分辨率为800×600的硅基OLED微显示驱动芯片设计

设计了一款用于驱动分辨率为800×600的OLED微显示器的驱动芯片,利用10位的DAC将数字视频信号转成模拟信号,然后经过两个8位DAC实现数据的偏压和增益调整,可以适应微显示器在不同环境下对亮度和对比度的需要。像素电路采用了改进型的电压型驱动方式,能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用0.35μm 2P4M混合信号工艺完成了设计,进行了流片验证,已在芯片表面成功制作了OLED阵列,实现了微显示器的静态和动态画面显示,微显示器亮度可达11 000cd/m2,在此条件下,对比度可达到10 000∶1。     

用于OLEDoS微显示的电路设计

本文描述了用于OLED－on-Silicon微显的几种新型电路模块的设计问题，这些模块包括用于降低功耗的带门D触发器，具有最小尖刺噪声的电流模式DAC，所设计的象素单元对器件和工艺的差异不敏感，并具有较大的输出范围，文中展示了两种用上述模块制造的倒置OLED的微型显示样机。     

硅基高清OLED微显示器像素驱动电路的设计

本文提出几种新型的硅基OLED高清微显示器像素驱动电路。通过对这几种电路工作方式的详细研究,在性能、面积等方面分别进行对比,评价各个电路的优缺点。文中像素阵列的驱动方式基于分形扫描理论,提高扫描效率。     

一种提高硅基OLED微显示器对比度的像素电路

提出了一种应用于硅基有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)微显示驱动芯片的新型像素单元电路,具有三个MOSFET和一个存储电容。相比传统的电压驱动像素单元电路,增加的一个MOSFET,可以根据输入数据的变化,自动调节其等效电阻,降低像素单元的最小输出电流。本像素电路能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用SMIC 0.35μm 2P4M混合信号工艺进行设计,目前已成功应用于一款分辨率为800×600,像素节距为15μm×15μm的硅基OLED驱动芯片,经测试验证,输出电流范围为280pA~65nA,可以同时满足OLED阵列高亮度和高对比度的要求。     

微显示

微显示已广泛用在投影及头盔、手提摄像机等近目观看系统中。其独特的优点已成为显示家族中一个重要成员，且随着科技的发展和应用的拓宽将使它在显示家族中具有越来越重要的地位。文章概述了微显示所涉及的问题，评述了微显示的现状和发展，并对OLED微显示进行了讨论。     

利用VGA卡实现LED大屏幕显示系统的同步

LED大屏幕显示系统采用的是一种数字显示技术,需要外部提供驱动数字视频源,而VGA卡连接的是模拟监视器,从VGA显示卡上无法取得数字视频信号,本文分析了从VGA卡上取得数字信号来实现LED大屏幕与VGA同步显示的技术。     

一种新型硅基液晶微显示器件像素电路的研究

设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构，并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较，分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低，从而提高了像素电容的电压保持率，降低了闪烁，并减小了电磁干扰对像素电压的影响，提高了器件可靠性，同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力，改善了显示品质，适用于高亮度显示器件。     

一种新型硅基OLED微显示像素电路

在硅基OLED微显示器中,为了解决很小的像素驱动电流的难题,论文提出了一种像素电路。此像素电路由2个PMOS、2个NMOS、1个存储电容、1个OLED和4根信号线组成。并且利用HSPICE基于TSMC0.35μmCMOS5V工艺的参数进行了仿真验证。在此像素电路中,当OLED发光时流过OLED的电流是恒定的,并且通过控制OLED的发光时间来实现不同的灰度。此像素电路完全由数字信号控制,能实现精确的灰度调节。通过6个子场,实现了21级灰度,进而论证了实现64级灰度（0~63）的可能性。当OLED发光时,流过的恒定电流是35.3nA。     

硅基有机发光微显示像素驱动电路设计

由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.     

640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计

描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计.像素电流12 nA～1.6μA可调.每个像素点面积不超过400 μm2,信号最大扫描频率30 MHz.采用chartered CMOS 0.35μm 18 V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合.     

一种新的有源硅基OLED象素驱动电路

提出了一种新的有源硅基有机发光二极管(OLED-on-Silicon)象素驱动电路.该电路解决了具有特定象素大小的OLED的极小象素电流(小于1μA)与传统MOS器件大的饱和驱动电流之间的不匹配问题.利用Synopsys公司的仿真软件H-spice,对该电路和传统的两管象素驱动电路进行了模拟,结果表明该电路作为OLED-on-Silicon的象素驱动更容易实现多级灰度.     

