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本文研究了有机聚硅氧烷树脂薄的基本特性,保护机理,成膜工艺,研究了有机聚硅氧烷树脂薄覆盖在磁光盘表面后厚度的变化对磁光盘的读写特性的影响,并研究了有机聚硅氧烷旨薄膜对磁光盘的保护作用。 相似文献
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《塑料科技》2016,(7):32-37
先将双马来酰亚胺(BMI)和二氨基二苯砜(DDS)反应形成BMI/DDS体系,然后将3-氨基丙基三乙氧基硅烷(KH550)预聚体加至该体系中,得到有机硅改性树脂BMI/DDS/KH550。分别探究了DDS、KH550的用量对BMI/DDS及BMI/DDS/KH550体系韧性、耐热性能、耐水性能等的影响。研究表明:随着BMI和DDS物质量比(n_(BMI)/n_(DDS))的减小,即DDS含量的增加,BMI/DDS改性树脂的韧性提高,耐热性、吸水性下降。BMI/DDS/KH550改性树脂的力学性能随着KH550预聚体用量的增加呈先升后降的趋势。其中当KH550预聚体用量为8%时,BMI/DDS/KH550改性树脂的力学性能最优,其冲击强度和拉伸强度分别达到6.30 k J/m~2和6.80MPa;而当KH550预聚体用量为5%时,BMI/DDS/KH550体系的耐热性达到最佳,其起始分解温度(T_(5%))、耐热温度指数(TI)、最大分解温度(T_(max))分别达到390.98、219.98和478.84℃。此外,与BMI/DDS体系相比,BMI/DDS/KH550改性树脂的吸水性略有提高。 相似文献
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孙圭兮 《精细与专用化学品》1986,(12)
聚硅氧烷,特别是它的改性共聚物,对化妆品和盥洗用品工业是比较新的一类剂料,本文将重点讨沦它的生产方法和物性,以及这些共聚物在化妆品配方中的应用。 相似文献
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本文介绍采用有机硅合成过程中产生的副产物氯化硅做原料,合成带有易于反应的-OC2H5、-OH基团的无机聚硅氧烷。这种无机聚硅氧烷经有机树脂改性,耐热性能可与有机硅涂料媲美,用途广泛,具有一定的经济效益。 相似文献
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有机聚硅氧烷兼具有机聚合物和无机硅化合物的双重性能,既具有高分子材料的柔韧性、易加工性,又有无机材料的耐高温、耐氧化性、耐候性等优点,近年来作为一种高效、无毒、低烟、环境友好性阻燃剂正日益受到人们的关注。文章将介绍近年来有机聚硅氧烷的阻燃研究进展。 相似文献
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丙烯酸树脂与聚硅氧烷接枝改性的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
丙烯酸树脂色浅,透明,光亮丰满,耐腐蚀,聚硅氧烷则耐热,耐低温,耐候,二者接枝后的产物兼具二者的优点。本文合成了丙烯酸树脂、聚硅氧烷,并实现了二者的接枝与表征。比较了接枝后产物与丙烯酸树脂、聚硅氧烷的光学性能及涂层的各种性能。 相似文献
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介绍了国内外磁光盘抗腐蚀研究的进展,比较了目前常用的几种保护材料的基本特性,分析了对磁光盘进行优化设计的关键技术,在对现有的磁光保护层材料的不足进行分析的基础上,预测了磁光盘保护材料研究发展的未来趋势。 相似文献
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现有计算机用户时常靠磁光盘(MO)和驱动器等外设记录系统来增加硬盘驱动器的存贮容量,以应付支持系统和增加文档程序的灵活性。各种型号和不同存贮量的MO盘和MO驱动器形成了一个正在崛起的市场。例如,1996年90mm的MO驱动器销售近120万台。1997年成倍增长。分析家指出,1996年销售的120万台90mm驱动器中,大约有70~80万台为日本市场占有。1995年共有720万台个人电脑投入日本市场。以此数据为基础来推算MO驱动器应占有投入市场计算机总数的10%还多一些。特别值得注意的是,MO驱动器不属于家用电器类。市场上半数以上的MO驱动器是… 相似文献
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介绍了偏氟乙烯树脂保护膜的性能和应用,叙述了偏氟乙烯树脂保护膜在不同用途下的基本配方和成膜方法。认为导致我国VDF树脂保护膜开发迟缓的主要原因是VDF树脂开发落后。且产品质量不高,因此要加快保护膜用VDF树脂和VDF树脂保护膜的开发,用于对耐候性、耐热性、耐污性、耐药性、耐溶剂性和耐久性等有较高要求的各种基材。 相似文献
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再生信号的急剧衰减是高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案,提出了磁畴扩大再生技术──再生时将微小磁畴扩大,增加再生信号的幅度。例如,利用现行光头(波长680nm,物镜数值孔径NA=0.55),对0.2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场,可将再生信号的振幅扩大至饱和程度,实现了磁畴扩大再生。并且,即使通常的不采用交变磁场的再生,也可实现0.2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样,磁畴扩大再生技术可能成为利用现行光头使磁光盘的面记录密度超过10Gbit/in2。 相似文献
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再生信号的急剧得高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案,提出了磁畴扩大再生技术--再生时将微小磁畴扩大,增加再生信号的幅度。例如,利用现行光头,对0.2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场,可将再生信号的振幅扩大至饱和程度,实现了磁畴扩大再生。并且,即使通常的不采用交变磁场的再生,也可实现0.2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样,磁畴扩大再生可能成为利用现行光头使磁光盘的面记 相似文献