抽屉窑还原气氛的自动控制

国内间歇式抽屉窑的自动控制都是采用开环控制的方式，在氧化阶段较易实现温度、气氛的自动控制，在还原阶段能实现温度的自动控制，但对气氛无法进行真正的自动控制。针对抽屉窑还原气氛自动控制的问题，我们对窑炉控制系统、执行机构、控制方式进行了设计和改造，实现了抽屉窑在还原阶段温度、气氛都能进行自动控制，在技术上达到了国内先进水平。     

氧化还原电位在CAST工艺中的应用

考察了CAST系统厌氧选择区、主反应区中各时段DO、ORP及各项水质污染指标的变化.试验结果表明,在主反应区ORP主要受DO的影响,厌氧选择区中ORP与COD、TP浓度有较明显的相关关系.最后进行了设置三阶段ORP值控制曝气的试验,确认了用ORP控制CAST工艺的可行性.     

自动控制技术在电镀工艺参数控制中的应用

电镀液的浓度、温度和电流密度等是电镀工艺的重要参数。这些参数直接影响电镀中的金属离子还原和结晶的过程,从而对电镀层的功能性和装饰性等都有重要影响。人工控制这些参数存在许多变动因素,重现性较差,使产品质量产生波动。采用自动控制,特别是智能装备控制电镀工艺参数,将能提高电镀产品质量的稳定性。     

多晶硅还原工段余热回收

多晶硅还原工段占多晶硅成本18%~25%,对还原系统的能量消耗进行分析,进行余热回收,为多晶硅生产工厂和多晶硅工艺设计提供参考。     

Pt-SDB疏水催化剂的还原工艺研究

以水-氢同位素催化交换性能为衡量指标,对粒径为2.0 mm的Pt-SDB疏水催化剂的还原工艺进行了研究。首先确定了最优还原温度为280℃,并结合XRD、TG和TPR分析了还原温度变化对催化剂性能的影响;进一步优化确定了还原的时间与气速:24h和0.5 L/min,对Pt-SDB催化剂的制备和应用具有重要的指导意义。     

还原黑DB合成工艺研究

以还原深蓝BO(紫蒽酮)为原料,浓硝酸为介质和硝化剂,合成了还原黑DB(硝化紫蒽酮),并对合成工艺进行了研究。合成条件为:反应温度为(70±2)℃,保温3 h,m(硝酸)∶m(除铜BO滤饼折干算)=4.2∶1,在此条件下,目标产物收率达到90%,色光强度与标准样接近。此工艺条件简单,流程短,成本低,三废污染少,实现了清洁生产。     

高岭土的还原、络合漂白工艺研究

用还原和络合的方法对高岭土进行漂白，有效降低高岭土中铁的含量，并通过综合分析，采用正交实验设计方法优化选择出最佳的漂白工艺条件，为生产白度达85％的高岭土提供一种最简便有效的方法。     

“多晶硅还原电源系统”打破国外技术垄断

四川英杰电气股份有限公司承担的2014年战略性新兴产品＂多晶硅还原电源系统＂项目采用了多晶硅还原炉电源系统的一体化解决方案,在原有多晶硅还原系统基础上研制出了精度更高、稳定性更好、硅材料生产成本更低等高性能的36对棒、40对棒、48对棒以及更大生产能力的多晶硅还原电源。项目创新多层电源叠层控制技术,     

多晶硅还原炉内三氯氢硅氢还原过程的数值模拟

建立了多晶硅还原炉内SiHCl3氢还原过程的三维模型,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅棒高度和硅棒直径对沉积特性的影响。结果表明:随着硅棒高度的增加,SiHCl3转化率、硅产率和硅表面沉积速率不断增大,单位能耗不断减小;从反应的角度来说,硅棒高度越高越好;随着硅棒直径不断增加,SiHCl3转化率和硅产率逐渐增大,硅表面沉积速率先减小、后增大,单位能耗先急剧减小、然后趋于平缓;理论上硅棒直径越大越好,且最好超过120mm。     

