球形SiO2表面Ag纳米粒子生长及其拉曼增强效应

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为还原剂和稳定剂制备SiO2/Ag纳米复合材料,分析银氨络离子的浓度对银纳米粒子的影响,采用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)对SiO2/Ag复合材料进行表征,并研究以SiO2/Ag为基底的表面拉曼散射增强。结果表明,银纳米颗粒以多晶形式沉积在球形二氧化硅表面,通过调节银氨络离子的浓度可以改变Ag纳米颗粒的大小及其在SiO2上的沉积量;当银的沉积量增加时,表面拉曼散射也随之增强。     

抗坏血酸用于Ag纳米粒子的制备及其表面增强拉曼散射活性研究

采用硝酸银(AgNO3)为前躯体,抗坏血酸(Vc)为还原剂,通过一条绿色途径合成了Ag纳米粒子,其粒径大小分布范围窄.对产物进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度(UV-Vis)等多种手段进行表征.以吡啶(Py)作为探针分子进行表面增强拉曼散射效应的测定,具有很好的增强效果.结果表明,光谱的检测限为10-10 mol·L-1,且随探针分子浓度下降,拉曼信号变化趋势很稳定,为后续定量分析打下基础.     

玻璃基底上纳米银粒子的原位生长及其表面增强拉曼散射活性

利用预处理-化学沉积法在玻璃基底表面原位生长形貌各异的纳米银粒子,获得高活性的表面增强拉曼散射(SERS)基底。采用SEM、XRD和UV等测试手段对样品进行分析和表征,并考察纳米银粒子的形貌对其薄膜基底表面增强拉曼散射活性的影响。结果表明:随着反应液中硝酸银与乙二胺的摩尔比以及反应温度的改变,纳米银粒子的形貌发生变化。当反应温度为30℃、硝酸银与乙二胺的摩尔比为1:5时,制备出的由纳米银薄片组成的薄膜具有最强的紫外吸收光谱红移,可红移至800 nm;并且以此条件得到的表面增强拉曼散射活性基底具有最强的表面增强拉曼散射信号,拉曼增强因子达到258.4。     

银铜枝晶的生长及其表面增强拉曼散射

通过电沉积方法在铜箔上制备了泡沫铜,将该泡沫铜放入AgNO3溶液中沉积银铜枝晶。采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对枝晶形貌、元素及相组成做了分析,并研究了枝晶的表面增强拉曼散射(SERS)。研究表明:沉积电流密度和铜离子浓度都会显著影响银铜枝晶的生长,随着电流密度的增加,二次枝晶长度增加。当电流密度超过1.5 A/cm2时,电流密度的增大会抑制二次枝晶的生长;随着电解液中铜离子浓度的增加,二次枝晶长大,当铜离子浓度超过0.2 mol/L时,二次枝晶的生长会受到抑制,且发生粗化。与铜箔相比,银铜枝晶有更好的SERS效应,同一银铜枝晶薄膜不同点处的SERS强度明显不同。     

Au修饰WO_3纳米棒阵列的制备及其表面拉曼增强效应

研究了一种Au修饰WO_3纳米棒阵列作为高灵敏的表面拉曼增强基底。WO_3纳米棒阵列采用低温水热法生长在导电玻璃(FTO)上,然后通过离子溅射镀上Au颗粒赋予其表面拉曼增强活性。利用XRD、SEM、TEM对所制基底进行了表征,用罗丹明(R6G)作为探针分子检测了Au修饰WO_3纳米棒阵列基底的表面增强拉曼活性。研究结果表明,WO_3纳米棒截面为矩形,长宽为几十纳米,且表面均匀分布了直径为5 nm左右的Au颗粒。这种基底对R6G有很高灵敏度,检测限可达10~(-8 )mol/L,对于快速检测其他有机污染物具有很大的潜力。     

纳米TiO2包覆SiO2粒子的制备与表征

以微乳法制备的SiO2凝胶粒子(100℃干燥)为核,通过溶胶-凝胶工艺包覆纳米TiO2层,并对纳米TiO2包覆SiO2粒子进行相组成和结构表征.实验结果表明纳米TiO2包覆SiO2所形成的复合粒子的粒径为250 nm左右,其中纳米TiO2包覆壳层较均匀,厚度约为20 nm～40 nm.随煅烧温度的提高(550℃→850℃),包覆纳米TiO2壳层的晶粒尺寸可控制在20 nm以下,且为锐钛矿晶型结构.XPS和FT-IR证实所制备的纳米TiO2壳层与所包覆的SiO2粒子之间形成了Ti-O-Si化学键合.     

