砷化镓能为我们做些什么？──记1993年GaAs IC会议第15次年会

砷化镓能为我们做些什么？──记１９９３年ＧａＡｓＩＣ会议第１５次年会１会议简介１９９３年１０月１０日至１３日在美国加里福尼亚州众所周知的硅谷中心圣河塞市举行了１９９３年ＩＥＥＥＧａＡｓＩＣ研讨会，即ＧａＡｓＩＣ会议第１５次年会。此次会议由ＩＥＥＥ的Ｅ...     

GaAs IC的最新进展——第十八届GaAs IC研讨会简介

ＧａＡｓＩＣ的最新进展——第十八届ＧａＡｓＩＣ研讨会简介１会议简介１９９６年１１月３～６日在美国奥兰多市举办了第１８届ＧａＡｓＩＣ研讨会。大会共收到论文１４５篇，会上宣读了６１篇，特邀报道１２篇。其中美国４４篇，日本１９篇，西欧８篇，中国台湾和加拿大...     

预测全球GaAs IC市场

预测全球ＧａＡｓＩＣ市场据ＩＣＥ报道，１９９４～１９９５年ＧａＡｓＩＣ生产水平为１００ｍｍ圆片０．４μｍ工艺，部分达１５０ｍｍ圆片。目前销售的ＧａＡｓＩＣ达３５万门。１９９４年全球ＧａＡｓＩＣ市场为５．２亿美元，１９９５年为５．６亿美元，１９９６年为...     

摩托罗拉公司加速GaAs IC制造计划

摩托罗拉公司加速ＧａＡｓＩＣ制造计划据日本（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏＷｏｒｌｄ）１９９３年第８期报道，美国摩托罗拉公司ＧａＡｓＩＣ批量生产前期工程制造厂正在进一步推行逻辑存储器的生产计划。始于１９９１年１月的ＧａＡｓＩＣ前期工程技术开发计划原定３６个...     

20Gbit／s HBT调制器驱动IC

２０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＨＢＴ调制器驱动ＩＣ据《ＮＥＣ技报》１９９５年第５期报道，ＮＥＣ公司新开发的ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ，应用于２０Ｇｂｉｔ光调制器驱动ＩＣ中，获得了良好的超高速和高压输出性能。在ＩＣ制作中，ＮＥＣ采用了独特的异质护环ＨＧ－ＦＳＴ工...     

GaAs IC CAD方法

本文重点论述ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓ ＭＥｓＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化；砷化镓门阵等。还评述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ集成软件包及进一步工作。     

140GHz工作的放大IC

１４０ＧＨｚ工作的放大ＩＣ据《日经》１９９５年第６２６期报道，美国ＴＲＷＩｎｃ．的ＥｋｃｔｒｏｎｉｃｓＳｙｓｔｅｍｓａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤｉｖｉｓｉｏｎ已制成工作频率１４０ＧＨｚ的ＩｎＡＩＡｓ／ｌｎＧａＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ两级单片放大ＩＣ，可用...     

1998年GaAs市场将达12亿美元

１９９８年ＧａＡｓ市场将达１２亿美元据ＩＣＥ报道，目前ＧａＡｓＩＣ厂家总的销售额为３５万门以上。１９９３～１９９８年ＧａＡｓＩＣ市场年平均增长率为２３％，１９９８年，ＧａＡｓ市场将达１２亿美元。ＧａＡｓＩＣ现以４英寸片子为主，而ＩＣＥ报道，从１９９４...     

1WKu波段AlGaAs／GaAs功率HBT最大功率附加效率达72％

１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...     

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。     

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ技术开发应用方面的建议。     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE GaAs IC讨论会侧记

本文简要介绍了１９９４年ＧａＡｓＩＣ讨论会概况以及所展示的ＧａＡｓＭＭＩＣ的进展，并侧重于其应用领域的介绍。     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

最高工作频率12GHz的预标记GaAs IC

最高工作频率１２ＧＨｚ的预标记ＧａＡｓ　ＩＣ据杂志１９９３年第５７６期报道，ＲＩ４１４０４是最高频率为１２ＧＨＺ的预标记ＧａＡｓＩＣ。该ＩＣ是由ＧａＡｓＨＢＴ构成的。主要用于测试和光纤传输等。４分频器的电源电压为一６Ｖ（标准），耗散功率为２７０ｍｗ。...     

微波器件及IC用SI—GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出了今后的方向。     

微波器件及IC用SI－GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今后发展的方向。     

空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ，并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明，空间生长的半绝缘ＧａＡｓ单晶的全面电性能均优于常规ＩＥＣ半绝缘ＧａＡｓ单晶。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展

介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。