Si3N4—TiC复合材料的微观结构和化学反应

在１８００℃温度和Ａｒ，Ｎ２气氛下热压试样中，研究了ＴｉＣ加入Ｓｉ３Ｎ４中对ＴｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４体系的微观结构和中间相化学反应的影响。根据热力学方法，估算出ＴｉＣ１－ｘＮｘ固溶体的组成，并以氰化钛作为一种理想的固溶体。这个估算值（ｘ＝０．７）略高于通过测定晶格参数和根据Ｖｅｇａｒｄ定律而计算出的值（ｘ＝０．６７）。样品在Ｎ２气中热压后可观察到４个区别明显的相区，它们是β－Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＣ和氰化钛固     

Ti-2B-60wt%Cu)/(3Ti-2BN-x·Cu)层状材料燃烧合成研究

研究了当燃烧波蔓延通过（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）（ｘ＝０、１０、２０、 ４０ｗｔ％）两层混合粉料时,稀释剂Ｃｕ含量和生坯压制压力ｐ的变化对燃烧波形态和传播速度的 影响．经实验测定,当ｐ＝６０ＭＰａ时;燃烧波在（３Ｔｉ－２ＢＮ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－１０ｗｔ％Ｃｕ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－ ２０ｗｔ％Ｃｕ）、（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物中的传播速度分别为４．９６ｍｍ／ｓ、４．４３ｍｍ／ｓ、 ２．１７ｍｍ／ｓ、 １８．５２ｍｍ／ｓ,燃烧波不能蔓延通过（３Ｔｉ－２ＢＮ－４０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物。对于（Ｔｉ－ ２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）层状混合物,从一端点火以后,燃烧波形态随（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ） 层金属含量的增加由弯向（３Ｔｉ－２ＢＮ－Ｕ·Ｃｕ）层的弧形改变为切向该层的楔形．此外,还研究了 生坯压制压力ｐ＝１２、 ２４、 ８４、 １０８ＭＰａ时,不同生坯密度对燃烧波形态和传播速度的影响 规律．     

(Ti-2B-60wt%Cu)/(3Ti-2BN-x·Cu)层状材料燃烧合成研究

研究了当燃烧波蔓延通过（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）（ｘ＝０、１０、２０、 ４０ｗｔ％）两层混合粉料时,稀释剂Ｃｕ含量和生坯压制压力ｐ的变化对燃烧波形态和传播速度的 影响．经实验测定,当ｐ＝６０ＭＰａ时;燃烧波在（３Ｔｉ－２ＢＮ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－１０ｗｔ％Ｃｕ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－ ２０ｗｔ％Ｃｕ）、（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物中的传播速度分别为４．９６ｍｍ／ｓ、４．４３ｍｍ／ｓ、 ２．１７ｍｍ／ｓ、 １８．５２ｍｍ／ｓ,燃烧波不能蔓延通过（３Ｔｉ－２ＢＮ－４０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物。对于（Ｔｉ－ ２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）层状混合物,从一端点火以后,燃烧波形态随（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ） 层金属含量的增加由弯向（３Ｔｉ－２ＢＮ－Ｕ·Ｃｕ）层的弧形改变为切向该层的楔形．此外,还研究了 生坯压制压力ｐ＝１２、 ２４、 ８４、 １０８ＭＰａ时,不同生坯密度对燃烧波形态和传播速度的影响 规律．     

对向靶溅射高饱和磁化强度（Fe,Ti）—N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在Ｓｉ（１００），ＮａＣｌ单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为０．０４－０．０７Ｐａ，衬底温度淡１００－１５０℃时，有利于Ｆｅ１６Ｎ２相的形成，在此条件下制备的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜的饱和磁化强度为２．３－２。．４６Ｔ，超过纯Ｆｅ的饱和磁化强度值。     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

新型磁控溅射法合成C3N／TiN复合膜

本工作采用在封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用获得的ＴｉＮ对进行Ｃ３Ｎ４强迫晶化，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和电子衍射（ＴＥＤ）分析表明生成了立方氮化碳（ｃ－Ｃ３Ｎ４）交替膜的界面处有ＴｉＣ的生成。     

Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

Zr1—xTix（Ni0.6Mn0.3V0.1Cr0.05）2（x=0～0.5）Laves相储氢合 …

本文研究Ｚｒ１－ｘＴｉｘ（Ｎｉ０．６Ｍｎ０．３Ｖ０．１Ｃｒ０．０５）２（ｘ＝０,０．１,０．２,０．３,０．４,０．５）系Ｌａｖｅｓ相储氢电极合金的气态Ｐ－Ｃ－Ｔ性能、晶体结构及电化学性能。ＸＲＤ分析表明,Ｔｉ合金化使Ｚｒ基储氢合金主相从Ｃ１５相转变为Ｃ１４相。当ｘ〉０．２时,第二相Ｚｒ７Ｎｉ１０相消失,并出现ＴｉＮｉ相。Ｔｉ合金化使Ｚｒ基储氢合金中Ｃ１５相和Ｃ１４相的晶格常数线性递减。气态Ｐ－Ｃ     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

