不同入射角PrBa2Cu3O6.3薄膜的红外和远红外反射谱

报道了入射角分别为７°、１２°、３０°的ｃ轴取向ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３薄膜材料的红外和远红外反射谱．薄膜样品的基底是Ｙ－ＺｒＯ２．在入射角为１２°和７°的反射谱中观察到６个反射峰，分别位于１１０、１６８、２４０、３５０、５７０和６３５ｃｍ－１，它们分别对应于６个ａ－ｂ平面振动的Ｅｕ声子模．在入射角为３０°的反射谱中增加了位于４６５ｃｍ－１的峰，此峰是沿着ｃ轴振动的Ａ２ｕ模．比较３不同厚度薄膜样品的红外光谱，讨论了ＺｒＯ２衬底的反射对样品反射谱的影响     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

YBa2Cu3O7—δ高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。     

YBa2Cu3O7／PrBa2Cu3O7／SrTiO3超薄膜表面螺旋位错的研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究的几种（ＹＢＣＯ）超薄膜的表面结构，这些膜分别生长在ＳｒＴｉＯ３（１００）基底，和具有厚度为４０ｎｍ的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７缓冲导的ＳｒＴｉＯ３基底上，ＹＢＣＯ超薄膜厚度范围为２．５ｎｍ－２５ｎｍ。在２．５ｎｍ厚的单层膜表面观察到了岛状结构，并在７．５ｎｍ厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了ＹＢＣＯ超薄膜的生长机理。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器

在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用Ｈｅ－Ｎｅ激光和５００Ｋ黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果：噪声等效功率ＮＥＰ分别为６．７×１０－１４和３．８×１０１４ＷＨｚ－１／２，归一化探测率分别为１．４×１０１０和２．６×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１；响应度分别为１．８×１０７和３．２×１０７ＶＷ－１。     

RBa_2Cu_3O_（7－δ）（R＝Y，Pr）薄膜中非平衡载流子的超快弛豫动力学

通过拟合ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－δ）（δ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７外延膜的室温飞秒瞬态反射谱，研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学，计算了电声耦合常数λ．发现随着氧含量的降低及用Ｐｒ替代Ｙ，Ｃｕ－Ｏ面上载流子浓度降低，非平衡载流子的弛豫时间增加而电声耦合常数明显减小．这表明电声耦合与载流子浓度的依赖关系，电声相互作用可能是一种实空间局域相互作用．     

激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴宜流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δａ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感．     

YBa2Cu3O6.92超导体光电导效应的正电子实验研究

报道了对光辐照ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．９２材料的正电子寿命谱研究结果，给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征，利用两态捕获模型对实验结果进行了初步分析，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随辐照时间的变化，发现光诱导而产生Ｃｕ－Ｏ链区域电子结构的变化，证明Ｏ（１）和Ｏ（５）位之间的氧迁移和重新分布使得氧有序乃是光诱导电性的主要原因，为ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．９３体系光电导机理的理解提供了重要的正电子     

Ca3(BO3)2的振动光谱分析

分别利用因子群对称分析法和位置群对称分析法对Ca₃(BO₃)₂晶体的振动模式进行了理论分析。Ca₃(BO₃)₂的晶格振动模式分为外振动和内振动模式,外振动模式为:3A_1g+4A_2g+7E_g+3A_1u+3A_2u+6E_u,内振动模式为：2A_1g+2A_2g+4E_g+2A_1u+2A_2u+4E_u。Ca₃(BO₃)₂晶体在布里渊区中心Γ点晶格振动的对称性分类为：5A_1g+6A_2g+11E_g+5A_1u+6A_2u+11E_u,其中声学模为：A_2u+E_u,拉曼活性光学模为5A_1g+11E_g,红外活性光学模为：5A_2u+10E_u,其余为非拉曼、非红外活性光学振动模。用高温固相法成功合成了Ca₃(BO₃)₂粉末,测量了它的室温Raman光谱,并利用群论分析的结果对谱图进行了讨论,指认了BO₃^3-基团的特征振动频率。     

电子束共蒸发Al2O3-La2O3和ZrO2-Ta2O5复合薄膜的介电性能研究

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V,击穿场强分别为128MV／m和175MV／m,在50MV／m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10-5／cm2和4．1×10-5A／cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3．9×10-5／cm2和3．7×10-5A／cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。     

High Purity and Large-scale Preparation of β-Ga2O3 Nanowires and Nanosheets by CVD and Their Raman and Photoluminescence Characteristics

