一代前景诱人的新型器件

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场射阵列研究、低压场发财阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

场发射显示器阴极的制备方法及研究现状

目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。     

多孔硅场致发射特性研究

目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此，很好地符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式。     

场发射显示器的发展近况

概述场发射射显示器９０年代中期的发展状况。分析障碍ＦＥＤ商品化进程的原因。并对国外场发射体阵列的研究方向作了简要的介绍。     

场发射阵列阴极在行波管中的应用

给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法，讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题，对采用场发射阵列阴极的行波管进行了介绍和评论。     

场发射阵列(FEA)阴极的材料及制备工艺

目前，用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样，按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等。本文概述近年来场发射阵列阴极材料及其制备工艺的研究现状，以及一些新型材料的应用情况。     

钼硅化物改善刀口型硅尖场发射性能研究

采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法,成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列,并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和刀口型硅尖锥阵列的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,在刀口型硅尖锥阵列上制备钼硅化物薄膜,能够提高场发射电流密度和发射稳定性.该结论对进一步研究金属硅化物在改善场发射性能方面有着重要的意义.     

图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能

结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。     

场致发射阵列阴极制备工艺研究

在修改常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作出低电压驱动且具有亚微米栅极孔径的场发射阵列,采用硅的局部氧化工艺制备栅极绝缘层,利用硅的侧向氧化使栅极孔径降低到亚微米量级,腐蚀出微腔阵列,通过固定角度蒸发铝制作牺牲层,再利用电子束蒸发钼,在微腔里沉积钼尖锥,去除牺牲层,成功制备出钼尖锥场发射阵列.为了改善场发射性能,制作出了六硼化镧尖锥阵列.分别对钼尖锥阴极阵列和六硼化镧尖锥阴极阵列的场发射特性进行了测试.本文研究对场发射阵列在实际中应用有着重要的意义.     

反向刻蚀法制备场发射阴极阵列

本文报道了硅各向异性腐蚀结合静电键合工艺制备出的大面积场发射阵列。阵列密度为１０￣６个／ｃｍ￣２，且具有良好的均匀性。该工艺简单、易于控制，是一种理想的制备场发射阵列的方法。     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

大屏幕场助热电子发射平板显示

有源矩阵驱动的平面场发射阴极是大屏幕显示的主要候选部件。阴极结构、材料组分以及结晶状态强烈地影响电子发射。选择具有低功函数的上电极材料 ,并且引入界面态控制层将能够降低驱动电压和提高电子发射率。     

场发射结构的有限元模拟

采用ANSYS有限元计算程序，对场致发射体进行模拟计算，初步研究了发射体的几何形状尺寸与其发射特性之间的联系。通过对不同几何尺寸发射体的计算结果的分析，认为发射体的尖端曲率半径及栅极的开口直径是影响发射体发射特性最主要的因素。依据合肥国家同步辐射实验室的LIGA深度光刻技术，给出可行的几何形状。     

阵列场发射电子源的新进展

阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一 ,发展迅速,某些先进电子物理装置的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信息显示学科领域内已发展为实用的阵列等离子体电子源也进行了简单的介绍。     

Study on the vacuum breakdown in field emission of a nest array of multi-walled carbon nanotube/silicon nanoporous pillar array

A composite structure, a nest array of multi-walled carbon nanotubes/silicon nanoporous pillar array (NACNT/Si-NPA), with good field emission properties, was synthesized through growing CNT on Si-NPA by thermal chemical vapor deposition. In order to make full use of its good field emission properties, the vacuum breakdown behavior accompanied with field emission from NACNT/Si-NPA was investigated. The results revealed that a positive feedback of field emission and resulted Joule heat ignited a small portion of protruding emitters, which caused spark discharge, destroyed the anode and generated a large amount of heat. The thermal runaway ultimately resulted in the destruction of substrate and vacuum breakdown.     

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阳极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。     

真空微电子微波管

本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容，问题及其意义，场发射阵列的三个重要特点（冷阴极，高发射能力和栅极控制）可用于发展新一代的高频率，高效率，高功率，超小型和长寿命的面向２１世纪的高性能微波管：真空微电子微波管，双栅极场发射阵列，电子流的形成与维持，与其相匹配的互作用电路，特殊的器件结构和相关的制管工艺     

硅场致发射理论模型

本文讨论影响硅场致发射的因素，以及建立硅场发射理论应考虑的问题。