硅基OLED微显示的数模融合驱动电路设计

当前,硅基OLED（organiclight-emittingdiode,OLED）微显示器正向高分辨率、高刷新频率方向发展。为了实现像素面积微小型化、降低扫描数据流量从而更好满足高分辨率、高刷新率的要求,提出了一种新型的有源矩阵硅基微显示驱动电路结构。该电路采用数模融合的扫描策略,该策略结合了数字脉宽调制方式和模拟幅值调制方式;设计了多列像素复用列驱动通道的结构,满足数模融合扫描方式的时序要求。最后通过对列驱动单元后仿真,得到关键时序参数,结合数模融合扫描策略确定了几个具体结构方案。在保证红绿蓝三色像素尺寸在10μm以下的情况下,与单纯的数字扫描策略相比,每秒数据流量降低了25%~64%。结果表明：基于数模融合扫描策略的硅基OLED微显示驱动电路在保证像素面积微小型化基础上,降低了扫描数据流量,有利于高分辨率高刷新率的显示。     

16级灰度320×240像素硅基有机发光驱动电路研究

使用华润上华（CSMC）0.5微米标准CMOS工艺实现了320×240像素硅基有机发光（OLED-on-Silicon）驱动电路。驱动电路集成了4位D/A转换器,实现16级灰度。提出了一种能够实现OLED微显示要求的极小电流驱动的3管电压控制型像素驱动电路。D/A转换器与像素驱动电路均以PMOS晶体管组成。OLED像素驱动中的传输门与电容器能够用来对D/A转换器的输出进行取样。在OLED像素驱动电路中加入一个额外的PMOS管,可以控制D/A转换器只驱动开启的一行,以降低芯片功耗。驱动电路可以正确的工作在50Hz帧频状态下,并给出了最终的电路版图。单个像素面积28.4μm×28.4μm,整个显示区域面积为10.7mm×8.0mm（对角线尺寸为0.52英寸）。测量的像素灰度电压波形表明驱动电路功能正确,测量芯片功耗为350mW左右。     

Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit

A 320×240 pixel organic-light-emitting-diode-on-silicon (OLEDoS) driving circuit is implemented using the standard 0.5 μm CMOS process of CSMC. It gives 16 gray scales with integrated 4 bit D/A converters. A three-transistor voltage-programmed OLED pixel driver is proposed, which can realize the very small current driving required for the OLEDoS microdisplay. Both the D/A converter and the pixel driver are implemented with pMOS devices. The pass-transistor and capacitance in the OLED pixel driver can be used to sample the output of the D/A converter. An additional pMOS is added to OLED pixel driver, which is used to control the D/A converter operating only when one row is on. This can reduce the circuit's power consumption. This driving circuit can work properly in a frame frequency of 50 Hz, and the final layout of this circuit is given. The pixel area is 28.4×28.4 μm2 and the display area is 10.7×8.0 mm2 (the diagonal is about 13 mm). The measured pixel gray scale voltage shows that the function of the driver circuit is correct, and the power consumption of the chip is about 350 mW.     

1.6 cm SVGA LCoS微型显示器的研制

介绍了我国自主开发研制的分辨率为800×600(SVGA)、以单晶硅为基底的微型液晶显示器--LCoS(Liquid-Crystal-on-Silicon,硅基液晶)显示器,并展示LCoS微显示器系统电路结构、显示芯片物理结构、微显光机放大原理、以及相关视频显示图像,从一个侧面反映了中国的LCoS显示技术研发水平.     

Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit

A 320×240 pixel organic-light-emitfing-diode-on-silicon （OLEDoS） driving circuit is implemented using the standard 0.5μm CMOS process of CSMC. It gives 16 gray scales with integrated 4 bit D/A converters. A three- transistor voltage-programmed OLED pixel driver is proposed, which can realize the very small current driving required for the OLEDoS microdisplay. Both the D/A converter and the pixel driver are implemented with pMOS devices. The pass-transistor and capacitance in the OLED pixel driver can be used to sample the output of the D/A converter. An additional pMOS is added to OLED pixel driver, which is used to control the D/A converter operating only when one row is on. This can reduce the circuit＇s power consumption. This driving circuit can work properly in a frame frequency of 50 Hz, and the final layout of this circuit is given. The pixel area is 28.4 × 28.4μm^2 and the display area is 10.7 × 8.0 mm^2 （the diagonal is about 13 mm）. The measured pixel gray scale voltage shows that the function of the driver circuit is correct, and the power consumption of the chip is about 350 mW.     

微型显示器技术(一)

什么是理想的便携式显示器？有一类便携式显示器体积小,重量轻,功耗低,能够显示几乎充满你视野的、大而明亮的高清晰度图像,这就是本文介绍的一类新型显示器件--微型平板显示器,文中描述了微显示器的主要应用领域及技术发展现状,并粗略介绍了相关的生产工艺技术.     

面向彩色有机微显示的有机白光顶发射器件

以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于Al底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOLED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4V下亮度超过1 000cd/m2、功率效率达到28.5lm/W,效率滚降较小。我们利用p型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的HOMO能级和电子传输层的LUMO能级不匹配问题,并通过TcTa光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性。基于Cu顶电极的TEWOLED与采用Al作为互连金属的CMOS工艺兼容,我们将该器件与硅基CMOS驱动电路结合,获得了SVGA白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础。     

一种基于数字灰度的微显OLEDos的片上电路设计

介绍了高分辨率硅基微显OLED的特性和时间子场的数字灰度技术,基于单晶硅CMOS成熟技术,给出了一种片上电路设计方案,方案采用2管的数字像素电路,集成了行扫描电路及列数据驱动电路,经模拟仿真满足设计要求。