Ga2O3 nano-structures, nanowires and nanosheets are produced on Au pre coated（111） silicon substrates with chemical vapor deposition（CVD） technique. By evaporating pure Ga powder in the H2O atmosphere under ambient pressure the large-scale preparation of β-Ga2O3 with monoclinic crystalline structure is achieved. The crystalline structures and morphologies of produced Ga2O3 nano-structures are characterized by means of scanning electron microscope（SEM）, X-ray diffraction（XRD）, selected area electron diffraction （SAED） and transmission electron microscope（TEM）. Raman spectrum reveals the typical vibration modes of Ga2O3 The vibration mode shifts corresponding to Ga2O3 nano-structures are not found. Two distinguish photoluminescence（PL） emissions are found at about 399 nm and 469 nm owing to the VO-VGa excitation and VO-VGaO excitation, respectively. The growth mechanisms of Ga2O3 nanowires and nanosheets are discussed with vapor liquid-solid（VLS） and vapor-solid（VS） mechanisms.     

In2O3基甲醛传感器的研制

以sol-gel法制备的In2O3纳米材料为基体,采用La2O3作为掺杂剂,研制出甲醛传感器。结果表明:La2O3的掺杂可以明显提高元件对甲醛的灵敏度,在工作温度为145℃,(甲醛)为10×10–6时,元件表现出4倍的灵敏度,通过4A分子筛的修饰提高了元件的选择性。在为期90d的追踪实验中发现元件的灵敏度变化小于10%,元件在(甲醛)为50×10–6时,响应、恢复时间分别为8s和30s。     

Heterodyne detection with tilted C-axis epitaxial YBa{in2}Cu{in3}O{in7-8}

YBa{in2}Cu{in3}O{in7-8} thin films epitaxially grown on suitably prepared substrates, with a non-zero tilt angle between the film’s c-axis and its surface normal are fast and sensitive FIR detectors when biased with a constant current and cooled below the critical temperature of the superconductor. It is shown that these films are also suitable for heterodyne detection, where mixing experiments were carried out at 10 GHz and 100 GHz. Additionally, the difference frequency between two transverse modes of a metal guide laser in the far infrared regime at 432µm could be observed.     

镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu2O薄膜样品。紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征结果显示,Cu2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu2O的择优生长面为(111)面,其衍射峰强度比Cu2O明显增强;Cd/Cu2O样品表面与Cu2O对比变得光滑,粒径由Cu2O的1.0~3.0μm减小到Cd/Cu2O的0.3~0.9μm。     

纳米Cu2O花的制备及其光学性质研究

以Cu(CH3COO)2.H2O为原料,CTMAB(十六烷基三甲基溴化铵)和NaOH为添加剂,NaBH4为还原剂,通过液相法在低温(60℃)的条件下分步合成了纳米Cu2O花。采用XRD、SEM、TEM和紫外–可见吸收光谱分析等手段对纳米Cu2O花进行了表征。结果表明,纳米Cu2O花的生长过程符合成核–溶解–再结晶的机制。对照实验发现,NaOH和CTMAB的浓度对最终纳米花的形成起了关键性的作用。     

新型Ba_2ZnS_3∶Cu荧光粉的合成及其发光性能

采用双坩埚嵌套高温固相法在950℃下成功地合成了Ba2ZnS3∶Cu荧光粉,探讨了工艺条件和Cu掺杂量对样品发光亮度的影响,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对其结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:样品具有单一的Ba2ZnS3晶相结构;与Ba2ZnS3基质不同,该荧光粉的激发光谱在近紫外区存在一个从275～350nm的宽激发带,归因于Cu发光中心的吸收;该荧光粉在近紫外光激发下发出明亮的黄光,发射中心波长位于560nm处,是一种良好的黄光材料。     

纳米粉体Y2O3:Ti 3+ , Eu3+的光谱性能

采用共沉淀法在氮氢气氛中制备出Y₂O ₃:Ti ³⁺, Eu ³⁺纳米粉体,测量了它的XRD、激发与发射光谱,观测了形貌。通过与Y₂O ₃:Ti ³⁺纳米粉体的光谱比较分析,发现Y₂O ₃中的Ti ³⁺至Eu³⁺存在能量传递,以致紫外至蓝光区域的光,均能使Eu³⁺经5D0→7F2等跃迁通道发射出610nm左右的荧光,于是增强了粉体在红橙光区发光的比重,因此可以调节粉体的发光性能。Y₂O ₃:Ti ³⁺纳米粉体的吸收带从紫外延伸到蓝光区,强荧光带覆盖了整个可见光区,这预示它有望成为新一代白光LED或汞灯的光转换荧光粉。     

超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展

半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。