锗酸铋电光晶体的半波电压调控

提出了一种通过改变晶体切割方向,调控和提高锗酸铋晶体半波电压的方法,可以显著扩大光学电压传感器的测量范围。使用电光效应耦合波理论,分析了半波电压对晶体切割方向的依赖关系。晶体切割方向决定了锗酸铋晶体的通光方向和电场方向。分析结果表明,当晶体沿[-2-0.5,2-0.5,0]和[0.219,0.219,0.951]方向切割时,可使半波电压提高为标准切割方向的5倍;当晶体沿[0.140,0.275,0.951]和[2-0.5,2-0.5,0]方向切割时,半波电压可提高至12倍。讨论了光传播方向对半波电压的影响,锗酸铋晶体采用标准切割方向,光路角度偏移在0.05范围内时,半波电压的变化量小于0.06%。该半波电压调控方法同样适用于其它电光晶体。     

采用光波导调制器进行的光学双稳态和多稳态的研究

采用平面光波导电光调制器及简单的双光束干涉装置成功地进行了光学双稳态和多稳态的实验研究。光波导调制器是在自制的钛扩散铌酸埋平面光波导上蒸镀铝电极制成的。采取激光由调制器端面直接输入,由锗酸铋棱镜耦合输出的方式。实验中消除了锗酸铋晶体旋光性的影响。本文除了对光学双稳性进行了分析讨论外,还着重对不同形态的多稳实验回线进行了探讨。     

用于U波段高效放大的高锗掺铋光纤

掺铋(Bi)光纤由于其超宽带近红外发光性能引起了广泛关注,然而实现U波段高效放大的高锗(Ge)掺铋光纤在国内依然尚未研制成功,这是因为在掺铋光纤中实现高掺锗是一项极具挑战的工艺难点,同时如何实现Bi向Ge相关铋活性中心高效转化也是一个难题。基于改进的化学气相沉积技术,制备了一种纤芯GeO₂摩尔分数约为42%的高锗掺铋光纤。其吸收测试结果显示,在1650 nm处出现明显的Ge相关铋活性中心的吸收峰。通过单级放大系统表征了其放大性能,在1670 nm处实现了26.3 dB的最高增益,增益效率达0.165 dB/mW。     

BGO单晶生长中熔体的分区现象及对单晶生产的影响

本文描述了用提拉法生长闪烁、电光锗酸铋单晶时熔体的分区现象,分析了产生这种现象的原因,指出了它对单晶生长及晶体性能的影响,找到了解决的办法.     

锗酸铋单晶(Bi_4Ge_3O_(12))的缺陷观察与分析

我们用电阻加热从熔体中用垂直提拉法生长成功一种新型的闪烁锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))晶体。对晶体中的缺陷形成的原因用几种不同的试验进行了分析比较,缺陷可能是由于熔体组分过冷而形成的。     

声表面波速度的测量方法

组装了一套脉冲回波重叠法系统,测量了铌酸锂、钽酸锂,锗酸铋等晶体的声表面波延迟时间,声速,机电耦合系数和温度系数。在30兆赫的声同步频率下,测时精度达0.6毫微秒,用本文样品测量声表面波速度的相对误差最大值不超过5×10~(-4)。     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

高吸收锗硅酸盐掺铋光纤及其增益性能研究

目前基于掺铒光纤放大器（EDFA）的光纤通信骨干网络仅能有效利用C+L波段（1524～1625 nm）。在E+S波段,锗硅酸盐掺铋光纤可进一步扩展放大器的增益带宽,具有重要研究价值,但其过长的使用长度严重制约了其应用。报道了一种高吸收锗硅酸盐掺铋光纤,其使用长度得到大大缩短,同时具有高增益。基于前向泵浦结构测试了掺铋光纤的增益性能,泵浦功率和波长分别为367 mW和1310 nm,输入信号总功率为-20 dBm。结果表明,50 m长的光纤在1414～1479 nm实现了大于20 dB的增益,65 m长的光纤的增益在1450 nm处达到最大（33 dB）,单位长度增益系数达0.51 dB/m。研究结果证明了锗硅酸盐掺铋光纤在WDM光纤通信网络中的实际应用潜力。     

氧化碲单晶体和玻璃等的增透膜试验

由于声光器件研制工作的需要,我们在简单的条件下,对氧化碲(TeO_2)钼酸铅(PbMoO_4)锗酸铋(Bi_(12)GeO_(20))晶体、ZF-6玻璃的单层增透及K9玻璃的ZnS-MgF_2双层增透进行了试验,并获得了明显的效果.     

