一种基于电磁感应原理的风向编码方法

霍尔元件在与磁体接近时输出端会产生一个高电平,离开磁体时输出端为低电平。基于这种电磁感应原理,提出了一种风向编码方法。该方法设为三层立体编码,霍尔元件固定在编码器的定位盘上,磁钢体固定在转动盘上。转动盘上的磁钢体靠近霍尔元件时,霍尔元件输出高电平,磁钢体离开霍尔元件,则霍尔元件输出低电平。根据各个霍尔元件输出的高低电平组合编码,第一编码层可在45°范围内实现5°的分辨率,第二编码层可在180°范围内实现45°的分辨率,第三编码层可在360°范围内实现180°的分辨率。三个编码层相结合,便可在360°范围内实现5°的分辨率。     

浅析闭环霍尔电流传感器关键器件选型

霍尔电流传感器是磁与电相结合的产物,从其关键器件霍尔元件和聚磁元件磁芯入手,涉及磁芯材料、气隙开口、霍尔元件选型等方面介绍了闭环霍尔电流传感器设计的关键步骤,将其应用于实际产品开发中,为从事该类传感器的设计人员提供技术参考。     

高灵敏度砷化镓霍尔元件及其应用

目前在日本市场上出售的霍尔元件有锑化铟、砷化镓、砷化铟、锗、硅等霍尔元件,以及硅霍尔集成电路,已公布的月生产计划为100万只。本文叙述离子注入法在砷化镓表面上形成薄膜层来制作霍尔元件。这种薄膜层,比用外延法形成     

利用霍尔元件改进了凯普西尔磁导计

生产中要求快速,直读地进行磁性材料的测量。目前多采用凯普西尔磁导计和斯捷伯列磁导计。这两种磁导计均需事先校准过的参照样品来分度。用霍尔元件测磁的优点有:1.霍尔元件可以制成很小的,以探测小范围的磁场;2.霍尔元件输出的信号很容易叠加。利用霍尔元件的这些特点,改进了凯普西尔磁导计使之能绝对分度。方法是:把测量气隙安排在样品的两端,并尽可能靠近样品,那末几乎所有样品磁通都通过测量气隙。放在样品旁边的补偿霍尔元件代替补偿绕组。补偿霍尔元件与测量磁通密度的霍尔元件串联反接,以消除磁化绕组产生的磁通信号。当绝对分度时测量装置误差为±5％;当用参照样品校准时为±2％。     

直流数字钳形电流表的研究

文中介绍了直流数字钳形电流表使用霍尔元件作为测量元件的原理以及霍尔元件的灵敏度、输入阻抗、输出阻抗受环境温度扰动的补偿方法。     

磁电转换器件

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。主要用于     

HC—1霍尔测磁仪

在测量磁场的空间分布时,必须借助于霍尔传感器。因为霍尔传感器不仅具有高的灵敏度,而且有好的分辨能力,以及输出电压U_B与磁感应强度B的关系U_B(B)基本上是线性的关系。HC-1霍尔测磁仪用沈阳仪表研究所研制的砷化铟霍尔元件作为测磁的传感元件,为了提高测磁的分辨率,我们用高稳定的直流稳流电源供电,并将霍尔元件置于恒温的探头之中。霍尔输出电压可由数字电压表直接测量。     

霍尔集成电路及其应用

把霍尔元件与放大器等集成在一个片子上的霍尔集成元件(磁电转换元件),作为位移、转速传感器应用在整机上时的磁路设计方法与应用实例:     

砷化镓霍尔元件的研制

一、前言砷化镓霍尔元件具有温度特性好、稳定性好、灵敏度高,使用磁场范围宽等优点;用平面工艺容易成批生产。所以,自在高阻砷化镓衬底上制得低阻砷化镓外延层以来,该材料在磁电元件领域中的应用发展很快,砷比镓霍尔元件正在发展成为霍尔元件的代表性产品之一。这里介绍的砷化镓霍尔元件是在国外研究的基础上,对制造工艺进一步分析之后,提出了在蒸镀电极金属和进行台面腐蚀时不预先制备二氧化硅掩蔽膜,通过掩膜版和光刻胶膜进行选择性腐蚀的工艺流程,使工艺简化,节省了设备,降低了元件成本。     

GaAs霍尔元件的特性

前言GaAs霍尔元件由于其具有高灵敏度和高稳定性而受到重视。为此,试制了外延GaAs霍尔元件(厚度2微米,n=2×10~(16)cm~(-3))现将实验情况报告如下。实验方法以电流端子处的电阻作为输入电阻。以输出端子处所产生的电压作为霍尔电压。尽可能用恒定电流电源,调到1毫安,来测定其特性。由于在-20℃～ 80℃范围内,温度特性参数几乎都呈线性变化,故各种温度系数均按常温和80℃值的平均值来计算。实验结果制作了四种不同形状的霍尔元件,并对其特性进行了研究。图1示出了取决于磁场的霍尔电压的变化。霍尔电压的数值由于霍尔元件     

