调整有机层厚度制作高效率的电致蓝光器件

介绍利用优化有机膜厚度的方法,制作了发光效率较高的有机电致蓝光器件.器件的结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al,当2T-NATA,NPB,DPVBi,TPBi,Alq3,LiF的厚度分别为15 nm,10nm,20 nm,15 nm,25 nm,0.6 nm时,器件的性能最好.在电压为12 V,电流密度为537 mA/cm2时·亮度达到最大为13 540 cd/m2.在电压为7 V,电流密度为22 mA/cm2时,器件的最大电流效率为4.48 cd/A.且器件的开启电压较低,在4 V工作电压下,亮度达到4.82 cd/m2.电压在5～12 V的范围内,发光色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.17,y=0.16附近,处于蓝光中心区域.     

空穴传输层NPBX厚度对白光OLED性能的影响

讨论了空穴传输层材料NPBX厚度对白光有机电致发光器件(OLED)性能的影响.采用了ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Rubrene/DPVBi/Rubrene/Alq3/LiF/Al的多层结构器件.在这种多层结构的器件中,其他材料的厚度保持不变,使NPBX的厚度按10、15、20、25 nm的规律改变.当NPBX厚度为15 am时,器件性能最好.该器件在14 V电压下最大亮度为19 300cd/m2,在7 V的电压下最大效率为5.326 cd/A,色坐标为(0.27,0.33).     

高效率非掺杂型白色有机电致发光器件

制备了基于rubrene超薄层和NPBX做激子阻挡层的高效率的非掺杂型白色有机电致发光器件.器件结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(25-d nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.器件的电致发光光谱依靠激子阻挡层NPBX厚度d的变化而变化,当NPBX厚度d为5 nm时,器件色坐标从7 V变化到16 V时均在白光的中心区域,有最大电流效率7.91 cd/A(V=7 V)和最大亮度13 540 cd/m2 (V=16 V).     

通过Ir(ppy)3敏化黄光发射的白色有机电致发光器件

通过Ir(ppy)3的磷光敏化作用,制作了结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(20 mm)/CPB∶x%Ir(ppy)3∶0.5%rubrene(8 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的有机白光器件.当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的性能最好.在15 V的电压下最大亮度达到24 960 cd/m2,在电压为8 V的情况下,发光效率达到最大,为5.17 cd/A.该器件的色坐标在白光等能点附近,是色度较好的白光器件.     

利用C-545T超薄层多层结构的白光器件

为了探讨(3-545T超薄层的发光特性,设计了结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(20 nm)/C-545T(d nm)/BCP(8 nm)./Alq(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的绿光器件.结果表明,随着C-545T层厚度d的增加,器件的亮度和效率均下降,这是由于C-545T染料的浓度淬灭效应引起的.在此基础上,制备了基于C-545T超薄层为发光层之一的多层结构的白光器件,器件结构为:ITO/NPBX(30 nm)/Rubrene(0.2 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi (20 nm)/NPBX(4 nm)/C-545T(0.1 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.在驱动电压为16 V时,其最大亮度达到12 320 cd/m2,对应的色坐标为(0.32,0.40),在电压为4 V时,最大光功率效率达到了3.45 lm/w.     

通过引入电子阻挡层的高效率的有机磷光白光器件

以CBP作为母体材料,绿色磷光染料Ir(ppy)3作为敏化剂,以荧光染料rubrene作为受主,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/ NPBX (25-d nm)/ CBP:5%Ir(ppy)3:0.5%Rubrene(8 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30 nm)/TPBi(20 nm)/Alq(10 nm)/LiF(1 nm)/Al的白光器件.在器件中,敏化剂Ir(ppy)3、荧光染料rubrene的浓度分别为5.0 wt%和0.5 wt%,发光层的厚度选择8 nm,通过调整两层NPBX的厚度来改善器件的性能,得到了比较理想的白光发射.当d的厚度为10 nm 时,器件在7 V的电压下最大电流效率达到11.2 cd/A,在17 V的电压下其最大亮度达到28 170 cd/m2,色坐标为(0.37,0.42),处于白光区.     

