喷雾燃烧制备SnO2纳米棒及其气敏性能

采用喷雾燃烧法制备SnO2纳米棒,对其形貌和结构进行了表征. 所制SnO2纳米棒长200~350 nm,直径30~50 nm,沿(001)方向生长. 考察了Fe掺杂量和Sn4+浓度对SnO2纳米棒形貌的影响,分析了其生长机理. 高温快速反应使Fe3+进入SnO2晶格,促使其沿(001)方向取向生长. 对乙醇等有机气体的气敏性能测试结果表明,棒状SnO2比颗粒状的具有更优的气敏性能,在100′10-6(j)乙醇浓度下,棒状SnO2的灵敏度为12,反应和恢复时间分别为9.5和6 s.     

SnO2纳米材料气敏性能的研究进展

近年来,金属氧化物半导体气敏传感器已经广泛地应用于人们的日常生活中,并成为传感器领域的重要分支。其中,SnO_2是最早被研究的一类气敏材料,属于典型的n型半导体金属氧化物,具有制备简单、成本低廉、性质稳定等优点。主要介绍了SnO_2纳米材料气敏性能的研究进展,详细描述了该材料的气敏机理、改性手段,并对其实用化的前景进行了展望。     

SnO2气敏材料的研究进展

SnO2气敏传感器具有元件制作简单、使用寿命长、稳定性好、对气体的响应时间短等优点,已成为一个重要的研究课题.气敏反应是气体与材料表面接触后发生的化学反应,因此材料的表面组成、掺杂改性、缺陷分布、比表面积等都会影响材料的气敏性能.本文综述了近年来SnO2气敏材料的不同制备方法,以及金属氧化物和贵金属掺杂的SnO2气敏材...     

稀土掺杂生物形态 SnO2多孔陶瓷材料的制备及气敏性研究

采用碱液处理改性的苎麻纤维做生物模板,进行稀土氧化物掺杂,制备苎麻形态La掺杂SnO2遗态陶瓷材料。对制备材料的组织成分和显微结构进行分析与表征,并测试了材料的比表面积、孔径分布及气敏性能。结果表明：掺杂稀土氧化物可抑制SnO2的长大,改善SnO2气敏材料对C2 H5 OH、CH3 COCH3及H2的气敏性能。     

掺Ni2+金红石型SnO2纳米粒子的制备及表征

采用化学共沉淀法制备掺Ni2+的SnO2纳米粉体。研究表明,不同pH下得到的样品均为四方相金红石型结构的SnO2,在pH=5时,Ni2+的利用率出现极大值99.97%;升高煅烧温度或延长煅烧时间,样品结晶程度都会随之增高,同时晶粒尺寸也呈现增大的趋势;所得样品呈球形,粒径约为60 nm。将掺Ni2+的SnO2粉体涂于白云母表面制成元件,测试粉体的电性能以及气敏性能,结果表明,在温度由30℃上升到150℃的过程中,元件电阻从33.1 kΩ近似线性地降低到4.8 kΩ;H2体积分数越大,元件对其敏感程度越高。     

纳米SnO2粉体及其掺杂体系液相化学法的研究进展

概述了近年来SnO2粉体及SnO2掺杂体系粉体的液相制备的研究近况。利用化学液相法能够制备出晶体结构完整、粒径分布范围窄、团聚少、粉体分散性能良好的纳米SnO2粉体以及SnO2掺杂体系粉体。     

液相直接沉淀法制备纳米SnO2

在单因素实验和Box-Behnken实验设计基础上,利用响应面分析法,对影响纳米SnO2收率的工艺条件进行优化研究,验证实验显示,得到的最优条件能够很好地符合预测值。通过单因素和响应面分析实验,得到了纳米SnO2最优工艺参数:水解温度80℃、水解时间44 min、滴加浓度为0.84 mol/L的SnCl4.5H2O 27 mL反应,产物在700℃下煅烧180 min。SnO2平均收率可达99.77%,平均粒径为23.6 nm。取得的最优工艺条件可以很好地用于纳米SnO2的生产,具有一定的理论与实用价值。     

水热法制备ZrO_2纳米微晶及对乙醇和丁烷气敏性研究

用水热法制备 Zr O2 纳米微晶的平均尺寸为直径 5 nm,长 7.5 nm。由 X射线衍射确认晶相为单斜相。并对其形状和大小进行了透射电镜和激光散射分析 ,结果表明 Zr O2 纳米粒子在水溶液中存在软团聚 ,团聚体平均尺寸约 90 nm。着重研究了 Zr O2 纳米微晶对乙醇及丁烷的气敏性能 ,结果表明用纳米级 Zr O2 粒子制备的气敏元件对乙醇和丁烷有好的气敏性。并且随着纳米粒子尺寸降低 ,对气体敏感性增强     

Cu掺杂SnO2纳米粉体的制备及气敏特性

控制不同n(Cu2+)/n(Sn4+),用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80 nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体;并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件。用TG-DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析,并测试了气敏元件的阻温特性和75℃氢气敏感性能。结果表明,Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长,使SnO2结晶度由约75%减小到50%,晶粒尺寸由约18 nm减小到6 nm;Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1~8 kΩ提高到9×105~3×107MΩ,并使元件在75℃对体积分数为2 000×10-6氢气的灵敏度提高约20倍;n(Cu2+)/n(Sn4+)≈0.01时,元件对体积分数为4 000×10-6氢气的灵敏度高达约42。     

