电子束熔炼、焊接、加工、蒸镀与区域熔炼等装置

这次去日本主要参观了日本真空技术株式会社(以下简称日本真空)及日本电子株式会社(以下简称日本电子)两家电子束装置的设计制造工厂,也参观了几家这类装置的使用厂与研究所。 目前在日本已将电子束应用于熔炼、焊接、精密加工、金属蒸发、区域提纯、电子显微镜与电子衍射仪等设备、仪器上。对长聚焦电子束的结构有些研究,似乎积累一些设计与制造的经验及数据。从电子束的设计、结构与应用方面来看,日本电子似乎较为专业化、产品种类较多,但日本真空,对电子束的设计应用也进行了一些工作,能做各种冶炼、焊接、区域熔炼与蒸发镀膜等装置。我…     

用电子束真空蒸镀法将二氧化锆和二氧化硅透光保护膜镀在玻璃上

用电子束真空镀膜法在加热到300℃的衬底上镀制了双层1/4波长ZrO_2—SiO_2和单层SiO_2薄膜,大大提高了玻璃的透过率(τ_(π2x)～98÷99％),并在40℃,相对湿度达80％和周期降露的条件下可提供良好的防蚀性能。此种涂层可用来保护不稳定玻璃免受潮湿空气的腐蚀,亦可用来制备各种透光膜,     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

塑料薄膜的真空蒸镀技术和应用

塑料薄膜在真空中蒸镀铝、锌等金属已有二十余年工业化历史。蒸镀金属后的薄膜具有金属光泽和导电性,用来制造金银丝、贴花等装饰品和电容器。近年来由于这种材料具有优良的综合性能、又比较经济,因此在包装方面的应用发展很快。随着薄膜的成型和表面处理技术的改进,再加真空中镀膜既省能又无公害,所以塑料薄膜的真空镀膜技术日益受到人们的重视,真空蒸镀薄膜的用途也越来越广泛。     

用真空蒸镀法制备垂直记录带

关于将垂直记录技术用于软磁盘和硬磁盘的报道已经很多,但将其用在磁带上还是新课题。垂直磁记录带可用真空蒸镀法制备,其产量与普通涂敷法相同,松下电气公司对采用连续真空蒸镀法制备以坡莫合金为衬底的钴铬垂直磁记录带的技术做了进一步研究。     

真空蒸镀氧化铟透明导电膜

一、前言 本文介绍一种制造透明导电膜的方法,即用高纯铟作膜料,通过电阻蒸发制成氧化钢透明导电膜。由于它不是用合金而是用高纯铟作膜料,故节省了原料。由于它用电阻蒸发镀膜而不用电子束蒸发,所以省去价格昂贵的具有电子束蒸发的镀膜机,另外由于此法可以一次成膜,不必再在大气中进行退火处理。因此又节省了人力和电力,因而是一个经济、简便、切实可行的方法。透明导电膜既透明又导电,具有良好的光学性能和电学性能,因而有着重要而广泛的用途,譬如可用作绝热玻璃的红外反射层;车辆、船舰、飞机、宇宙飞船、人造卫星等玻璃的电热层(用于防…     

电子束蒸镀半导体光电器件的增透膜

用自动电子束蒸发设备，蒸镀用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二极管的增透膜。结果表明，对波长为０．８μｍ左右的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二极管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３介质膜后，其输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入，可增加２５－３５％，最大可增加－５０％。对１．３μｍ波长的ＩｎＰ系列红餐发光管，用ＺｒＯ２作介质增透膜效果更好。     

电子束蒸镀快速沉积铜膜研究

利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时,沉积速度非常低。这是因为熔融的铜与钨坩埚是浸润的,当提高电子枪功率时,液态铜的表面自由能随着温度的升高而降低,液态铜会沿着坩埚壁向上铺展,消耗电子束能量。为此,对钨衬埚壁进行结构优化,阻止了电子枪功率较高时液态铜的向上铺展,将铜膜的沉积速度从2?/s提高到20?/s,并对不同沉积速率制备的铜薄膜的粗糙度、均匀性、应力进行对比,验证了该方法的可行性。     