基于rubrene掺杂剂的高亮度白色有机电致发光器件

采用CBP主体材料中掺杂rubrene,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPBX(20 nm)/CBP: 1%rubrene(10 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi(30 nm)/TPBi(20 nm)/Alq(10 nm)/LiF(1 nm)/Al的白光器件,此结构将器件的发光区控制在了DPVBi层和rubrene掺杂层.利用rubrene染料本身的载流子俘获空穴特性与CBP母体转移来的能量发射荧光特性,以及插入的5 nm NPBX的电子阻挡特性获得了高亮度的白光器件.此器件在驱动电压为16 V时最大亮度达到25 110 cd/m2,对应的色坐标为(0.30,0.34),在驱动电压为10 V时最大电流效率为5.32 cd/A,外量子效率为1.65%.而且,驱动电压在10～16 V时,即达到最大亮度和最大效率时,其色坐标都在白光等能点(0.33,0.33)附近.     

利用磷光敏化和空穴阻挡层提高白光OLED性能

利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。     

基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。     

有机发光显示技术及有机半导体

近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展,使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识.有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域.有机半导体材料有可能在有机电致发光、有机光电转化、有机场效应管、太阳能电池以及信息存贮器件等领域得到广泛应用,并将促进有机电子产业的进一步发展.     

有机发光显示技术及有机半导体

近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展,使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识.有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域.有机半导体材料有可能在有机电致发光、有机光电转化、有机场效应管、太阳能电池以及信息存贮器件等领域得到广泛应用,并将促进有机电子产业的进一步发展.     

Flexible Organic LED and Organic Thin-Film Transistor

In this paper, a plastic organic thin-film transistor (OTFT) with high mobility formed on the polymeric gate dielectrics is presented. Flexible organic LEDs (OLEDs) operated by an OTFT are fabricated with a novel lamination method and the results are also presented. Fabrication method and the performances of white (consisting of R, G, and B) OLEDs with high efficiency, stability, and good color purity are discussed.     

有机电致发光与有机半导体的发展

有机电致发光的迅速发展也推动了有机半导体的发展本文在比较了有机半导体和无机半导体的主要特征的基础上,分别介绍了有机半导体的主要领域包括有机电致发光、有机光导、有机太阳电池、有机薄膜晶体管等的发展。     

有机电致发光

详细介绍了有机电致发光的原理、结构和制备方法，分析了用于有机电致发光的各种材料的性能以及蓝色有机ＥＬ，最后提出了存在的问题及展望。     

Organic Networks

The topic of organic networks derives from the confluence of two distinct bodies of research that have been proceeding independently in the Media Lab for the past several years — 'Viral Networks', which focuses on the enabling technology underpinning end-to-end, grassroots communications systems, and 'Influence Networks', which encompasses ways that both first-world and third-world societies bend the technology of easy connectivity to suit their own economic, cultural and social interests. While the general method of research in the Media Laboratory (semi-autonomous groups following largely independent research tracks) implies that these two themes are somewhat segregated, their intersection carries implications and lessons in and of itself that are too strong to be ignored — hence this co-ordinated set of papers.     

Preface to the Special Issue on Semiconductor Optoelectronic Integrated Circuits

The past 20 years have witnessed the rapid growth of photonic integration circuits(PIC)technology,which has been warmly embraced by both academia and the industry.Powered by the advanced development in material growth,processing,and design capability,the PIC technology now covers multiple material platforms,including III–V(InP,GaAs),silicon,silica,lithium niobate on insulator(LNOI)polymer,etc.The integration level has evolved from a single functional device to thousands of components on-chip.The increase in the performance and the complexity of the PICs have become an energetic booster for communication and information technology.     

有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热,不仅使有机物发生结晶现象,还使器件产生气体并向外逸出,气体集聚在金属电极/有机层界面,从而形成表面气泡．质谱、色谱分析表明,逸出气体的成分除了大量的水汽之外,还存在有机杂质气体和有机物分解气体．在以8-羟基喹啉铝(Alq3)为发光层的器件中,当受热温度达到150℃时,有机分子会发生分解,逸出8-羟基喹啉气体．紫外光电子能谱分析进一步证实,Alq3薄膜的受热温度达到150℃时,其电子结构发生明显变化,由此可严重影响器件性能．     

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法非常重要,不同方法制备的薄膜质量不同,这直接影响着器件的效率;制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。根据材料的不同,有机小分子常用真空蒸镀的方法,而高分子材料常用旋涂的方法制备薄膜。随着有机电致发光器件制备工艺的发展,相继出现了其他的制备工艺,如:有机蒸汽喷印(organic vapor jet printing)、有机气相沉积(organic vapor phase deposition)、丝网印刷(screen printing)和喷墨打印(ink jet printing)技术等,这对有机电致发光显示器产业化发展具有巨大的推动作用。文章综述了这些制备方法,比较了它们的优缺点,以及这些工艺对产业化的影响。