多晶硅还原加压工艺研究

为了降低多晶硅生产成本,对多晶硅生产中的重要环节———三氯氢硅(SiHCl3)还原生成多晶硅工艺进行了改进,将还原炉操作压力由常压提高至0.6 MPa,比较了加压工艺与常压工艺在多晶硅的沉积速度、沉积时间、还原反应耗电量以及多晶硅产品质量等指标上的区别。结果表明,还原炉压力由常压(0.1MPa)提高至0.6 MPa、H2和SiHCl3的量之比降低至3.5～5/1、SiHCl3和H2混合气的最大流量增加至2 000 kg/h、平均供气量约为980 kg/h时,多晶硅的沉积时间由200 h缩短至100 h;沉积速度由7～8 kg/h提高到20 kg/h,提高了150%以上;反应所需的单位耗电量也从135 kWh/kgSi降到75 kWh/kgSi,降幅达44%,从而大幅降低了多晶硅的生产成本;同时,产品质量也得到极大的提升。     

多晶硅还原加压工艺研究

为了降低多晶硅生产成本，对多晶硅生产中的重要环节——三氯氢硅（SiHCl，）还原生成多晶硅工艺进行了改进，将还原炉操作压力由常压提高至0．6MPa，比较了加压工艺与常压工艺在多晶硅的沉积速度、沉积时间、还原反应耗电量以及多晶硅产品质量等指标上的区别。结果表明，还原炉压力由常压（0．1MPa）提高至0．6MPa、H2和SiHCl，的量之比降低至3．5—5／1、SiHCl，和H2混合气的最大流量增加至2000kg／h、平均供气量约为980kg／h时，多晶硅的沉积时间由200h缩短至100h：沉积速度由7～8kg／h提高到20kg／h，提高了150％以上；反应所需的单位耗电量也从135kWh／kgSi降到75kWh／kgSi，降幅达44％，从而大幅降低了多晶硅的生产成本；同时，产品质量也得到极大的提升。     

多晶硅还原炉倒棒原因分析

随着我国光伏产业和电子信息技术产业的快速发展,大量的多晶硅半导体材料被应用在太阳能电池和电子工业上。生产多晶硅的主要设备是大型节能还原炉,但是在生产过程中还原炉的倒棒致使设备损坏,备品备件大量被消耗以及产量质量的降低,能耗上升,生产成本提高。研究还原炉倒棒原因,通过改变进料喷嘴、优化工艺参数等来降低还原炉倒棒率就显得尤为重要。     

SBR废水处理工艺自控系统技术改造及应用

阐述了SBR废水处理工艺控制系统改造原理和改造内容。通过实际运行,取得了良好的改造效果,实现了各池自动运行,保证了水处理效果,减轻了劳动强度。     

基于MES的焦炉生产过程自动化控制的关键技术

伴随着信息技术的进一步发展,焦炉生产也逐渐开始向自动化、智能化和信息化方向发展,开始采用双曲线自动跟踪控制技术。在该模型技术下,炼焦生产MES在ERP管控一体下总体调度下,实现了焦炉生产自动化,进一步提高了炼焦生产效率以及质量。以焦炉生产自动化为研究切入点,对其进行了详细的研究和分析。     

多晶硅还原炉倒棒原因分析

分析了多晶硅还原炉倒棒的危害,并对多晶硅还原炉倒棒的原因进行了探究,最后给出了预防多晶硅还原炉倒棒的有效措施,为预防多晶硅还原炉倒棒提供了一些参考。     

化工自动化仪表的自动控制过程研究

化工生产过程中,为了实现自动化生产的目标,仪表自动化技术被广泛应用。研究自动化仪表的自动控制系统,通过仪表的自动化,进而达到石化生产过程的自动控制和管理,有助于提高化工生产的效率,保证化工生产的安全,创造最佳的经济效益。     

青霉素G发酵过程自动控制设计

介绍了青霉素发酵过程中自动控制的工程设计。结合青霉素工业化生产方式,制定了以控制溶解氧、酸碱度、温度和压力等参数的模块化工业生产自动控制方案。在制药工程中采用先进的自动控制设计可以在企业投产后大大提高生产控制水平和管理水平。