微密封真空微电子二极管阵列

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结果。     

真空微电子器件

最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和苏联等国家的注意,并且积极地进行着这种新型器件的研究.1986年12月美国宣布制成了第一支真空FET.     

圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间的计算

从拉普拉斯（Laplace）方程和电子渡越时间的定义出发,推导出了圆柱面和球面真空微电子二极管内的电子渡越时间关系式。引入了等效真空微电子二极管的概念,进一步估算了真空微电子三极管内的典型电子渡越时间。     

场发射真空微电子二极管结构与性能关系研究

本文讨论了场发射真空微电子二极管的工作原理与结构性能关系     

真空微电子二极管及微位移传感器的研究

首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流——位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4nm 的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

真空微电子平板摄像

本介绍了真空微电子平板摄像器件的物理模型,它较之真空摄像器件、固体摄像器件相比具有的优点。     

真空微电子技术的新进展

本文详实介绍了真空微电子技术最近几年的发展动向并对其在若干领域的应用前景作了分析与讨论.     

真空微二极管发射特性的解析解

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．     

一代前景诱人的新型器件——真空微电子管

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。     

亚微米门极孔直径真空微电子器件

本文介绍了一种亚微米门极孔径真空微电子器件工艺和初步实验测试结果。     

真空微电子器件的特点及新制造技术

本文介绍真空微电子器件的特点和最近开发出来的新制造技术。     

真空微电子器件的场发射理论计算模型

本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；依此模型对Ｓｐｉｎｄｔ阴极的计算结果与实验符合很好     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。     

一种新型真空微电子压力传感器的研制

采用各向异性腐蚀与各向同性腐蚀相结合的技术和特殊的硅-硅键合技术,成功地研制出了一种新型真空微电子压力传感器。测试分析结果表明,该传感器反向击穿电压达到100V;在加3V正向电压时,其单个锥尖发射电流为0.2nA;在25-100g的压力范围内与输出电压呈线性关系,灵敏度为0.1μA/g。