光折变晶体Bi12TiO20的折射率和光学均匀性的测量

本文报导光折变晶体Ｂｉ１２ＴｉＯ２０的折射率和光学均匀性的测量结果。     

吸收栅对光折变晶体钛酸铋中两波混合能量转移的影响

基于钛酸铋晶体的吸收系数依赖于入射光强,考虑吸收栅对它的两波混合能量转移的影响,在某些近似条件下,推导出稳态两波耦合作用的表达式,与实验结果作了比较。测量了纯吸收栅的增益,给出结果。     

Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介电陶瓷的研究

研究了Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0～1)陶瓷微波性能,并对其微观机理和晶体结构进行分析.随Bi_2O_3含量的增加,系统介电常数(ε)迅速增大,品质因数与频率的乘积(Q·f)逐渐减小.掺入Bi_2O_3后,系统中出现具有高ε的Bi_4Ti_3O_(12)晶相,并形成了类填满型钨青铜结构,阳离子极化增强,因此ε随Bi_2O_3含量的增加而增大.实验表明,当y=0.25～0.3时,Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x =0～1) 陶瓷具有优良的微波介电性能,其主要工艺条件和性能参数为烧结温度1 200 ℃保温4 h,ε≈102～107,Q·f≈20 000～22 000 GHz(1 GHz测量), 容量温度系数|αc|<10×10~(-6)/℃.     

Research on the Shrinking of 2—components Adhesive with Automatically Calculating Hologram

In this paper ,used BSO(Bi12SiO20) crystal as a hologram recording material,TV-camera as a detector ,and a holographic setup controlled by a computer ,automatically calculating hologram of 3- interferograms method is theoretically and experimentally studied. This new holographic recording material and automatically calculating hologram make it possible to use real-time holography in an industry. As a practical example, the shrinking of 2-components adhesive in 4h is measured.     

用于电力系统高压测量的光纤电压传感器

介绍了用于电力系统高压测量的光纤电压传感器的原理、结构和主要特性等。这种传感器利用 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的横向电光效应,具有较高的测量精度和温度稳定性。     

Bi_(12)SiO_(24)晶体用于光并行逻辑运算时输出质量及写入灵敏度的分析

以 Bi_(12)SiO_(24)晶体制成的实时器件 BSO-PROM 可用于光并行逻辑运算。本文分析了影响其输出对比度、实际分辨率及写入灵敏度的因素;并给出了获得高对此度、高灵敏度应满足的条件。     

Si基Bi_4Ti_3O_(12)薄膜电滞回线及铁电性能的研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。     

Sol-Gel法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,且表面平整致密.对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的电学性能进行了研究.结果表明,室温下,在测试频率1 MHz时,其介电常数为213,介电损耗为0.085;在测试电压为350 kV/cm,其剩余极化值、矫顽场强分别为39.1 μC/cm~2、160.5 kV/cm;表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.     

铁电材料Bi4Ti3O12及应用

叙述了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２材料的结构、性质和制备方法，并对Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电薄膜的研究现状和应用前景作了简单分析。     

新型无铅压电陶瓷BNKT-BiFeO_3的研究

采用传统陶瓷制备法制备了一种新型无铅压电陶瓷(1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)TiO_3-xBiFeO_3(BNKT-BFx).研究了Bi基铁电体BiFeO_3对BNKT-BFx陶瓷晶体结构、显微组织和压电性能的影响.结果表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体,陶瓷的准同型相界位于x=0～0.05.BiFe_O3促进陶瓷致密化和晶粒生长,在准同型相界成分附近压电性能达到最大值:d_(33)=171 pC/N,k_p=0.366.