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介绍了南京电子器件研究所、华中理工大学和电子部47所三单位联合研制的7.6cm240(H)×220(V)单元a-SiTFT-LCD,简要论述了TFT矩阵板、行列驱动电路、彩色滤色器、液晶盒、离密度柔性引线带、控制引线电路等一系列关键技术。显示器的有效显示面积60mm×45mm,亮度≥50cd/m^2,时比度(最大值)约30:1,视角范围(对比度5:1):水平方向〉±40°,垂直方向〉±30°,灰度 相似文献
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分辨率高达200dpi(每英寸点数)的超高精细TFT-LCD监视器已出台。显示器是16型(41cm对角线)QSXGA级(2560×2048×R·G·B色像素)。亮度达150~200cd/m2。显示板由四个驱动LSI电路驱动,该技术也将用于20.8型QXGA级TFT-LCD监视器,估计1999年底量产。超高分辨率TFT-LCD监视器@贾正根 相似文献
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低温多晶硅TFT-LCD生产动向1998~99年间,低温多晶硅(Polysi)TFT-LCD将正式开始批量生产,但目前尚未明确形成市场环境。人们显然可以考虑利用低温Poly-siTFT-LCD替代现用高温Polysi TFT-LCD并在数字照相机、摄... 相似文献
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利用负性双折射补偿膜改善LCD视角 总被引:1,自引:0,他引:1
利用负性双折射光学补偿膜可以显著地改善单畴与多畴LCD的视角。本文评述了对TN、STN垂直排列与平行排列LCD进行负性双折射补偿的主要应用情况。最近,有三种利用负性双折射光学补偿膜增大了视角锥的TFT-LCD屏正在被商品化。这些屏包括)由美国的TFT-LCD供货商提供的补偿单畴TFT-TN屏;(2)夏普的补偿双畴Super-V TFT-TN屏;(3)富士通的超宽补偿四畴垂直排列TFT-VA屏。 相似文献
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《液晶与显示》2002,(5)
三星电子宣布批量生产 48cm( 1 9in)TFT LCD。新款分辨率为 1 2 80× 1 0 2 4,屏幕的长宽比为 5∶4,三星将其独有的PVA技术应用到该款中 ,获得了 50 0∶1的对比度 ,视角1 70°,亮度达 2 50cd/m2 。今年下半年 ,三星最新的第五代TFT LCD流水线将投产 ,其生产的每个基板可以切割出 9个 48cm的TFT LCDs模板 ,将大大增加大屏TFT LCD的出产量 ,为三星 48cm型的产品提供了极强的价格竞争力。三星公司今年计划 48cmTFT LCDs的销售为 2 0万台 ,在 2 0 0 3年争取达到 50万台。新款48cm液晶显示器上… 相似文献
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日本富士通通用公司研制成GMC-804N型CCD摄像机。该摄像机像素为250000,且具有USB(UniversalSerialBus)接口,利用可变的图像压缩系统可使图像缩小为原尺寸的1/7。在常用规格中(352×288像素),转换速度为30帧/秒。该机价格为19000日元(161美元)。采用独特的密集安装和芯片直接安装(COB)技术集成CCD摄像机,USB和电源安装在一起。GMC-804N尺寸为31mm×40mm×33.7mm(不含透镜、支架及电缆),摄像机装置可360°旋转。GMC-800… 相似文献
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报道了C波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管(DGFET)放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了DGFET器件S参数的提取步骤。两路放大器和90°相移网络制作在3.15mm×2.5mm×0.1mm的芯片上,同相功分器制作在1.6(1.8)mm×2.9mm×0.1mm的芯片上。电路可获得在0~87°内连续变化的相移量,输出幅度可控。 相似文献
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索尼公司开发新型5.6英寸多晶硅TFT-LCD模块日本索尼公司已开发成功内置驱动电路的新型5.6英寸多晶硅(P-Si)彩色薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)模块。与非晶硅(a-Si)TFT—LCD模块相比,它有两个突出优点:其一是每个象素上的TFT... 相似文献
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日本TFT-LCD市场预测目前,TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器)是当今平板显示领域的佼佼者。由于其具有薄而轻、功能少,表面反差小等诱人的优点,预示它将来仍处于领先地位。第一代彩色TFT-LCD主要用于膝上型个人电脑、笔汽车型个人电脑、小型便携... 相似文献
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张广山 《信息技术与信息化》2000,(1)
本文简要说明什么是TFT- LCD, TFT- LCD产品的技术特点及其在工业、国防、教育、医疗、交通运输、家电、视像和信息产业中的广泛应用,指出了TFT-LCD技术发展的美好前景。 相似文献
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航空应用的IPS模式26cm TFT-LCD具有±70°宽视角,400nits的高亮度和-30℃-70℃的宽工作温度范围。为实现以上性能采用了新的LC的材料,像素电极和公共电极处于顶层的新型共面开关TFT矩阵结构及新的黑底结构。 相似文献
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TFT—LCD:国际上新的经济增长点 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了国际上TFT-LCD产业的最新发展,TFT-LCD技术的进步,长期困扰液晶的三大难题:视角,色饱和度和亮度,已经获得解决。液晶产业进入了全面高速发展时期,文章并分析了国际上TFT-LCD市场的发展趋势。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
1.8GHz下功率密度为2.8W/mm的4H-SiCMESFET据《IEEEE.D.L.》第15卷第10期报道,CharlesE.Weitzel等已研制成一种4H-SiCMESFET。采用4H-SiC是由于它比6H-SiC高出两倍的电子迁移率。器件的... 相似文献