基于正交设计的硅通孔信号完整性分析

针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析。结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小而回波损耗增大;在置信度为99%时,TSV高度是影响回波损耗和插入损耗的显著性因素;TSV直径和绝缘层厚度对回波损耗和插入损耗影响均不显著;TSV高度对回波损耗和插入损耗影响最大,其次是TSV直径,最后是绝缘层厚度。     

光跳线及光尾纤的插入损耗及回波损耗简析

简析了光纤活动连接器、光跳线、光尾纤、光缆组件的基本概念,比较了跳线和尾纤插入损耗和回波损耗的测试方法,对光纤活动连接器,以及光缆组件的插入损耗和回波损耗的指标设置和测试方法给出了建议。     

基于柔性LCP基板微带线的微波特性研究

基于液晶高分子聚合物柔性基板设计了不同长度的50 Ω标准微带线结构,研究了微带线长度变化对微带线传输特性的影响规律。测试结果表明:随着测试频率的升高,微带线的反射系数和插入损耗逐渐变大,在DC~20 GHz 频率范围内,微带线插入损耗小于-1 dB,回波损耗小于-15 dB;在20 GHz~40 GHz 范围内,微带线插入损耗小于-1.5 dB,回波损耗小于-10 dB。同时,对比了微带线在弯曲状态下的实测S参数,结果显示此微带线的性能对结构弯曲并不敏感,这表明它将在柔性电路应用中有很大的发展前景。     

一种V波段波导-微带对极鳍线过渡结构的设计研究

文章研制了一款V频段的波导微带转换器,该转换器采用对极鳍线过渡结构,并提出了一种抑制谐振及基片安装引起的高次模的设计方案。实际测试回波损耗小于-21 dB,插入损耗小于1.6 dB。     

一种基于OTDR技术的插回损测试仪

与传统连续波(CW)测量方法相比,基于OTDR技术的回波损耗测试方法,能够准确定位反射事件,测量结果直观、准确,在一定条件下还能够一次测量多个器件以及实现免缠绕测试。介绍了基于OTDR技术的回波损耗测量原理,设计了一种基于OTDR技术的回波损耗测量和插入损耗测量一体化测试仪。     

声表面波低损耗滤波器的换能器结构

一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级     

新型波导-微带对脊鳍线过渡设计

介绍了一种新型的宽带波导-微带对脊鳍线过渡设计。它利用对脊鳍线自身结构的调整,就可以对频带内谐振频率产生抑制作用,不需外加任何谐振抑制结构或金属孤岛,减少了设计和制造的复杂性。这种紧凑的过渡模型不仅结构简单、尺寸短小,而且可以在宽频带范围内实现较低的插入损耗和回波损耗,方便工程上的应用。对实验样品的测试表明,在Ka全频段内其插入损耗小于0.8 dB。     

基于非预置光纤连接器的特性研究

讨论了预置(预埋式)光纤连接器和非预置光纤连接器的插入损耗和回波损耗;通过显微镜观察现场被切割光纤端面,分析光纤端面对损耗的影响;绘制了在相同测量环境下的损耗曲线图,并从稳定性、市场成本及现场操作性等方面进一步分析两种光纤连接器的特点.     

新品发布

集成电路Integrated Circuits802.11b,g接入点专用BAW滤波器SKY33100-360LF滤波器采用2mm×2mm QFN封装,具有带内插入损耗低、邻近频段抑制性能高、输入与输出回波损耗低的特点。该型号滤波器的功能是大幅降低带外乱真信号响应,以在更     

差分过孔焊环及反焊环对高速信号完整性影响的实验研究

借助矢量网络分析仪研究了高速印制电路板信号层差分阻抗过孔焊环与相邻层反焊环尺寸对差分过孔阻抗、高速信号插入损耗及回波损耗的影响情况。结果表明,当焊环尺寸从2mil逐渐增大至 12mil时,过孔阻抗从84Ω 逐渐减小至75.8Ω,差分链路上的回波损耗及插入损耗则随阻抗匹配度减小而劣化,当相邻层反焊环尺寸从 8mil逐渐增大至20mil时, 过孔阻抗从79Ω逐渐增大至 84.6Ω,差分链路上的回波损耗及插入损耗则随阻抗匹配度增加而减小。     

一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真

本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。     

基于槽线的太赫兹同相和反相功分器设计

根据接地共面波导(GCPW)和槽线的结构特点,首先设计并仿真验证了一种由接地共面波导到槽线的功分器;然后根据槽线横截面的电场分布特性,设计了一种GCPW-槽线-GCPW结构的同相功分器和反相功分器。仿真结果表明,同相功分器在175~225 GHz范围内的插入损耗优于4 dB,回波损耗优于9.6 dB;反相功分器在185~215 GHz范围内的插入损耗优于4 dB,回波损耗优于10.5 dB,幅度不平衡度小于0.24 dB,相位不平衡度小于1.3°。相比其他太赫兹功分器,本文设计的功分器在插入损耗和回波损耗相当的情况下,具有更简单、紧凑和易于集成的结构。     