Pb（Mg1／2W1／2）O3—PbTiO3—PbZrO3l陶瓷的化学不均匀性和介电行为的…

研究了Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３－ＰｂＺｒＯ３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ｉ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．２７０Ｗ０．３６７Ｚｒ０．１８２）Ｏ３．０９１；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．１０９Ｗ０．１８７Ｔｉ０．２０４Ｚｒ０．３４０）Ｏ２．７５８。两种居里点分别为：ＴＣＩ〈－６５℃，ＴＣＩ＝１０５℃，图像处理     

Ti3SiC2材料中Ti3SiC与TiC的界面关系

用透射电子显微镜研究了Ｔｉ３ＳｉＣ２材料中Ｔｉ３ＳｉＣ２与ＴｉＣ的界面关系。结果表明ＴｉＣ和Ｔｉ３ＳｉＣ２颗粒都可能生长在另一相中,Ｔｉ３ＳｉＣ２中的ＴｉＣ颗粒与Ｔｉ３ＳｉＣ２没有明显的晶体学关系,而ＴｉＣ中的Ｔｉ３ＳｉＣ２与ＴｉＣ之间有下列晶体学关系,（１１１）ＴｉＣ／／（０００１）Ｔｉ３ＳｉＣ２,（００２）ＴｉＣ／／（１ １＾－０４）Ｔｉ３ＳｉＣ２,（１ １＾－０）ＴｉＣ／／「１１０」Ｔｉ２ＳｉＣ２。     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

微钛低碳钢板的微观组织观察与分析

利用金相显微镜和电子显微镜等方法对微Ｔｉ低碳钢板的微观组织和第二相粒子的沉淀行为进行了研究。结果表明，基体组织由极细晶铁素体和亚晶粒组成，铁素体晶粒平均尺寸为４．８７μｍ。细小的第二相粒子在铁素体中沉淀析出，粒子的平均尺寸为１２．４ｎｍ，沉淀的粒子体积百分数为０．０３６％。在亚晶界上观察到大粒子的沉淀，位错被细小呈球形的粒子所钉扎．相分析表明，这些粒子为ＴｉＮ，Ｔｉ（Ｃ、Ｎ）或ＴｉＣ．经计算，沉淀强化与细晶强化值分别为４０ＭＰａ和２４０ＭＰａ。     

不同热化学还原LiNbO3∶Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬｉＮｂＯ３∶Ｔｉ，Ｍｎ（ＬＮ∶Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性。将ＬＮ∶Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｎｍ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０～８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ＾３＋的＾２Ｔ→＾２Ｅ     

SrTiO3（110）上水热法外延生长PbTiO3薄膜

利用低温水热合成工艺，在一定浓度皆Ｐｂ（ＮＯ）３，ＴｉＣｌｒ的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｅＯ３单昌衬底上生长出具有面积构的ＰｂＴｉＯ３外延薄膜。     

多弧法沉积Ti（C,N）膜中的CN相

在高速钢基片和〈１００〉单晶硅片上，用多弧法在Ｃ２Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ的气氛中电弧蒸发Ｔｉ靶来制备沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜。总气压在１．２Ｐａ内，起始镀膜温度为２６０℃。Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜的晶格取向以除了〈１１１〉，〈２００〉，〈２２０〉外，还出现一些新的衍射峰，配合ＸＰＳ成份分析，本文认为Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜中有ＣＮ结构相存在。随着Ｃ２Ｈ２／Ｎ２流量比的增加，膜中增加了ＴｉＣ、ＣＮ结构超硬相和石墨相，从而导致     

ZnO基导电陶瓷的溶胶掺杂制备

用Ｃｏ、Ｎｂ、Ｙ元素对ＺｎＯ材料进行掺杂制备出ＺｎＯ基导电陶瓷样品。研究了掺杂含量及掺杂方式对ＺｎＯ基导电陶瓷电阻率的影响。用溶胶一凝胶法制得Ｙ（ＮＯ３）３含Ｔｉ掺杂剂溶胶且与Ｙ２Ｏ３固相氧化物掺杂进行了比较。结果表明,Ｙ（ＮＯ３）３含Ｔｉ溶胶掺杂可制备出室温电阻率很低的ＺｎＯ基导电陶瓷,其室温电阻率可达３．３８ｘ１０－２Ω·ｍ,溶胶引入量为０．０５％ｍｏｌ。     

C2H2／N2流量比对沉积Ti（C,N）薄膜影响的研究

以Ｃ２Ｈ２和Ｎ２为反应气体，Ａｒ作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜。所制轩的薄膜分别用ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＸＰＳ等技术进行分析与测试。结果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在１．５－２．０μｍ。     

Ti—Al—N系功能梯度薄膜的相结构

实验证明Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜在厚度方向上有金属（Ａｌ９（Ｔｉ９Ａｌ）Ｎ和（Ｔｉ２Ａｌ）Ｎ（１１０）三种相结构，在（Ｔｉ０Ａｌ）Ｎ相中又有（１１１）和（２００）两种择优取向，随着氮分ＰＮ的不断增加，薄膜中金属相含量急剧下降，陶瓷相含量则急剧增加，当ＰＮ〉１．５Ｐａ后两种相含量的变化均趋势平缓。     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。