NiFe和NiFe/Cr/NiFe薄膜的磁电阻特性与膜厚关系

本文研究了采用离子束溅射技术制备的 NiFe 薄膜及层状结构 NiFe/Cr/NiFe 薄膜的磁电阻特性与膜厚的关系。用四探针法测量薄膜的磁电阻。由实验结果得到磁电阻特性与膜厚及 Cr 夹层厚度的关系。分析了 NiFe/Cr/NiFe 膜中两层 NiFe 膜之间存在反铁磁交换耦合时,磁电阻效应显著增强的现象,NiFe/Cr/NiFe 膜各向异性磁电阻系数△ρ/ρ_(av)达5.1%。     

Cu对NiFe／Cu／NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜,研究了Ｃｕ膜宽度对ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ｎｉＦｅ层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响,结果表明,层状薄膜的巨磁阻抗疚随Ｃｕ膜宽度发生振荡现象,并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理。     

较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜,各向异性磁电阻（AMR）值达到1．2％,而其矫顽力却只有127．4A／m。结构分析表明：较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少,内应力小;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多,内应力大。     

La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的电阻变化

研究了类钙铁矿结构La0.67Ca033MnOx巨磁电阻薄膜(生长在LaAlO3衬底)的电阻变化,观察到负巨磁电阻效应,讨论了优化制备工艺提高巨磁电阻效应和最大电阻温度,其效应可用于设计新电磁器件。同时讨论了巨磁电阻效应的机理,给出合理解释。     

较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜,各向异性磁电阻(AMR)值达到1.2%,而其矫顽力却只有127.4A/m.结构分析表明较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少,内应力小;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多,内应力大.     

NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

颗粒合金膜Co20NixCu80-x巨磁电阻和磁性能

研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜Co20NixCu80-x（0≤X≤20）的磁电阻和磁性能。与高Ni的样品相反的是，低Ni的样品在低温下AR／R上升。无论低Ni或高Ni样品的剩余磁化强度Mr和矫顽力Hc都随退火温度的上升而增加。     

CoMnNi氧化物薄膜的电阻温度特性

本文报导射频溅射CoMnNi多成分氧化物薄膜的电阻温度特性,并给出薄膜电阻率与溅射气氛中O_2含量和沉积时间的关系;讨论这种薄膜的退火特性。     

退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.     

铁基巨磁阻抗薄膜的研究

溅射方法制备的非晶Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｖ５Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜,通过适宜的退火处理得到具有纳米ａ－Ｆｅ（Ｓｉ）和非晶母相的混合结构和最佳的软磁性能,相应的巨磁阻抗值最高可达７２％。本着重研究了热处理条件、薄膜组织结构、较磁性能以及驱动电流频率对Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜磁致阻抗的影响。     

NiFe／Cu多层膜的热处理研究

针对用磁控溅射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜进行了热处理研究，经退火后，ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的磁电阻有了显著的变化，在２５０℃的最佳退火下，最大磁电阻变化率为５．２％。     

金属有机物分解法制备的La—Sr—Mn—O薄膜的磁输运特性

利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有（202）择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5％。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷（包括晶界及疏松）有关。     

Cu对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了NiFe/Cu/NiFe层状薄膜 ,研究了Cu膜宽度对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响 ,结果表明 ,层状薄膜的巨磁阻抗效应随Cu膜宽度发生振荡现象 ;并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理     

SmDyFeCo磁光薄膜的磁特性研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜磁特性的影响。实验表明，和ＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜相比，ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜的矫顽力Ｈｃ随温度变化更为缓慢，并且具有更大的垂直磁各向异性常数，因而具有更好的记录特性，本征磁光克尔角可达０．３１，可以作为一种实用化的磁光记录介质。     

Co／Pt多层膜和CoxPt1—x（x≈0.25）合金膜的垂直磁各向异性

介绍了关于Ｃｏ／Ｐｔ多层膜和ＣｏｘＰｔ１－ｘ（ｘ≈０．２５）合金膜的垂直磁各向异性研究的情况。一般认为,Ｃｏ／Ｐｔ多层膜的垂直磁各向异性主要源于界面外沿膜面法向的平移对称性中断以及Ｃｏ与Ｐｔ的ｄ电子杂化。界面处的合金化和界面不平整地垂直磁各向异性是不利的。而应力对界面各向异性的影响尚不十分清楚。在具有垂直磁各向异性的ＣｏｘＰｔ１－ｘ合金膜中观察到了Ｃｏ的聚集,Ｃｏ轨道磁矩和Ｃｏ－Ｃｏ对数中向异性。     

厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响

通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂,研制成一种厚膜力敏电阻浆料,其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃.介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法,研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响,探讨了提高应变系数的技术途径,同时,对其导电机理作了简要的阐述.     

稀土铝锂合金电阻温度系数的测定与分析

本文通过对稀土铝锂合金电阻温度系数测定的论述，及对其测试结果的分析，指出该合金与工业纯铝和ＬＹ１２铝合金在电阻温度系数上存在的差异。     

Tb-Fe-Co磁光薄膜溅射条件对Kerr转角的影响

在实际磁光盘生产线上大都使用合金溅射靶溅射记录介质膜,而尚示有直接使用合金靶研究这些关系的报道。我们首先研究了用于磁光油射的系列合金靶,并完善了靶材制造工艺参数,且在此基础上进行了成分以及溅射参数对各种磁光性能影响的研究。首先确定了各种溅射和N2－Ar气流量下Al、Si以及Tb-Fe-Co(Mo）的溅射速率,在此基础上通过改变溅射功率和调整气汉量改变SiN的成分和厚度,在各种功率和气流量下溅射了Mo膜,并测定了这些磁光膜的Kerr线以获得Kerr转角等性能,从而探讨了溅射工艺条件对Kerr的影响。