电子束直接曝光机简介

电子束直接曝光机简介郑国强（甘肃平凉市电子部第４５研究所，７４４０００）１引言电子束曝光技术是集光、机、电、计算机和超高真空技术为一体的综合性技术，它可以把亚微米工艺的集成电路和器件图形直接光刻在Ｓｉ和ＧａＡｓ等圆片上。电子束直接曝光设备在军事微电子...     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。     

缩小投影电子束曝光机的调试技术

详细介绍了在透射电镜上进行缩小投影电子束曝光技术原理性实验的主要调试过程。它充分利用了透射电镜本身的功能与特点。整个调试方法不仅可获得高分辨率图形，而且为下一步的研究工作提供了比较好的工作参数。     

DJ—2可变矩形电子束曝光机

电子束曝光机用于制造超大规模集成电路掩模版。它由电子光学柱、工件台、图形发生器、计算机及控制系统组成。可变矩形电子束曝光机,具有生产效率高,图形产生灵活等优点。束斑形状的变化是通过投影两个方光栏的象来实现的,用静电偏转的方法把第一方光栏的象相对于第二方光栏移动,两者重合组成的矩形象经缩小并投身到工件台上得到一个可变的矩形束斑。     

DY—5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型微米电子束曝光机的主要技术性能；最细特征线宽０．４μｍ，图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ＾２和２×２ｍｍ＾２；最高扫描速度１ＭＨｚ，可加工１００×１００ｍｍ＾２掩模版或Х７５硅圆片，给出了部分曝光试验结果。     

BG-401型高分辨率接触式曝光机

ＢＧ－４０１型高分辨率接触式曝光机＠董同社￥电子工业部第四十五研究所ＢＧ－４０１型高分辨率接触式曝光机董同社（电子工业部第四十五研究所甘肃平凉７４４０００）１用途与性能ＢＧ－４０１型高分辨率接触式曝光机是由电子工业部第４５研究所新近研制的一种曝光设备，该机...     

电子束曝光机图形处理系统

本文针对现有电子束曝光机在图形处理过程中存在的一些问题，提出了以辅配微机来增强原机处理能力的方法。对曝光机的图形处理过程及异机通讯等问题作了较详细的介绍。     

影响电子束曝光机加工微细化的因素

结合实际工作,分析、探讨了影响电子束曝光机加工微细化的因素。这些因素主要有:抗蚀剂材料、电子束本身、电子束曝光机控制线路、器件结构和电子束工艺等。在诸影响因素中,工艺的影响是目前一个较大且较主要的影响因素,其次是背散射电子束的影响,对后者,我们采用辅助曝光方法加以改善,效果良好。但对工艺等的影响因素的改善尚待继续研究、摸索。     

纳米电子束曝光

JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究 ,得到了分辨率为 30 nm的图形 ,图形的套刻精度也优于 4 0 nm.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率为30nm的图形,图形的套刻精度也优于40nm.     

电子束曝光中电子散射模型的优化

提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.     

电子束光刻制造软刻蚀用母板的研究

使用通用电子束曝光机,采用一种新的电子束微三维加工的重复增量扫描方式进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的微三维结构,以此为制作弹性印章的母模板,经硅烷化后可用来制作弹性印章,得到弹性印章后便可再利用软刻蚀相关技术进行微图形的复制.曝光实验的结论表明采用电子束重复增量扫描方式可用来制作微三维弹性印章的母版.     

DY2001A型电子束曝光机软件系统设计

DY2001A型电子束曝光机是作为实用化的小型曝光系统而研制的。从设计角度详细阐述了DY2001A型电子束曝光机软件系统的构成，包括数据转换、对准校正套刻、硬件系统控制、曝光控制及数据建立和管理。     

电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。     

电子束曝光的Morte Carlo模拟

建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型，运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程，研究不同曝光条件对沉积能密度的影响，获得的沉积能分布规律是：有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层，提高曝光分辩率。     

亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构

介绍了亚微米电子束曝光机光路与结构设计，该电子光学系统采用透镜内偏转设计，系统象差小，偏转灵敏度高，工件面上电流密度大，通过调试和使用，电子束流、最小电子束斑直径等主要设计指标均达要求。     

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。     

Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹

建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型 ,利用 Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟 .低能电子弹性散射采用较严格的 Mott截面描述 ,为了节约机时 ,利用查表与线性插值方法获得 Mott截面值 ;低能电子非弹性散射能量损失采用 Joy修正的 Bethe公式计算 ,并对其加以改进 ,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念 ,利用线性插值方法给出光刻胶 PMMA对应的 k值 .对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法 .在此基础上运用 Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在 PMMA-衬底中的复杂散射过程 .