纳米SiO2表面接枝改性及其结构表征

为了提高纳米SiO2粒子与环氧树脂基体的界面作用力,促进其在基体中的分散,选择苯乙烯和马来酸酐作为单体对纳米SiO2粒子进行化学接枝改性。用红外光谱和核磁共振法对接枝的纳米粒子进行表征,用透射电镜和动态光散射对粒子分散性进行研究,结果表明,接枝链通过化学键接在纳米粒子表面,使得粒子分散性能得到提高。对影响接枝效果的引发剂浓度、单体浓度、反应时间、引发剂引发时间等因素进行了优化,得到了纳米粒子接枝的最佳反应条件。     

不同壳层厚度Au@SiO_2的表面增强拉曼效应

通过电偶置换反应制备了尺寸在30~35 nm的结晶性良好的Au纳米颗粒,并成功在其表面包覆了不同厚度的Si O2壳层,利用TEM、HRTEM和UV-Vis对样品的结构和形貌进行了表征,并以罗丹明6G(R6G)为探针分子,对Au@SiO_2复合粒子的表面增强拉曼散射(SERS)效应进行了研究。结果显示,相对于Au纳米颗粒,Au@SiO_2复合粒子显著提高了拉曼信号的质量和检测的灵敏度,且Si O2壳层厚度对其SRES效应影响显著,壳层厚度为2 nm的复合粒子对R6G分子的检测极限可达10~(-7)mol/L。     

碳纤维表面生长纳米碳管及其增强的炭/炭复合材料

采用化学气相沉积工艺在碳纤维表面生长了纳米碳管,将此种碳纤维作为增强材料,以中间相沥青为基体炭前驱体采用浸渍炭化工艺制备了炭/炭复合材料.观察了所得复合材料断口的微观形貌,测试了抗弯强度及热物理性能.结果表明,碳纤维表面的纳米碳管可以有效地提高纤维与基体的粘结力,复合材料的抗弯性能提高了50%,而对复合材料的导热性能影响较小.     

n?SiO2的表面改性及其增强环氧树脂复合材料的性能

纳米粒子在聚合物中均匀、稳定分散,是纳米复合材料具有优良性能的前提。文中通过选择表面活性剂改性纳米SiO2,提高纳米粒子在环氧树脂中的分散性,制备出不同含量的n–SiO2/环氧树脂聚合物复合材料,探讨了纳米SiO2对复合材料强度的影响规律。研究结果表明:改性后的纳米SiO2粒子在聚合物体系中呈单分散状态,均匀分布的纳米粒子与基体结合紧密,其在基体中起到了物理交联点的作用,对剪切力的抵抗能力增强,提高了复合材料的综合性能。加入6%质量分数的纳米粒子,复合材料的拉伸剪切强度可提高35.1%。     

等离子喷涂纳米复合Ag/SnO2电触头材料放电性能研究

采用化学共沉淀法和高能球磨法制备纳米Ag-12%SnO2混合粉末,用等离子喷涂法将混合粉喷涂在Cu基表面,制备纳米复合Ag/SnO2涂层。测试涂层的物理性能和真空条件下的电性能,利用SEM观察分析放电后的表面组织结构。结果表明,纳米复合Ag/SnO2涂层越厚,密度越小,电阻率越大,而硬度与SnO2分布状况有关;涂层表面平整度影响耐电压强度值的分布;纳米复合Ag/SnO2涂层的分散电弧性能好,电弧烧蚀速率小。     

高能球磨制备纳米CeO2/Al复合粉末

采用高能球磨法制备了纳米CeO2／Al复合粉末，并利用X射线衍射(XRD)、场发射显微镜(FEM)、扫描电镜(SEM)以及能谱分析(EDS)等测试分析手段，对球磨过程中复合粉末相结构、组织形貌和成分分布的变化进行了研究。结果表明：随着球磨时间的增加，纳米CeO2团聚体逐渐进入Al颗粒中，并被很好地分散开来，呈均匀弥散分布；Al晶粒尺寸不断细化。     

Ag/SiO2核-壳结构球的制备与光学性质

采用St(o)ber方法,以AgNO3与柠檬盐钠还原反应所制备出的Ag纳米颗粒为种子,合成了Ag/SiO2核-壳结构的亚微米球.用透射电镜(TEM)观测所得产物的形貌和大小,并用光吸收谱仪测试了Ag纳米颗粒的表面等离子体共振(SPR)引起的光吸收峰.     

