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近年来CMOS APS(active pixel sensor,有源图像传感器)发展较快,成为图像传感器市场中CCD的有力竞争者,在抗模糊、单电源供电、低功耗方面优势显著,而且由于集成度高,一般芯片内集成有模拟信号处理电路和A/D转换,信号直接数字输出,使成像系统外围电路简单,可以实现系统的小型化和低功耗.在带I2C总线控制接口的LM9617CMOS图像传感器成像系统的设计中,采用单片机8051模拟I2C总线进行相机控制,并控制CPLD器件产生相机时序,完成了图像的采集和数据存储控制.这种图像采集系统可以实现相机的微小化和低成本,应用领域广泛. 相似文献
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基于以太网的CMOS传感器图像监测系统 总被引:1,自引:0,他引:1
采用网络控制芯片DM9008作为通信接口开发了一种基于以太网的图像监测系统.用专用图像处理芯片、利用高速单片机及FPGA技术、CMOS图像传感器技术进行实时图像信号的采集和处理,图像经过处理后通过以太网传输至PC机端接收、解压、管理和显示.实验表明:这种系统的设计灵活性好、柔性强,以太网控制器实现图像的数据传榆使系统数据传输速度和稳定性大大提高,软件设计时的模块化结构使系统的通用性和可移植性增强,也有利于功能扩展. 相似文献
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文中叙述了基于数字电位器X9241的程控增益测试系统的设计。将数字电位器X9241作为分压器,为放大器提供一定的正反馈,利用I2C总线的硬件,实现了X9241和C8051F单片机之间的通信,通过软件编程控制改变X9241的阻值,从而使增益也得到相应的改变,得到高量程、高精度的放大器。信号经过放大滤波和单片机内部的A/D转换后,最后通过UART-USB桥接芯片将数据发送到PC机上,定性地测试分析其可靠性。 相似文献
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以CPLD XC 95144作为核心控制器,采用CMOS数字图像传感器和LVDS接口技术开发了一种低功耗图像采集系统,在分析了LVDS接口芯片DS90C 124和CMOS数字图像传感器MT9V011的工作时序的基础之上,用VHDL编程对相关驱动电路进行了仿真和调试,实验结果表明,该系统具有功耗低、可靠性高等优点,可广泛应用于图像处理系统中。 相似文献
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基于数字域TDI算法改进面阵CMOS图像传感器功能 总被引:6,自引:0,他引:6
为使面阵CMOS图像传感器具有TDI成像功能,研究了TDICCD的工作原理,提出了一种基于数字域的TDI算法,并讨论了如何利用FPGA实现该算法。该算法可在不改变CMOS器件构造的前提下,使其具有时间延迟积分功能。通过举例法推导出面阵CMOS图像传感器数字域TDI计算公式,并在此基础上优化了算法结构,优化后可以节省(m-1)(m-2)/2行内存空间。最后以航天相机为背景,讨论了地面像元分辨力、行转移时间与CMOS帧频的关系,通过一个算例计算出不同分辨力和积分级数条件下对CMOS帧频的要求。计算结果表明,帧频大于648frame/s的1280×1024CMOS,可以满足600km轨道高度下地面像元分辨力为1m的96级积分成像要求。 相似文献
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为增强系统稳定性,基于Linux操作系统的摄像头驱动,需综合考虑内核模块的调用和任务的优先级。该文介绍了基于ARM9架构,采用CMOS图像传感器OV9650,在Linux操作系统下摄像头驱动的设计与实现。使用I2C总线配置摄像头控制寄存器,引入信号量机制,优化临界资源调度,编写及完善应用程序接口(API),实现了多任务多线程处理。测试结果表明:多个进程同时运行时,驱动程序具有良好的稳定性,能够自动根据优先级,有序地完成图像采集工作。 相似文献
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CMOS图像传感器中卷帘式快门特性及其应用 总被引:3,自引:0,他引:3
结合CMOS图像传感器研究了CMOS图像传感器卷帘式快门的具体应用.介绍了卷帘式快门的特点和工作原理,分析了具有卷帘式快门的CMOS图像传感器的成像特性,并对其进行了成像实验.探讨了一种利用卷帘式快门相机拍摄的单精度视图来计算高速物体在三维空间中的位姿和速度的新方法.最后,提出了一个运动目标的透视投影模型,讨论了估计目标位姿和速度的方法.实验结果表明:具有卷帘式快门的CMOS图像传感器对运动物体成像时会产生一定程度的畸变,畸变的程度与积分时间等传感器参数的设置有关.在误差最小化的情况下得到了运动物体的位姿和速度参数,计算误差在2.5%以内,测量精度为0.01 rad/s.对实验结果的分析证明了方法的可行性.这种计算方法能够使得低价格、低耗能的CMOS相机转化为一种新的速度传感器. 相似文献
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针对EMVA 1288标准测试辐照后互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的重要性能参数(光子转移曲线和转换增益)适用范围受限的问题,提出了针对辐照后CMOS图像传感器光子转移曲线和转换增益的改进的测试方法。该方法通过调整测试条件,限制辐照后CMOS图像传感器的暗电流和暗电流非均匀性噪声,求解出辐照后正确的器件性能参数,从而直观地得知辐照所引起的器件性能变化。利用该方法进行了实验测试,结果显示:辐照导致转换增益比辐照前退化了7.82%。依据此结果分析了辐照导致光子转移曲线和转换增益退化的机理,认为转换增益的退化是由于质子辐射引起的电离效应和位移效应导致暗电流、暗电流非均匀性增大所致。本文为掌握CMOS图像传感器的空间辐射效应提供了理论基础。 相似文献