硅霍尔元件的温度补偿方法

霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用场合这是很讨厌的,要求避免或削弱其影响。为了在使用过程中让霍尔电势稳定,一般都采用恒流源供电。这是很必要而且很见效的措施,但对于精度要求较高的场合,如对某些物理量的检测系统中,光靠恒流源只能部分地解决间题,即只能     

霍尔元件的寄生直流电势

寄生直流电势是霍尔元件的误差电势,对使用霍尔元件的仪表有一定的影响。在本文中探讨了寄生直流电势产生的原因及其减小的方法。     

多功能一体化霍尔元件的研制

一、引言近年来,我国磁敏霍尔器件技术发展很快,继硅、锗、砷化铟等霍尔元件研制成功后,我所于1980年又研制成功具有国际先进水平的砷化镓霍尔元件。国外近年来又出现了测温测磁多功能器件,使其在工业控制系统中的用途更加广泛。日本已研制出温度补偿型多功能一体化霍尔元件〔1〕,其霍尔电压温度系数由原来的0.05％/℃改善到0.005％/℃,为设计高精度测磁仪表奠定了基础。我们从1984年9月开展此项工作,经     

用霍尔传感器测量大电流

利用霍尔效应制成的霍尔效应大电流计,其特点是结构简单、成本低廉、准确度高。在很大程度上与频率无关,便于远距离测量且不需断开回路。 电流的测量是通过霍尔元件检测通电导线周围的磁场来实现的。下面介绍几种用霍尔元件测量大电流的方法。 1． 导线旁测法 见图1所示,将霍尔元件放在通电导线附近,通一恒定电流,用以测量被测电流的磁场,可从元件输出的霍尔电压中确定被测电流的值。 此方法的特点是结构简单、操作方便,但测量精度较差,受外界干扰较大,只适用于一些不重要的场合。 2． 导线贯穿磁芯法 用铁磁材料做成磁导体的铁芯…     

霍尔元件温升的测量

为了确定霍尔元件的额定工作电流或热阻,必须知道元件因工作电流所引入的温升。本文介绍一种比较准确测量霍尔元件温升的方法。一、原理霍尔元件为体效应器件,其电阻率与温度呈一定的关系。利用这一关系可以得到元件加以工作电流后,所引入的温升。这和二极管或三极管的温升,是利用正向阈值电压和温度的关系来间接测量是相仿的。我们首先测量出元件的内阻(反映了电阻率)与温度的关系,如图1所示。然后再     

硅体型霍尔元件不等位电压与控制电流特性的探讨

本文着重从理论上探讨了硅体型霍尔元件的各种不同的U_(cd)-Ⅰ特性。指出了在霍尔元件制作中,必须注意材料的正确选择和制作工艺的研究。     

基于线性霍尔传感器的阀门位置变送器

为了对阀门位置进行实时监测和控制,采用线性霍尔传感器A1392为测量元件,以MSP430F169单片机作为信号采集、A／D转换、算法运算的元件,且以AD421作为单片机供电及D／A转换元件,完成了线性霍尔变送器的硬件设计,并改进了磁钢的结构,提出了线性霍尔传感器非线性方法的测量方案,实现了对阀门位置信号的无接触实时精确测量。实验结果表明,该霍尔变送器系统能实现对阀门位置值的准确变送。     

三维霍尔传感器技术在换档手柄上的应用

霍尔技术以及霍尔元件已经广泛运用于汽车与工业领域等方面[1]。三维霍尔技术的发展,可以检测三维空间物体运动位置和轨迹。汽车用换档机构,它的手柄在三维空间内以一定的规则进行运动,并完成手柄各个位置的检测功能。而通过使用一个三维霍尔元件,结合其它电子元件,能够完成手柄的各个位置的检测功能。还可以有效地减少换档手柄的体积和重量。并且传感元件数量的减少,使得整个电气设计更加简化,成本同时降低。     

性能优越用途广泛的硅霍尔元件

北京师范学院半导体器件厂经过几年的努力,研制成功了硅霍尔元件,填补了国内空白,现已批量生产。一、应用情况本厂生产的硅霍尔元件,现已成功地应用于航空、内燃机车、磁量测量和磁性材料研究等方面。 1.用于航空基于霍尔元件磁电传感的特性,它可用于速度、加速度、角度和长度的测量和控制。目前在飞机、飞行器上应用的例子有:     

GaAs霍尔磁敏元件线性度的核磁共振测量和校准

离子注入的GaAs霍尔元件是一种新型的磁敏元件。本文介绍了用核磁共振(NMR)方法测量其线性度的原理和方法,描述了测量仪器,给出了霍尔电势与外加磁场的关系曲线,讨论了校准测量的误差。