RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析

RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景.详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟.模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计.     

用X射线曝光技术试制门延迟时间40微微秒沟道长0.3微米的nMOS

本文报导了采用X线曝光技术制造有效沟道长度为0.3微米的MOS场效应晶体管的试制例子。用这种场效应晶体管构成的19级环形振荡器延迟时间是40微微秒,20微微秒也可以工作。发表这一试制成果是为了表明用X射线曝光技术可以进行微细加工。我们一并使用了本公司研制的曝光设备、掩模及可以进行干法显影新型抗蚀剂等。     

一种新的RFID射频前端振荡器的设计方法

为解决RFID低功耗、小体积的问题,提出了一种新的RFID射频前端振荡器的设计方法.分析了晶体管稳定性的变化规律,提出了采用晶体管和无源网络产生振荡的方法,在增加正反馈使反射系数最佳的情况下给出了振荡器的电路结构.对射频振荡器进行仿真,结果表明,调谐网络和终端网络对振荡器的性能有影响,反射系数增大可缩短起振时间,调谐网络电阻增大将加大噪声,可以综合利用史密斯圆图和复平面上的稳定性边界有效分配性能指标.研究结果为RFID在低复杂度下改善振荡器的性能提出了一种新的途径.     

多沟道碳纳米晶体管SPICE模型与环形振荡器设计

针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器进行了分析.结果表明,该模型能够很...     

超高速高电子迁移率晶体管集成电路研制概况

叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/门,1/2分频器的输入频率是13GHz。因此,研制结果表明高电子迁移率晶体管是当前已知的半导体器件中速度最快的一种器件,这种器件非常适合制造高速LSIC,对开发超高速电子计算机有重要意义。     

高稳定C频段砷化镓场效应晶体管振荡器

因为砷化镓场效应晶体管振荡器比其它类型的固态振荡器的噪声低,效率高而且设计灵活,所以在微波通信中非常适用。目前已有有关 C 频段和 X 频段的砷化镓场效应晶体管振荡器试验成功的报导。这些振荡器的输出功率均低于10O毫瓦,直流——射频变换效率低于20%。本设计采用共源砷化镓场效应晶体管振荡器结构。振荡器是一个 C 频段的集成化振荡器。在振荡器中有一个最佳外反馈网络,共源场效应晶体管片安装在氧化铝陶瓷基片上。振荡器的微带线和作反馈用的电容器串联连接。这种没有采取稳定措施的振荡器,在6千兆赫可产生400毫瓦的功率,效率为38%。这可与同一场效应晶体管片作放大器用时产生的最大输出功率相比拟。     

HEMT集成电路基础研究

本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播延迟时间是69～78ps/门,相应功耗0.8～0.3mW/门。     

使用选择性退火生长绝缘层上大晶粒硅

选择性退火技术(在有图形的抗反射涂层的下面激光退火)已成功应用于生长很大(20微米×3000微米)的硅单晶。用常规光刻工艺控制晶粒的边界位置,所获得的晶粒是近乎完美的矩形。     

晶体管电路讲座(四)

四、晶体管正弦振荡器利用结型晶体管可产生低频和高频的正弦振荡,它们在形式上与电子管自激振荡器有许多相似之处,如在电子管电路中有调板式、哈特莱式、考毕兹式等LC振荡器,在晶体管中也可有对应的形式,但在具体讨论时,晶体管电路有其特殊要求.在此,只简单分析晶体管振荡器的起振条件及振荡频率,故可用线性方法进行分析,而把晶体管看成是线性有源的器件.     

一种低功耗全差分交叉耦合环形振荡器设计

提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强。还提出了一种新型的基准源结构,这种结构产生的电流温漂系数小、电源抑制比高。该设计基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,测试结果表明,在3.3V的低电源电压下,振荡频率抖动范围很小,中心频率在11.4MHz,功耗仅为1.4mW。     

三维CMOS集成电路工艺及其性能研究

本文报道了一种三维(简写为3D)CMOS集成电路制造工艺及其性能.在P型单晶硅片上制作NMOS晶体管,在连续氩离子激光再结晶的N型多晶硅膜上制作PMOS晶体管,这两层器件之间用 LPCVD生长的二氧化硅层作隔离.已制成5μm沟道长度的9级3D-CMOS环形振荡器,每级门的延迟时间为2.7ns.     

一种低电压低功耗的环形压控振荡器设计

提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率,在1.8V的低电源电压下,振荡频率的变化范围为402～873MHz,中心频率在635MHz,功耗仅为6mW,振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为3.91ps.     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的、作为内部时钟源的环形振荡器；RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。     

AlInAs／GaINAsHBTIC技术

本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路和双模前置换算器。其环形振荡器每门延迟时间为１５．８ｐｓ，ＣＭＬ触发器分频电路反转速率为２４．８ＧＨｚ。而４／５和８／９双模前置换算器分别由１０６和１２４只晶体管组成，可在高达９ＧＨｚ的时钟速率下工作。这两种双模前置换算器电路是ＩｎＰ基Ｈ８Ｔ制作的最大规模电路。     

添加剂印刷工艺开启了塑料微芯片之门

在慕尼黑Productronica2005展上,Fraunhofer Institute for Reliability和Mi-crointegration公司(慕尼黑,德国)演示了用于生产聚合物电路的添加剂印刷技术,有望为塑料微芯片的生产和应用铺平道路。这种工艺共有7个步骤,可生产基于有机物的环形振荡器、晶体管和逻辑电路。与硅片     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的、作为内部时钟源的环形振荡器：RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的，作为内部时钟源的环形振荡器，RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。     

采用聚光灯再结晶绝缘物上硅工艺制作的CMOS电路

在100mm氧化硅片上淀积一层多晶硅薄膜,这层多晶硅采用聚光卤灯再结晶法制成,并作为制作CMOS电路的衬底材料。得到N沟MOS晶体管和P沟MOS晶体管的载流子迁移率分别为480cm~2/V.s和180cm~2/V.s,阈值电压分散性很小,还制作了65级环形振荡器,在电源电压5V时,其每级延迟时间为6ns。     

晶体管在RC振荡器中的非线性作用

在讲述晶体管文氏桥振荡器时,往往对晶体管的非线性作用只作定性的分析。本文的目的在于对文氏桥振荡器作一些定量的分析,以便对晶体管在RC振荡器中的非线性作用理解得更清楚。图1表示一个晶体管文氏桥振荡器实施电路。这个电路产生一个角频率为ω_o的正弦波振荡波形,测得的各点波形如图2所示。     

以混频器作为信号处理单􀀂 元的环振式压力传感器

提出了一种新的环振式数字压力传感器，它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件，两个反方向变化的环形振荡器的输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减，分析了环形振荡器的频率特性，以及环形振荡器的谐振频率和压力的关系，分析并设计了压力传感器的环形振荡器电路、混频器电路、物理结构以及制作工艺，并制作了样品，其灵敏度为1．52kHz／kPa。