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用双离子束辅助沉积(IonBeamAsistedDeposition,IBAD)方法在Ni-Cr合金上合成了具有(00l)择优取向,平面双轴排列的YSZ膜(Y2O3-ZrO2)作为YBCO超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角540左右时可获得最佳的(00l)择优效果。8000C高温退火后其结构有较大的改善。在其上用MOCVD方法生长的YBCO膜的Tc=88K,Jc=10×104A/cm2(0T,77K),并且从Φ扫描的结果说明了YSZ缓冲层上YBCO膜的生长机制。 相似文献
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PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究 总被引:3,自引:1,他引:3
通过SEM、TEM研究了PECVD方法制备的SnO_2薄膜的显微结构,讨论了沉积速率与颗粒大小的关系;在Si、陶瓷和KBr3种不同衬底上沉积的SnO_2薄膜的差异以及退火对SnO_2膜结晶状态的影响。结果表明,PECVD方法制备的SnO_2薄膜是非晶态,具有柱状结构。退火使非晶SnO_2膜向着多晶方向转化,演化过程为:非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。 相似文献
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高分子p—n异质结太阳电池的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
用合成的十二烷基苯磺酸(DBSA)掺杂的聚苯胺(PAn)导电材料和Bei染料组合,采用涂覆技术,研制成SnO2/PAn膜/Bei染料薄层/Al栅电极结构和Al/PAn导电基片/Bei染料薄层/Al栅电极结构的p-n异质结太阳电池,测定了该电池的光电效应和伏安特性,在4.72mW/cm^2的氙灯照射下,开路电压Voc达400mV短路电流Isc为10μA,填充因子可达57.4%,光电转换效率为0.09 相似文献
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掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用常压化学气相淀积法(APCVD)制备了α-Fe2O3薄膜,对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和表面形貌(SEM)分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明,用APCVD工艺制备的α-Fe2O3薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性;本研究还对所制备的α-Fe2O3薄膜进行了有效的掺杂,对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Sn的掺入对α-Fe2O3薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用AP 相似文献
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陶瓷衬底上淀积薄膜α—Fe2O3材料的微结构的气敏特性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文用常压化学气相沉积(APCVD)工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超粒结构的α-Fe3O3气敏薄膜,对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和扫描电子显微分析(SEM),研究了淀积工艺条件对α-F32O3薄膜的粒度的影响,气敏特性研究表明,用APCVD工艺轩的超微粒α-Fe2O3薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性。这种薄膜可用于感烟探测器。 相似文献
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(Ni,Cr)/Al2O3复合涂层制备工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用粉末热喷涂法制备(Ni,Cr)/Al2O3复合涂层,采用XRD和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析,并分析了喷涂工艺对金属/陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明,Al2O3粉末的沉积率和喷涂参数是影响(Ni,Cr)/Al2O3复合涂层相结构和相组成的关键。 相似文献
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聚乙烯醇(PVA)能够避免溶胶-凝胶法制备的Al2O3膜在干燥阶段产生微裂纹,同时也对Al2O3膜的微观结构产生影响.利用XRD、DTA、TGA、FT-IR及N2吸附等手段研究掺杂PVA对Al2O3膜的物相组成、热稳定性以及比表面积、孔径分布、孔表面分形性等微观结构的影响.研究表明,经过400℃煅烧PVA完全排除.与纯Al2O3膜相比,添加PVA的Al2O3膜吸附量较大,比表面积有所增大,但并不随着PVA含量的增多而增加.PVA有利于 Al2O3膜孔径的调整,使孔径分布更狭窄,孔体积也有较大程度的增加.随着 PVA的加入,Al2O3膜的孔表面分形维数降低. 相似文献
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二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜。结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在α-Al2O3(1120)衬底上能实现VO2的二维外延生长。薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关。 相似文献
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流态化CVD制备TiO2—Al2O3复合粒子 总被引:6,自引:0,他引:6
本文探讨了流态化CVD反应器中Ti(OC4H9)4水解制备TiO2-Al2O3复合粒子新工艺,借助于SEM、TEM、BET、XRF和EPMA等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征。结果表明,在流态化CVD反应器中Al2O3超细颗粒以团聚体形式存在,TiO2包覆量随Ti(OC4H9)4进料浓度升高而增加,但反应温度影响不大;在包覆过程中,同时存在成核和成膜,成核包覆使复合粒子比表面积增加,成 相似文献
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Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
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二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜.结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在Al2O3(1120)衬底上能实现VO2的二维外延生长.薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关.在Al2O3(1120)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长.电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相交,薄膜的电阻率变化达4个数量级. 相似文献
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采用PECVD技术,以Pb(C2H5)、HiCl4和O2为反应源,在170℃温度下沉积了PbTiO3功能薄膜,分别对薄膜进行了X射线荧光光谱、X光电子能谱、X射线衍射光谱和扫描电镜的化学组成及形貌等分析。 相似文献
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