18—20GHz体声波微波延迟线

给出了利用换能器旁瓣响应得到的体声波微波延迟线在１８－２０ＧＨｚ频率范围内的频域及时域性能，其最小插入损耗为８３ｄＢ，延迟时间２００ｎｓ，并对器件插入损耗进行了分析。     

新型高压脉冲体声波延迟线的设计

该文通过对换能器和延迟介质的优化设计,实现了一种新型高压脉冲体声波延迟线的研制。相比传统的声波延迟线,设计的延迟线具有高脉冲耐压性能,耐压高达2 kV;同时,其延迟线插损小,输出功率较大（瞬态可达2 W）,可充当新型无源功率MOS管驱动器,无需额外能量供给。试验表明设计的延迟线在大电流放电干扰情况下具有高延迟稳定性。     

超宽带固态体声波储频器

该固态体声波储频系统将体声波延迟器件用于储频，利用双环储频方案降低了模拟储频器对环内器件频响特性的要求，实现了超宽带的长时间储频而且有效地降低了系统的调试难度，提高了可生产性。利用频段折叠，覆盖了２．２－１７．８ＧＨＺ的超宽频带范围，２微波混合集成技术，大幅度地减小了整个储频系统的体积、重量，提高了可靠性和电磁兼容性。     

体声波滤波器的电磁-热耦合仿真方法

为了快速有效地得到体声波(BAW)滤波器在给定功率水平下的3D温度分布,提出一种电磁-热耦合仿真方法。首先搭建BAW滤波器的热仿真模型,并设置电磁-热耦合求解方式;然后由热仿真模型生成BAW滤波器的电磁模型,以提取BAW滤波器电磁模型中的导体损耗。最后以提取的损耗作为热仿真的热源,并由电磁-热耦合仿真得到滤波器的3D温度分布。仿真结果表明,在输入功率为1 W时,该BAW滤波器的7只谐振器中,第一只串联谐振器和第一只并联谐振器分别为最热的串联谐振器和最热的并联谐振器;滤波器案例中的热点温度为81.472℃,出现在第一只并联谐振器的顶电极中;冷点温度为49℃,出现在第三只并联谐振器的压电层中。     

特殊电磁屏蔽体屏蔽效能的比例模型测试法

大型、微小型两类特殊屏蔽体的屏蔽效能难以测试,为此提出一种基于比例模型的屏蔽效能等效测试方法,推导了原模型和比例模型各参数的约束关系,建立了两个模型屏蔽效能的转换关系。大型、微小型屏蔽体的屏蔽效能可利用常规测试方法和测试仪器测量比例模型后转换得到。两个典型屏蔽体的仿真验证结果表明,原模型、比例模型屏蔽效能的最大偏差小于1 dB,原模型在频率f处的屏蔽效能等于比例模型在频率f/n处的屏蔽效能(n为比例因子),基于比例模型的等效测试方法是正确有效的。该方法可以降低大型屏蔽体屏蔽效能测试成本,有效缓解微小型屏蔽体空间狭小引起的屏蔽效能测试困难,为两类屏蔽体屏蔽效能的准确测试提供了一种便利的方法。     

倍频程宽带声体波微波延迟线

报道了采用ZnO压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率2～6GHz，延时0．2μs，插入损耗波动≤6dB．     

怎样做好电磁屏蔽

电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重要手段之一。大部分电磁兼容问题都可以通过电磁屏蔽来解决。用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作,因此不需要对电路做任何修改。     

薄膜体声波谐振器的电磁兼容性分析

随着薄膜体声波谐振器(FBAR)工作频率及FBAR器件集成度的不断提高,FBAR器件的电磁干扰问题显得尤为突出。常用电学模型和有限元模型都假定FBAR中的电磁场为无源准静态场,无法仿真模型的相关电磁特性。使用HFSS高频电磁仿真软件建立了FBAR的三维电磁仿真模型,采用一个包含声场特性的等效介电常数,实现了FBAR电磁场分布、电磁场耦合与压电效应的一体化仿真。分析了高频电磁场分布及电磁场耦合对谐振特性的影响,通过优化FBAR与临近元件的间距及采用不同介电常数的基板材料,减小了电磁场耦合的干扰。     

C波段超短延时声体波延迟线

叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率４．２ＧＨｚ，延迟时间分别为５０ｎｓ和７０ｎｓ的器件。直通隔离度达８０ｄＢ和三次抑制大于１８ｄ     

声体波延迟线在电子战中的应用

讨论了用声体波延迟线实现准相干诱饵的一种方式,阐述了其对声体波延迟线的参数要求。     

基于声表面波技术的微波程控延迟线

国际通用的无线电高度计频段在4．3GHz，高度计校准和相应的目标模拟一般都采用同轴电缆延迟线或声体波微波延迟线。通过方案的对比，介绍了一种利用声表面波高频延迟线进行程控级联，并采用电路上下变频使其工作在微波频段上的微波程控延迟线，经过理论与实验分析，给出了测试结果，为SAWDL的应用提供了新的思路。     

高性能C波段声体波微波延迟线

通过优化换能器拓扑结构和匹配网络设计,研制出f0=4.3 GHz,Δf-3 dB≥200 MHz,Δt=0.358μs的C波段声体微波延迟线。该产品的插入损耗约为-22 dB,直通抑制大于40 dB,三次渡越抑制大于28 dB,回波损耗约为-16 dB,产品综合性能指标优于国外同类产品。     

声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究

采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3~-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。     

K波段BAW器件技术研究

通过优化高频换能器设计、极薄压电薄膜制备等技术,试制出了K波段BAW延迟线样品。其工作中心频率为23.8 GHz,插入损耗为51.9 dB,带宽为1 122 MHz,延迟时间为299 ns,直通抑制为29 dB,3次渡越抑制为40 dB。     

某电磁屏蔽方舱的优化设计

介绍方舱舱体的屏蔽要求、屏蔽原理、屏蔽效能的测试及计算方法,对某电磁屏蔽方舱进行了测试,针对方舱的门屏蔽效能不足的问题进行了详细的分析,并提出改进建议,比对改进前后的测试结果,提出进一步优化设计的设想.     

高频电磁防护织物屏蔽效能研究

由于非实心屏蔽体经常替代金属板进行电磁辐射的屏蔽和防护,文中基于电磁兼容理论和电磁分析的数值算法,从理论和仿真两方面对金属网格结构的远场屏蔽效果进行了分析。针对孔径宽度l、金属丝直径d和四边形的顶角θ的3个变量对屏蔽效能的影响问题进行研究,首先运用电磁仿真软件Hobbies进行建模和仿真计算,而后通过经验公式计算出不同网格尺寸对应的SE值,将仿真与估算的结果进行比对,得出结论。     

一种新型电磁屏蔽复合涂料的研制

以镀锡镍硅酸钙镁矿物晶须与镍粉为复合填料,以环氧树脂作为粘结剂,按照涂料制备的方法,研制了一种新型电磁波屏蔽复合材料——镀锡镍硅酸钙镁矿物晶须／镍粉／环氧树脂电磁波屏蔽复合材料,并介绍了其主要特点及市场前景。测试结果表明：在300kHz～1．5GHz范围内,其屏蔽效能为37．197～46．139dB。