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李留臣 《电子工业专用设备》2008,37(3):20-23
硅单晶生长设备——单晶炉是一种高技术含量的电子专用设备,由于太阳能光伏产业的飞速发展,设备的需求量不断扩大,对设备的性能要求更高,进行设备开发设计时不但要了解硅单晶生长的工艺要求,还要掌握机械、电子、计算机、真空、热动力学等方面的专业知识,只有将相关先进技术有机地集成在一起,才能够形成先进合理、可靠实用的单晶炉设备。 相似文献
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梁秀梅 《电子工业专用设备》2001,30(3):34-37
在单晶生产过程中 ,对单晶提拉速度有十分严格的要求 ,针对实际情况设计并分析了一种实用的、在极低转速下调速的控制系统。用该系统来控制提拉机械 ,具有结构简单、造价低的特点 ,实测表明系统的性能满足生产要求。 相似文献
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采用新工艺、新技术对激光、氧化物晶体生长炉的提拉装置进行全新设计,并对其精度进行了综合分析。该提拉装置精度高、稳定性好,适合生长大直径晶体,满足大规模工业化生产的需求。 相似文献
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随着大规模集成电路和太阳能光伏电池的飞速发展,越来越多的TDR-70A型单晶炉投入了市场应用,为了充分发挥设备的能力,有必要对设备的维护及故障的排除有更深的了解,结合设备的结构特点阐述了TDR-70A型单晶炉的维护与常见故障分析,供大家参考。 相似文献
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TDL-J60S激光晶体炉的开发研制 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种新开发的TDL-J60S激光晶体炉设备,设备的机械结构及电气控制,着重介绍 该设备的创新单元技术,上称重自动等径控制系统。 相似文献
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王蕾 《电子工业专用设备》2011,40(8):23-26,40
在直拉单晶硅生长过程中,埚跟比(即坩埚上升速度与晶体提拉速度的比值)的设置非常重要,它直接决定了液面位置的稳定性。其不但影响单晶硅成品的质量,而且不合理的埚跟比设置可能会在直拉单晶硅生长过程中出现变晶断苞,导致单晶生长失败。目前国内大多数光伏单晶硅生产商仅仅依靠人工经验来设置埚跟比,其准确性很难保证。采用体积元积分的方... 相似文献
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锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等。 相似文献
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分析了采用滑阀式真空泵直拉单晶炉真空系统的缺点;通过改造真空系统,将水环式真空泵应用在直拉单晶炉设备上,提高了直拉单晶炉的整体性能. 相似文献
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介绍了TDR-ZY40C型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。 相似文献