高功率密度光纤性能测试系统设计

针对高功率密度运转下的光纤激光对其适用的光纤器件的许多特殊要求,设计了高功率密度下光纤性能的测试系统。综合比较论证了截断法、插入损耗法、后向散射法三种测试方法。基于插入损耗法设计了双光路光纤测量系统,通过双光路同时测量被测光纤和参考光纤的插入损耗,利用参考光纤光路监控校准输入信号光功率,提高测量精度。对系统的测试方法和测量参量理论上进行了推导和说明,分析了系统的传输效率,设计测量精度可达到插入损耗不大于0.5 dB,回波损耗不小于50 dB。     

一种应用于WLAN的单刀双掷微带开关的设计与实现

一种应用于WLAN的单刀双掷开关模块采用射频微带技术,结合阻抗变换理论来控制微带线上电磁波的传输,同时它还采用高速通断二极管来实现收发通路的切换。该开关模块已经应用到了2.4GHz WLAN射频功率放大器中,它在TX与ANT接通模式下,TX端的回波损耗为-25.1dB,TX与RX端的隔离度为-30dB,ANT与TX端的插入损耗为0.21dB;在RX与ANT接通模式下,ANT端的回波损耗为-17.2dB,TX端与ANT的隔离度为-25.5dB,RX端与ANT端的插入损耗为1.1dB。     

高性能C波段声体波微波延迟线

通过优化换能器拓扑结构和匹配网络设计,研制出f0=4.3 GHz,Δf-3 dB≥200 MHz,Δt=0.358μs的C波段声体微波延迟线。该产品的插入损耗约为-22 dB,直通抑制大于40 dB,三次渡越抑制大于28 dB,回波损耗约为-16 dB,产品综合性能指标优于国外同类产品。     

宽阻带超宽带带通滤波器的设计

针对某些传统滤波器阻带较窄,抑制谐波性能差的缺点,对传统的阶梯阻抗谐振器( SIR)进行了改进,使之通带内回波损耗降低,频带增宽,同时利用缺陷接地结构(DGS)制谐波特性来增加阻带宽度,得到一款低插损滤波器,最后使用HFSS建模仿真.结果表明:该滤波器具有良好的通带效果,通带内插入损耗小于l dB,回波损耗大于10 d...     

一种新型波导-基片集成波导转换器设计

本文提出了一种新型波导-基片集成波导转换器的设计方案。矩形波导中的电场通过该对极鳍线转换器后在基片集成波导中传输。该转换器的优点是：结构形式简单,长度短,带宽较宽。利用HFSS 仿真对过渡段结构进行了优化, 30G到40G 的频率范围内,插入损耗小于0.13dB,回波损耗优于20dB。背靠背插入损耗小于0.22dB,回波损耗优于20dB,相对带宽大于25%。     

基于圆头谐振器的低插损带通滤波器设计

针对插入损耗高和选择性低等问题,提出了一种具有圆形开路终端的新型谐振器拓扑结构。该结构将传统的U型发夹滤波器改成V型,在V型结构的终端引入圆形开路谐振器,并在开路枝节短截线上过孔。基于新型谐振器结构设计了一款尺寸为42.9 mm×36.54 mm (0.35λ_g×0.3λ_g)的带通滤波器。该滤波器具有插入损耗低、通带可控和远端优良等优点,并且采用新型谐振器之间的交叉耦合,在近端1 GHz附近产生一个传输零点,有效优化了阻带抑制和带通滤波器的选择性。仿真结果表明,带通滤波器的中心频率为1.7 GHz, 3 dB的相对带宽为20%,最大回波损耗优于30 dB,最小插入损耗为0.20 dB,左边的带外抑制在50 dB以下,右边的带外抑制优于20 dB。实物测试结果与仿真结果基本一致,整体性能偏好,证明了该结构的可行性。     

基于H型缺陷地结构的超宽带带通滤波器设计

微波频段的宽带滤波器一般具有通带插入损耗大,带外抑制性差等问题,为了解决这个问题,采用具有慢波效应的缺陷地结构(DGS)和缺陷微带结构(DMS),设计了一种新型微波频段的超宽带滤波器。分别利用电磁仿真软件HFSS和平面印制板技术对其进行建模仿真和实物加工。实测与仿真结果良好吻合,带内插入损耗优于1.64dB,回波损耗优于13.93dB,通带范围在2.75~8.3GHz,实现相对带宽100.45%,高低阻带均抑制在-10dB以下,且该滤波器结构紧凑,体积小。     

150 GHz低损耗Lange耦合器的设计

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150 GHz的低损耗Lange耦合器。使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50 Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插入损耗,在耦合器对应的地面打孔形成地面隔离带,有效降低了插入损耗。仿真结果表明,耦合器在中心频率150 GHz处,带宽20 GHz范围内的耦合度为3.5 dB,插入损耗小于0.6 dB,回波损耗与隔离度均小于-20 dB,相位误差在2°之内,耦合输出与直通输出幅值误差在0.1 dB以下。该Lange耦合器在D波段功率放大器、混频器、移相器等电路中有很好的应用前景。