不用大尺寸掩膜版的曝光机

V．Tech．公司开发了6、7代TFT-LCD生产线的不用大尺寸掩膜版的曝光机。该曝光设备只要设定基板第一层的图形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情况下能够完成后面工序的曝光工艺；同时具有图形监测系统和许多个曝光光源，以及在基板移动方向上约5cm宽度的形成图形的掩膜版装置，可边移动基板边曝光，     

基于X光移动光刻技术的PMMA微透镜阵列制备

微透镜阵列的制备已经成为微光学领域的研究热点。利用两次X光移动光刻技术,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为正光刻胶,在PMMA基板上制造了微透镜阵列,并对其制作原理进行了详细说明。设计了制备微透镜阵列用的掩膜图形,并通过掩膜图形模拟仿真,预测了微透镜在两次移动曝光显影后的形状。第一次X光移动光刻后,理论上会得到半圆柱状三维结构;第一次光刻后将掩膜板旋转90,进行第二次移动曝光光刻,最终在PMMA基板上制备了面积为10 mm10 mm的3030个微透镜阵列,阵列中每个微透镜的直径约248m、厚度约82m。同时也研究了X光曝光量与PMMA刻蚀深度之间的关系。微透镜阵列形貌测试表明此种制备微透镜阵列的新方法是可行的。     

CRT荫罩制造技术及其在平板显示等领域的应用

CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀。将应用于制造荫罩的精密光刻精细腐蚀技术引伸应用到平板显示、微电子、微机械等领域，可以制作出高精度OLED金属掩膜版，LCD、PDP光学掩膜版等，使这一非常成熟的工艺焕发出新的活力。     

准分子激光加工PMMA生物芯片片基的实验研究

用准分子激光对高聚物材料进行微加工制作,可以得到比较理想的高聚物基生物芯片。采用248nm的KrF准分子激光器对PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)进行微细加工,探讨了准分子激光与PMMA相互作用的机理。进行了表面微通道制作和打孔实验,研究激光加工的工艺参数及加工质量的变化规律。结果表明,准分子激光蚀刻完全适合生物芯片的制作,而且加工过程简单,是一种行之有效的制作方法。     

三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构

提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。     

激光诱发前向转移技术在电子制造领域的应用

激光诱发前向转移是基于激光的诱导作用实现微量物质转移的技术.转移过程中激光与薄膜材料发生相互作用,使薄膜从源透明基板上剥离,转移到目标基板上,发生转移的薄膜最终在目标基板上发生沉积.作为微细加工的一种手段,激光诱发前向转移技术具备制作微小结构的能力,能实现金属、有机物、半导体和生物材料等多种材料的转移和图形制作,在电子制造领域有着广阔的应用前景.     

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。     

一种新式掩膜版制作工艺

无论是在半导体还是在微电子行业，掩膜版的制作都被视为一项非常重要的环节。随着科技及制造业的发展，掩膜版的制作技术也由一开始的手工刻红膜照相制版发展到现在的图形发生器直接绘图制版。不仅仅是效率，更重要的是在精度上得到质的飞跃和提高，为半导体和微电子行业的发展提供了坚实的基础和保证。本文回顾了制版技术的发展，并且结合中国大部分企业的现状，提出了一种独特的制版方法。     

高聚物生物芯片材料激光加工性能分析

用准分子激光对高聚物材料进行微加工制作,可以获得比较理想的高聚物基生物芯片。根据对制作生物芯片材料的性能要求,比较了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯(PC)对不同波长激光的光波透过率,测量了高聚物材料经准分子激光加工后的微结构,并得出准分子激光对不同材料的刻蚀速率与入射激光能量密度之间的关系。结果表明,PMMA和PC都能够完全吸收KrF准分子激光能量,可以用准分子激光在表面进行微加工制作生物芯片;用PMMA制作出的生物芯片,在使用时对检测结果的质量影响比PC小;对于相同的入射激光能量密度,准分子激光对PMMA的刻蚀率比PC高;由于与准分子激光之间的反应机理不同,PMMA更容易被加工,但是加工后的微结构质量较PC差。     