光阴极直流高压电子枪的极高真空系统

设计了一套用于光阴极直流高压电子枪的极高真空系统。首先对电子枪真空腔室的钛阳极、阴极和高压陶瓷分别进行表面处理及烘烤除气后确定材料表面放气率,然后对真空室压强进行模拟计算并确定配泵方案,最后在现场组装、检漏后对真空系统进行调试。调试过程中为了保证不能被直接加热的内部阴极杆在烘烤时充分除气,使用ANSYS-Fluent软件的S2S辐射模型对烘烤过程进行模拟并确定烘烤温度与时间。经过真空调试,电子枪腔内真空度为5.6×10~(-10)Pa,满足其极高真空设计要求。     

苏联现代真空蒸镀工艺一瞥

几年前,自从在 SVC 年会上提交了一篇题为《苏联电子束蒸镀工艺》的文章之后,苏联真空沉积领域内出现了一些令人关注的重大进展。本文将以这些成就为题,主要叙述真空镀膜的一些方法,其中主要包括电子束蒸发沉积的不同方法。     

确定真空蒸镀起始压强的方法

真空蒸镀时镀膜室内的环境压强如何选择才合适，这是获得优良薄膜的重要前提。本文简要论述压强Ｐｒ与工件相对蒸发源距离Ｌ间的关系，从而确定蒸发镀膜时所需的起始压强大小。     

生产用大型蒸镀设备真空系统的故障与诊断

以ＺＺＷ－Ｈ１４００Ⅱ大型真空蒸发镀膜设备为例，结合生产实际，详细介绍了设备真空系统常见故障与诊断、排除方法     

大规模真空蒸镀二氧化钛薄膜及其表征

采用大型真空镀膜设备在玻璃基底上蒸镀二氧化钛(TiO2)薄膜,并对TiO2薄膜进行了SEM、AFM、XRD、紫外可见光吸收光谱、亲水性的测试及分析,探讨了退火温度对薄膜性能的影响.结果表明制备的TiO2薄膜具有良好的均匀性.在室温条件下,TiO2薄膜具有无定型的结构;在300～500℃的条件下,TiO2薄膜退火2h后以锐铁矿晶型为主,600℃退火的TiO2薄膜明显向金红石型转变.随退火温度的升高,薄膜对紫外光和可见光的吸收有明显提高,并出现了明显的红移现象.另外,亲水性也随退火温度的升高而变强,500和600℃退火的TiO2薄膜表面出现超亲水性.     

离子镀膜用长寿命阴极电子枪

以硼化物为热电子发射体.在热阴极自持弧光放电状态工作的低电压大电流空心明极电子枪,在离子镀膜设备中用以熔化蒸发并电离膜材料。着重简述枪工作原理,对枪结构主要尺寸,气、电工作参数进行了设计.估算了枪效率。枪的结构简单,放电功率5～8kW.工作350h 后性能稳定。     

TiO_2在e型电子枪蒸镀时扫描模式的研究

本文主要是对TiO_2在e型电子枪蒸镀时的扫描模式设定进行了研究,以此来调整TIO_2在真空镀膜时的特性,保证TiO_2在形膜过程中获得相对稳定的良好状态。     

真空电子束熔炼炉用冷却装置的模块化设计和应用

针对真空电子束熔炼炉工艺安全与工程实际应用,需设计一套冷却装置,以满足30k W高换热量、功能模块分离和高安全保护的要求。本文通过对冷却装置的水冷模块进行理论计算,对控制模块和保护模块进行了故障模式分析和逻辑判断,提出了一种模块化设计的冷却装置。研究结果表明,该冷却装置运行稳定可靠,冷却效果好,安全性高,可保障电子束熔炼炉的稳定运行。     

钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层的组成和结构

对钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层进行了研究,并将钛合金表面蒸镀层及附近的组成和结构与未作蒸镀处理的钛合金的组成和结构作了对比分析,对经蒸镀处理后的钛合金试样表面元素含量的变化作出了初步的解释。     

关于真空蒸镀技术中的几个问题

在党的自力更生的方针指导下,我厂自制了几台真空镀膜设备,较快地解决了光学零件的镀膜生产问题。本文拟就我厂几年来在自制设备与工艺试验过程中所遇到的有关设备和工艺方面的几个问题作一些介绍。