ的滤波器，其插损为１５ｄＢ，长度仅为５．５ｍｍ。     

L,S波段高性能窄带有源滤波器的研制

本文研究了一种直接利用晶体管或场效应管来模拟高Ｑ值电感，并利用此电感来制作Ｌ波段和Ｓ波段窄带有源滤波器的方法。利用此方法制作了两个高性能的窄带有源带通滤波器：一个中心频率为２．３ＧＨｚ，其带宽为９０ＭＨｚ左右，带内插入损耗为０ｄＢ；一个中心频率在１．５ＧＨｚ左右，并且中心频率可调，其带宽为８０ＭＨｚ左右，带内有１０ｄＢ的增益     

DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。     

高温超导带通滤波器

本文报道用ＬａＡｌＯ２衬底ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在７７Ｋ测试，结果为：中心频率为８．９６ＧＨｚ，带内插入损耗为０．５４ｄＢ，带宽为５００ＭＨｚ。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。     

SH333小型化高增益中频放大器

３Ｈ３３３小型化高增益中频放大器是信息产业部电子第二十四研究所正向设计,并采用 ＳＭＴ技术进行工艺组装的微电路模块,具有低噪声、高增益、大动态、大封闭量和良好的选择性等特点。其主要作用是处理接收到的脉冲调制中频信号。 其主要技术指标：中心频率ｆ。：２９．８～３０．１ＭＨｚ,带宽 ＢＷ：３５． ９～６．２ ＭＨｚ,带内不平度Ａｖ：０． ３～０． ７ ｄＢ,带外衰减 ＳＳ：４３～４５ ｄＢ,总增益 Ａｖ：８０． ４～８４． ４ ｄＢ,噪声系数 ＮＦ：１． ２～１． ９ｄＢ,ＡＧＣ范围 ＭＡＧＣ：４８～５２ ｄＢ,封闭…     

一种宽带低损耗表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ远端带外抑制大于４５ｄＢ。