用多光子光刻制作65nm聚合物结构

常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。     

用金刚石薄膜制造X射线掩模版

用金刚石薄膜作为支撑层，金作为吸收体；同时，采用Ｎｉ合金过渡层来解决金刚石与金之间结合力小，热匹配性能差等问题。制作的掩模版具有较好的反差效果。同时，还具有工艺简单，成品率高等特点。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用

随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。     

任意三维表面微型光器件的灰度光刻技术

使用传统的微加工技术,如各向异性或各向同性干刻蚀、湿刻蚀只能加工有限形貌的表面,为了克服这一缺点,发展了多层掩模技术、激光三维立体光刻、电子束直接写入技术等许多三维微加工技术。灰度光刻最被看好,它通过灰度掩模把加工光束能量密度分布调制成不同的形状,对光刻胶进行曝光,微型器件一次成形,不需要移动掩模或移动加工晶片,也不需要对光刻胶进行热处理,只需要对掩模版进行一定的编码和标准的光刻设备,容易和其他IC工艺相兼容,实现系统芯片结构的制作。本文分析了它的物理机制、掩模类型、编码过程、约束条件和优化方法。     

质子LIGA工艺的探讨

提出采用掩模法的质子LIGA方法,即利用厚胶光刻产生掩模,然后进行质子束深度刻蚀、显影获得微结构。根据TRIM96程序进行模拟计算,该方法可以获得深度达数毫米、深宽比为30以上的微结构。利用通常的LIGA工艺制备了质子束深度刻蚀的掩模。在高能所35MeV质子加速器上进行曝光试验,结果表明,采用PMMA光刻胶具有足够的灵敏度。     

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。     

第二代接近式X射线光刻技术

介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10μm和5μm,表明第二代PXL具有很大的工艺宽容度;分析了纳米X射线掩模的具体结构、制作工艺和成本,相对于其竞争对手,在100 nm节点及其以下,X射线掩模的制造难度和成本是比较低的,而且随着电子束直写X射线掩模能力的进一步提高,X射线掩模更具优势;对几种常用的X射线光刻胶性能进行了分析,高性能的X射线光刻胶的研发不会成为PXL发展的障碍;对步进光刻机和X射线光源进行了论述,X射线点光源的研究进展对于第二代PXL的发展至关重要;最后介绍了第二代接近式X射线光刻的研究现状,尽管PXL的工业基础比起其它下一代光刻来说要好得多,但是比起光学光刻还差得很远,第二代PXL是否真正为硅基超大规模集成电路生产所接受目前还不得而知。     

Single mask dual damascene processes

Single mask dual damascene processes are described. The unique mask merges via and modified trench patterns. We design the mask’s trench area to have partial transmission using thin chromium or add phase shifted gratings in the trench area to achieve destructive interference for lowering the intensity. Optical proximity correction is used to obtain the desired lithography process window. Upon exposure, the trench results in a partial exposure while the via is fully exposed and a dual damascene (DD) photoresist profile is created within specifications. Following with an integrated etch can complete the DD image transfer into the underneath dielectric. A single mask DD process eliminates via/trench misalignment issues, can save up to one half of metal mask cost, and 50% of other processing costs. It is expected to also boost yield and improve product reliability.     

基于相位掩模板的常规光纤制备弱反射光栅

为了探索采用常规单模光纤制备弱反射光纤光栅的可行性,以降低材料成本和传输损耗,基于相位掩模板法,在常规单模光纤上刻制弱反射光纤布喇格光栅(WFBG),并进行了实验验证.建立相位掩模板刻栅系统光场统一方程,分析光场分布对光纤布喇格光栅(FBG)中心波长和反射率的影响;采用传输矩阵法分析相位掩模板长度、平均折射率变化对FB...