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分析了锁式铁氧体器件的等效负载特性,在此基础上给出了专用驱动电路的设计,并分析了其原理以及应用结果。从中可以看出,该电路能用于驱动所有锁式铁氧体器件,特别适用于驱动锁式铁氧体移相器。 相似文献
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一种高速线列CCD驱动电路钱思明(中国科学院上海技术物理研究所,200083)线列CCD是一种广泛应用的一维图象传感器。在某些应用场合,例如对高速运动的目标扫描成象时,要求CCD工作在高的时钟频率,这就需要相应的高速驱动电路。美国仙童公司出品的CCD... 相似文献
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一种新型压电陶瓷驱动电路浙江大学傅卫压电陶瓷作为一种精度高的工作台微动机构,是不少精密仪器所必不可少的。它利用加在其上面的电压。通过压电晶体的电致伸缩特性,产生与电压相应的形变,推动工作台移动。精度达几至几十纳米,形变总量一般可达几十微米。但它所需电... 相似文献
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孙丹 《信息技术与信息化》2021,(5):185-187
针对目前微波射频电路中广泛使用的PIN开关要求的高速、高驱动能力的需求,提出了一种以MOSFET驱动器LTC4444为核心器件的驱动电路思路.介绍了将其用于PIN开关驱动电路时加速电路设计方法,该方法基于LTspice仿真技术.然后,通过该仿真技术设计了一款PIN开关驱动,该驱动电路工作电压范围为±5 V,TTL电平控... 相似文献
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为实现24针打印机的小型化,并降低功耗,应减小印刷板电路板积,使用LSI和具有驱动能力的IC芯片,这就要求改进电路,提高打印头电流的利用率。本文介绍国外MTA001、MTA002组合逻辑器件,可实现高速打印,无须附加任何器件,便可使速度提高20%,功耗减少20%。 相似文献
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Mehran Aliahmad C. André T. Salama 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》1998,17(3):261-274
This paper presents a 30 V line driver for short loop subscriber line interface circuit applications. The high voltage line drivers was implemented in a low-voltage 0.8 m BiCMOS process using 30 V extended-drain MOS transistors, fully compatible with the low voltage technology. Using a Quasi-Current Mirror architecture for the output stage, the line driver is capable of delivering more than 30 mA current into the lines with an idle current as low as 1 mA, satisfying the short loop requirements. With less than 0.24 mm2 area, the circuit can be easily integrated with low-voltage circuitry on a single chip. 相似文献
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为简化电路结构,提高精度和降低功耗,提出了一种新型过温保护电路。该电路无需基准电压和比较器,利用PTAT电流源的正温度系数特性,对温度进行检测,同时设计迟滞回路,避免了热震荡的发生。基于HHNEC的0.35μm BCD工艺实现,在电源电压为3V~5.5V下进行测试结果表明,该电路热关断温度为165℃,温度迟滞量为15℃,误差为1℃,与仿真结果一致,可以广泛应用于功率集成芯片中。 相似文献
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一种用于马达驱动芯片的过热保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种应用于马达驱动芯片的过热保护电路。该电路主要由使能电路、基准电压源、温度检测电路、比较输出电路四部分组成。其中,温度检测电路利用PNP晶体管的发射极-基极电压具有负温度系数的特点;为了防止热振荡发生,比较输出电路采用具有磁滞功能的电压比较器。HSPICE仿真结果表明,该电路温度灵敏度高,关闭和开启温度点受电源的影响很小。 相似文献
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采用硅双极工艺制作了一种单片8位高速乘法型D/A转换器。该电路具有精度高、速度快、与各种逻辑兼容、使用灵活等特点,在数据采集、数据处理系统、CRT、波形产生器、A/D转换器、伺服马达、VCD、可编程电源、音响编码及衰减器、高速调制及解调装置中具有广泛的应用前景。 相似文献
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DAC和驱动Buffer是TFT-LCD源驱动电路芯片中的重要模块,决定着芯片的主要性能。文章讨论了传统的R-DAC结构及其用于10-bit TFT-LCD源驱动电路时的弊端,详细阐述了新型R-DAC+C-DAC的原理以及设计方法,并采用0.35μm 5VCMOS工艺设计和实现了该电路。Hspice仿真结果表明,所设计的DAC电路的DNL和INL分别小于0.4LSB和1.5LSB,输出电压的建立时间小于3.5μs。该新型结构DAC的面积约是传统结构面积的1/8,且能够实现10亿色(210×210×210)的全真彩显示。 相似文献
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提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL SI电路中的同步开关噪声特性 相似文献