纳米SnO2微粒的制备及其表征

以SnCl4.5H2O为原料,用水热合成法制备粒度均匀的纳米SnO2微粒。研究了反应物浓度、反应时间、反应温度等因素对SnO2微粒尺寸的影响。用DSC研究SnO2微粒的热性能,用激光光散射仪和透射电镜分析和观察SnO2微粒尺寸的影响。用DSC研究SnO2微粒的热性能,用激光光散射仪和透射电镜分析和观察SnO2微粒的形态和尺寸。     

纳米晶SnO2合成的溶胶-凝胶制备方法

采用一种新的溶胶-凝胶法制备了氧化锡纳米晶.通过向硝酸锡溶液中加入酒石酸形成稳定的酒石酸锡的配合物,再向上述稳定的配合物溶液中滴加乙腈溶剂,配合物溶液出现了溶胶,再形成凝胶.对凝胶进行洗涤烘干后直接得到晶粒大小为4.5 nm的氧化锡纳米晶.200 ℃和400 ℃热处理得到的氧化锡纳米晶的晶粒大小分别为8.4 nm和13.7 nm.透射电子显微镜显示获得的纳米晶的分散性能很好.本方法对于无氯离子方法制备高纯度氧化物纳米晶具有推广意义.     

溶胶-凝胶法制备锑掺杂氧化锡纳米粉体

以金属锡粉和三氧化二锑为金属原料,制备得到柠檬酸锡、锑的配合物溶液,向其中加入乙腈,形成溶胶-凝胶过程。对洗涤后的凝胶进行不同温度热处理得到锑掺杂氧化锡纳米粉体。随着锑掺杂量的增加,纳米粉体的晶粒减小,比表面积增加,晶胞参数也发生相应变化。随着热处理温度的升高,纳米颗粒长大,比表面积减小,高锑掺杂量的氧化锡纳米粉体显示出结晶性下降的趋势。     

SnO2／TiO2复合氧化物制备及其光催化性能研究

文章以Ti（SO4）2、Na2CO3和SnCl4为原料,在超声振动下发生共沉淀反应,经离心分离,干燥,焙烧,制备了SnO2／TiO2复合光催化剂。在高压汞灯照射和搅拌下,以靛蓝胭脂红水溶液为模拟污染物进行光降解实验,实验发现SnO2/TiO2有较好的光催化活性,当掺锡为1％时,靛蘸胭脂红的降解率能达到91％。     

微波水解法制备掺钇二氧化锡气敏材料的研究

以SnCl4·5H2O、尿素CO(NH2)2和YCl3为原料,利用微波水解法分别制备了纯的和n(Y3+)为2%、3%、4%、5%的SnO2纳米粉体.利用XRD对其进行物相分析,SEM观察其形貌.就其对1 000mg/L质量浓度汽油的灵敏度进行测试.结果表明:Y3+的掺杂抑制了SnO2晶粒的生长,且掺杂对SnO2晶格没有影响;当工作温度为400℃时,适量Y3+的掺杂提高了对汽油的灵敏度;最佳工作温度时,n(Y3+)为2%的SnO2对1 000mg/L的汽油灵敏度最大为20.7,明显优于对1 000mg/L丙酮的灵敏度.     

水热法制备稀土元素掺杂二氧化锡及其对乙醇气敏性能

利用水热法制备了SnO2粉末及掺杂不同稀土离子的SnO2粉末. 通过XRD和气敏测试仪对其结构和性能进行了表征和测试. 结果表明,所制备的SnO2粉末呈四方金红石结构,稀土离子的掺入并没有改变SnO2的晶体结构,也无新晶相的出现. 掺杂镧的SnO2样品(SnO2:La)对乙醇有较高的气敏性. 分析了气敏机理. SnO2:La的灵敏度随着乙醇浓度的增加而增加,随温度的升高呈现波动状,且当温度在250℃时,SnO2:La对1.00′10-4乙醇的灵敏度最大,可达到101.1. 在此条件下其响应时间和恢复时间约为5 s.     

纳米氧化铟锡制备方法研究

介绍了近年来纳米氧化铟锡(ITO)粉末几种常用的制备方法,着重讨论了共沉淀法,溶胶-凝胶法,水热法等工艺,并比较了几种制备方法的优缺点。共沉淀法具有流程简单,操作容易控制,环境污染少,产品性能稳定等特点,是较有前途的方法。     

rGO-SnO2纳米复合物制备及室温下NH3气敏性能

采用沉淀-焙烧法制备了室温下对NH3具有高灵敏度和高选择性的rGO-SnO2纳米复合材料。利用X射线衍射（XRD），傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子能谱（XPS），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM）和比表面积（BET）表征分析了纯SnO2与rGO(1.0%)-SnO2纳米复合物的属性。与纯SnO2相比，rGO(1.0%)-SnO2纳米复合物中SnO2晶体尺寸较小，约为6~20nm，比表面积更大，为33m2/g；rGO(1.0%)-SnO2纳米复合材料对0.01% NH3的灵敏度达到了49.6%，是相同NH3浓度下纯SnO2灵敏度的2.1倍，并且响应和恢复时间分别为21s和204s，比纯SnO2缩短了24s和10s，具有良好的重复性，选择性与稳定性；rGO(1.0%)-SnO2纳米复合材料优良的气敏性能是由rGO与SnO2产生的p-n异质结以及溶解的NH3电离出导电离子共同作用的结果。