中红外薄膜的离子辅助淀积

本文研究了用离子束辅助淀积的中红外ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＹｂＦ３，ＢａＦ２，ＢａＦ２＋ＣａＦ２（６：４）膜在３．８μｍ波长处光学特履和其它性能，用透射电镜和光电子能谱仪研究了这些单层膜微结构和化学计量比。实验发现离子束辅助淀积膜层填充密度增加，附着力增强，机械强和环境稳定性得到明显改善。用离子束辅助淀积的中红外反射膜在３．８μｍ波长反射率大于０．９９４。     

在锗基底上采用离子辅助淀积的宽带减反射膜

在220℃温度的锗基底上,采用或未采用离子辅助淀积片镀制了五种宽带减反射膜.在这些膜上进行1.06μm波长、0.1μm脉冲的激光损伤阈值的测量.在氩离子轰击下淀积的锗膜显示出较高的激光损伤阈值,所以,锗基底上的减反射膜具有更强的牢固度.     

空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .     

808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺

用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高．对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法．     

离子束溅射氧化物薄膜的中红外特性

以离子束溅射沉积(IBSD)方法制备了Al2O3、Nb2O5单层膜,用红外可变角度光谱椭圆偏振仪(IR-VASE)测试了薄膜的光学常数。用原子力显微镜(AFM)测量了单层膜的表面形貌及表面粗糙度,计算了单个表面的总积分散射(TIS)。以Nb2O5和Al2O3为高低折射率材料设计并制备了2.7μm高反射膜。最后对单层膜进行了环境实验检测。结果表明,制备的薄膜在中红外波段具有高的折射率和低的消光系数,光滑的表面特性和极低的表面散射损耗;在2.7μm波段没有发现由于水吸收导致的消光系数的增大;制备的反射膜在2.7μm反射率达到了99.63%,接近于理论计算值。薄膜顺利通过了一系列环境实验,显示其优良的环境稳定性。     

CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究

用Ar^ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低浊沉积生长。用X射线光电子能谱（XPS）分析技术对溅射沉积C dTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明：溅射沉积CdT e薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到有元素（Cd、Te)沉积存在。     

辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8,16,18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统,该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内,具有良好的低能特性和束流分布均匀性,可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。     

光纤激光器相关的薄膜设计

文章介绍了两种应用于光纤激光器的薄膜类型,分别为长波通和短波通截止滤光膜。光纤激光器用薄膜的显著特点,就是在具有较高的激光损伤阈值的同时,又能把近波长的光线按照光谱特性要求分离,这其中就包括泵浦光波长（980nm）和信号光波长（1050～1100nm）。     

反应溅射中的溅射产额研究

分析了溅射阔产频的影响因素，并建立了产额模型。该模型能反映各种宏观工艺参数，便于工程应用。对钛靶的计算结果表明与实验结果相符。     

光学薄膜反应离子镀技术研究

光学薄膜反应离子镀技术是近年来新发展的一种光学薄膜技术。本文介绍了光学薄膜反应离子镀设备的研制，在此设备上成功地制备了ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３光学薄膜，测出其折射率接近或达到同种块状材料的折射率；并对ＴｉＯ，ＳｉＯ２单层膜的成份及价态作了Ｘ光电子能谱分析。     

离子束增强沉积AlN薄膜的研究

利用离子束增强沉积9IBED）法成功地在Si(100）衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜。XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N／Al分别为0.402:1和0.250:1。SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并助在0.05nm/s的速率下制得的薄均匀致密,表面电阻高于10^8Ω,性能良好,而当蒸发速率≥0.25nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长。     

双向四电子束泵浦KrF主放大器能量沉积

用三维电子输运Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ（ＭＣ）方法研究了双向四电子束泵浦ＫｒＦ准分子激光器ＭＯＰＡ系统中主放大器（Ｈ１Ｍ）的能量沉积空间分布。计入了Ｈｉｂａｃｈｉ结构和主膜的影响。对０．５ＭｅＶ的电子，泵浦方向能量沉积基本均匀，而在轴向，因为两窗口间的１４ｃｍ“死区”使得能量沉积呈“马鞍形”，峰谷比为２～３。给出了能量沉积的总量及能量沉积效率与电子束能的关系曲线，为Ｍａｒｘ发生器的二极管电压进行优化设计提供了依据。