醇热还原法包覆超微Si3N4粉体

针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富含N-H键的特性,以RuCl3为钌源,采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆.并利用傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱分析(UV-Vis)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征.研究结果表明,在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒.并对钌包覆层的形成机理进行了讨论.     

热浸渗法制备Si3N4陶瓷覆层初探

在钢铁材料表面改性的基础上，提出了反应生成Ｓｉ３Ｎ４陶瓷覆层的思想。热力学及Ｘ－Ｒａｙ衍射分析表明，通过热浸渗技术可在碳钢表面制备性能优异的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷覆层。     

Si3N4陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理

采用氧化后再化的实验方法,通过对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料化为的研究和氧化动力学的分析,了Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的氧化机理。结果表明,Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律：（△Ｗ）＾Ｋｐｔ。     

Si3N4陶瓷与不锈钢摩擦性能研究

研究了Ｓｉ３Ｎ４陶瓷与ＳＵＳ３０４不锈钢摩擦性能，认为反应烧结氧化硅的微观结构有利于储存润滑介质，同时发现水基润滑剂具有较好的润滑效果，主要原因是摩擦化学反应层的存在使摩擦系数降低，在研究基础上，将氮化硅陶瓷用作金属塑性成形模具材料，实验证明，反应烧结氧氮化硅陶瓷制造模具可成功用于不锈钢的拉深。     

合金元素对Si3N4陶瓷生成的影响

以合金元素为添加剂制备氮化硅陶瓷.比较了Ti、Mg、Fe和A l四种合金元素对氮化硅生成的效果,结果表明单一元素Fe的效果比较明显;探讨了Fe含量在0.25%~5%(质量百分数)之间对Si3N4生成的影响,为了避免Fe-Si化合物的生成,Fe的加入量不宜大于1%;对比了复合元素(Fe A l)添加与单一元素(Fe)添加的效果,在添加剂含量相同的条件下,复合元素(Fe A l)比单一元素(Fe)的氮化效果较理想.     

Si3N4基复合材料的研究与应用进展

评述了Si3N4基复合材料的研究与应用进展,其中重点介绍了Si3N4基复合材料的制备工艺和力学性能;同时分析了我国在该领域的研究现状,并提出了今后的发展前景.     

Si3N4／钢钎接时热应力缓和问题研究

通过碳钢与Ｓｉ３Ｎ４陶瓷钎接后残余应力的分析，论述了应力缓和材料的选择原则，对种类材料热物理性能进行了分析比较，选出一些能实际应用的应力缓和材料，通过纤焊实验，证实采用适当的接头形式能有效地防止钎焊裂纹的出现，提高了钎接接头的强度。     

用碳热还原法合成LiFePO4及其电化学性能研究

为了获得颗粒均匀、细小和优异电化学性能的LiFePO4,采用不同碳热还原方法(固相反应中用乙炔黑作碳源,固相反应中用蔗糖作碳源,半固相反应中用蔗糖作碳源)合成了LiFePO4。制备样品分别用XRD和SEM进行表征,通过充放电试验测试电化学性能。结果显示:半固相碳热还原反应制得的样品颗粒粒径最小、电化学性能最佳。在2.0～4.0V(Vs.Li)范围内、15mA·g-1电流密度下放电,首次放电比容量高达到162mAh·g-1,是理论容量的95.3%;该样品也具有稳定的循环行为。半固相碳热还原法是制备锂离子电池正极材料LiFePO4一种有潜力的合成方法。     

Si3N4／SiO2辅助介质剥离膜的研究

提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介持膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎ－ｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜，研究结果表明，采用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜。     

SiC(N)/Si3N4吸波材料的制备与性能

通过掺杂纳米SiC(N)吸收剂，采用无压烧结工艺，制备了SiC(N)／Si3N4复合型吸波材料。对材料进行了XRD、SEM及强度分析，结果表明：随着纳米吸收剂SiC(N)加入量的增加，材料的烧结性能趋于下降，表现为α-Si3N4的含量增多，柱状β-Si3N4的尺寸变小，材料气孔增大，强度降低。     

活性钎料钎接Si3N4陶瓷的机理研究

通过钎料中常用活性材料与被钎陶瓷Ｓｉ３Ｎ４之间的物理现象和化学反应，讨论了活性材料所起的作用，即通过活性金属与Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的化学反应形成反应过渡层而结合，同时活性材料改善了钎料在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷表面的漫流性能。但因为反应产物与Ｓｉ３Ｎ４陶瓷热物理性能相差较大，故活性材料的加入量应限制在一定范围以内。用Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料钎接Ｓｉ３Ｎ４／钢时，在Ｓｉ３Ｎ４／钎料过渡区生成了富ＴｉＮ层和富Ｔｉ３Ｓｉ５     

气门钢表面激光熔覆Si3N4陶瓷层的研究

利用激光在气门钢表面熔覆Si3N4陶瓷.对熔覆粉末成分、熔覆处理的工艺参数、熔覆层的组织、相组成及结合界面作了分析研究.     

碳热还原法CaB_6粉体的制备

采用廉价的工业废料硼酸钙（其主要成分为CaO和B2O3,其质量分数共计约75%,下文均简称为硼酸钙）为原料,原料中不足的硼源由B4C或硼酐取代,通过碳热还原法低成本合成CaB6粉体.实验结果表明以B4C为反应物所制备得到的CaB6粉体的转化率高于以硼酐为反应物的试样.以硼酸钙,B4C和碳为原料的CaB6粉体合成的最佳烧结工艺为1923 K保温30 min.     

高性能Si3N4基可加工复合陶瓷的快速制备

采用SPS在1600～1650℃烧结5min可以获得致密的Si_3N_4-BN复相陶瓷,实验结果表明,随着BN体积分数的增加,BN聚集生长导致Si_3N_4-BN复相陶瓷强度总体均呈缓慢下降趋势,但仍然维持在很高的强度水平,BN体积分数为30%时三点弯曲强度接近900 MPa,而且拥有优异的可加工性能,SEM分析表明,借助SPS可以在实现Si_3N_4-BN复相陶瓷快速致密化基础上进行相组成及显微组织的调控和优化,从而改善材料的性能。