声表面波后工序环节对器件可靠性影响的研究

报道了声表面波（SAW）后工艺环节对基片粘接剂的固化程度、不同制作条件、不同封帽环境制作的滤波器，通过在高温、负温以及高温加速老化后的器件性能变化，来研究SAW器件的可靠性。结果表明：器件的插入损耗随老化时间逐渐增加；器件插入损耗的稳定性明显依赖于封装的湿度和器件表面的状态；器件的气密性随老化时间，器件的老化会更明显。结论是：器件必须要在清洁（净化）的环境中制作，清洁的器件表面第一重要；干燥的封装是器件性能稳定的重要条件；器件、组件老化到一定程度后，将不会有较大的性能变坏现象出现。这些研究成果，对防止或控制高性能器件失效、提高SAW器件可靠性将具有指导意义。     

新型平板辉光显示器件

新型平板辉光显示器件李维諟，周云仙辉光显示器件是一种发展较早的显示器件，但是几十年来，特别是近２０年来，新一代显示器件的出现，该器件已处于被淘汰的边缘。在长期生产实践和对各种显示器件的了解、与用户的交流中感到：辉光显示器件的亮度高、生产成本低、高电压...     

电平变换器SN74CBT×3384的特性及应用

降低电源电压可以大大减小器件的动态功耗，因此近年来电子系统中大量应用３．３－Ｖ器件。在某些情况下，必须进行电平转换，才能与５－Ｖ器件联合使用。本文详细论述了电平转换器ＳＮ７４ＣＢＴ×３３８４的组成原理及特性，并根据不同器件的电平转换标准，具体讨论了５－Ｖ器件与３．３－Ｖ器件之间的各种电平转换方法。     

一种室分无源互调干扰快速定位的方法

通过“无源器件高干扰小区判别方法”找到无源器件互调值不达标导致的高干扰小区，再借助无源互调故障定位仪现场快速定位室分互调故障点，用满足高性能器件挑选标准的高性能器件进行故障点替换。创新性地实现了对室分无源器件的监控，有效提高室分网元监控的深度和广度，进一步提升室分设备故障发现能力。通过无源器件监控系统，实现了室分无源器件自动的、实时的告警上报，实现了室分无源器件的远程监控。通过经济效益分析，具有较大盈利空间，能为企业带来较好的经济效益。     

TAB器件的电特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模型，模拟了ＴＡＢ器件的延时特性；并分析了ＴＡＢ器件的热特性。     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性．测试表明：在室温下，RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm．这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础．     

受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究

界面态引起的器件特性的退化是深亚微米微米器件失效的一个重要因素，本文基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的槽机和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退化进行了分析，研究结果表明同样浓度的界面态浓度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件，且P型受主型界面态度对器件特性的影响也远大于N型界面态，沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化不同。     

数字信息时代的显示器件

本文简要介绍了目前显示器件的技术发展特点。随着数字信息技术的迅速发展，显示器件已经呈现出向越来越小和越来越大的两个不同应用方向。因此，无论是适用于手机和PDA的小型显示器件，还是适用于壁挂影视图像的大型显示器件，都对当今的电子显示器件提出不同的技术要求。本文通过对技术特征的分析和比较，探讨了显示器件的未来发展趋势。     

GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究

为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。     

沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

利用ISE DESSIS器件模拟工具，模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性，分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构，在器件加工过程中，特别是在封装过程中极易受损，大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后，加上一层封盖保护，可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，实验证明此方法简单实用，效果良好。该技术与器件制造工艺兼容，键合温度低，有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中。     

纳电子器件

随着电子器件的小型化，器件的尺寸已经到了介观尺寸，传统的器件日益接近其物理机理的禁区，一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点，介绍了几种典型的纳电子器件，并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件，量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应。     

光纤陀螺用集成光学多功能芯片的研制

介绍了采用铁（Ti）扩散技术制作的集成光学多功能器件，主要用于光纤陀螺系统，实现分束、调制和偏振功能。分析了器件的工作原理、特性和制作工艺特点，介绍了器件的结构、制作方法、工艺参数以及器件的性能指标和测试方法。器件调制半波电压为4．2V，插入损耗为6．15dB，分束比优于±1％。     

新型双注入结型场效应器件

本文提出一种新型双注入结型场效应晶体管（BJFET）器件构思，并说明其工作原理。这种器件兼有双极型器件和结型场效应器件的特点，即有两种载流子参与导电，导电能力受电压控制，具有较大的电流容量和输入电阻。     

微机械惯性器件

微电子加工技术和振动惯性技术相结合使惯性仪表技术发生了重大变革，惯性器件的概念已从宏观领域发展到微观世界，人们已能象生产集成电路那样来生产惯性器件，这类惯性器件被称为微机械惯性器件。文章叙述了微机械惯性器件的发展状况、技术趋势及市场预测。     

可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性

提出了一种可变低κ（相对介电常数）介质层（variable low κ dielectric layer，VLkD）SOI高压器件新结构，该结构的埋层由可变κ的不同介质组成。基于电位移连续性原理，利用低κ提高埋层纵向电场和器件纵向耐压，并在此基础上提出SOI的介质场增强原理，基于不同κ的埋层对表面电场的调制作用，使器件横向耐压提高，并给出VLkD SOI的RESURF判据，借助2D器件仿真研究了击穿特性与VLkD SOI器件结构参数之间的关系，结果表明，对κμ=2，κIH=3．9，漂移区厚2μm，埋层厚1μm的VLkD器件，埋层电场和器件耐压分别达248V／μm和295V，比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高了93％和64％。     

击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小，且器件尺寸不增加，不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

聚合物电致发光器件的研究

制备了以聚为发光层物质的电致发光器件，研究了器件的发光性能，并对器件的电流－电压、高度－电压特性进行了研究。器件发光密度受偏置电压的影响。起亮电压为１２Ｖ，器件寿命达５ｈ。     

雷曼光电推出新型高对比度户内全彩显示屏3528SMD器件新产品

2011年2月16日，LED高端显示器件的国内龙头企业雷曼光电率先发布了一款高对比度、低功耗的户内全彩显示屏SMD器件新产品。型号为LS-BTFP—HBC的这款户内全彩3528SMD器件，内置红、绿、蓝三颗芯片，器件所用支架材料为完全黑色新型有机材料，发光碗杯为白色，