粉末冶金法制备Al x CuFeNiCoCr高熵合金及其性能

采用粉末冶金法制备了Al_xCuFeNiCoCr高熵合金。研究了铝含量对合金性能和组织的影响,并讨论了合金制备过程中晶粒性能的变化。结果表明,在球磨过程中合金晶粒细化,且合金晶粒尺寸随Al含量的增加而增大。在烧结过程中,合金中会产生新的晶粒,并首先吸收一定热量形成含Al的金属间化合物。在1200 ℃加热2 h后,获得具有简单晶体结构的相,证实了高熵合金的形成。根据获得的能谱,合金组成均匀,合金化程度高。然而,随着Al含量的增加,出现了少量具有高Al含量的高对比度区域。合金具有良好的高温抗氧化性能和抗电化学腐蚀性能。随着铝含量的增加,合金的高温抗氧化性能提高。当Al含量为1mol%时,自腐蚀电压为-235 mV。随着Al含量的增加,硬度也增加。结果表明,当Al含量为1mol%时,合金具有最佳综合性能。     

Preparation of Nanoporous TiO2/SiO2 Composite with Rice Husk as Template and Its Photocatalytic Property

以稻壳为模板及硅原,采用溶胶凝胶法制备了具有高锐钛矿含量、高比表面积和较优光催化性能的TiO2/SiO2纳米孔复合材料。采用综合热分析仪（TG-DSC）、X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜、和N2吸/脱附手段对所制材料的热学性能、显微结构和化学组成经行了表征。结果表明,复合材料中锐钛矿型TiO2在700~800 ℃热处理后开始转变为金红石TiO2,1000 ℃转变完全。当处理温度在500~600 ℃时,纳米二氧化钛颗粒在稻壳引理生长,形成催化活性点。随着处理温度的升高,二氧化钛在稻壳孔隙结构表面形成层状结构。处理温度500 ℃时,TiO2/SiO2纳米孔复合材料具有最佳的催化性能,对甲基蓝的降解4 h达82%。     

热处理对片状银粉表面性能的影响

通过示差扫描量热计（ＤＳＣ）分析证明，片状银粉表面能量大小与粉末的物理状态有关，热处理时，会改变粉末的物理性能。     

纳米氧化锡银基电触头材料的研究

银氧化锡触头材料是近年发展很快的1种新型无毒电触头材料，它具有热稳定性好、耐电弧侵蚀及抗熔焊性能。试验采用溶胶凝胶法制备纳米SnO2粉末，通过掺杂、化学镀包覆等工艺改善SnO2的导电性能及氧化物和银的浸润性；从而降低银氧化锡触头材料的接触电阻、改善组织的均匀性，提高机械加工性能。     

前处理方式对壳核型Ag/SiO2电磁屏蔽涂层的影响

目的 制备镀层密实均匀、不易脱落、与树脂结合性好的壳核型Ag/SiO2导电粉体,以获得性能优异的Ag/SiO2电磁屏蔽涂层.方法 分别使用敏化、偶联剂改性、高分子表面包覆前处理方式,以葡萄糖作还原剂,氨水作Ag+络合剂,进行化学镀银,制备Ag/SiO2微珠.测试了复合粉体的导电性能,并结合试验现象,分析了前处理反应机理和银层生长机理.采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪,对不同前处理方式的Ag/SiO2微珠结构进行表征与验证.用不同前处理方式制备的Ag/SiO2微珠为填料,不饱和聚酯树脂为基体,制备导电涂层,研究不同Ag/SiO2微珠与涂层的结合性能以及填料含量对涂层导电性能的影响.结果 采用敏化前处理法所制备的Ag/SiO2微珠银层均匀、密实、无脱落,明显优于其他两种前处理方式,其压实电阻可低至144.04 m?,并且Ag/SiO2微珠填料添加量在80％时,可形成最优的导电通路,体积电阻率低至0.0051?·cm,电磁波频率8.2～12.4 GHz下的电磁屏蔽效能可达到51.9 dB.结论 采用敏化法前处理玻璃微珠表面可镀覆出质量优异的银层,且在树脂体系中导电性能好,可作为优质的电磁屏蔽剂制备导电涂层.