p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

p＋-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

少数载流子寿命测试系统研究

少数载流子寿命是衡量半导体材料性能的关键参数之一 ,文中介绍了光电导衰退法少数载流子寿命测试系统。阐述了光电导衰退法测试原理 ,分析了测试系统构成 ,以及光脉冲下降沿时间、微弱信号放大处理、前放带宽、精密定位等关键技术 ,其主要性能指标是 :少数载流子寿命测试范围 :1× 10 - 7～ 6× 10 - 6s ;可测样品尺寸 :小于 2 0mm ;单色光光点大小 :Φ 0 .3mm ;测试数据稳定度优于 10 %。     

MCT晶体非平衡载流子寿命测量方法

非平衡载流子寿命是HgCdTe(MCT)晶体的主要性能参数之一。本文着重介绍了三种基本测量方法:直流光电导衰退法,光电导与光磁电比值法,红外吸收的光调制法。叙述了测量原理和基本测试设备,比较了三种测量方法的优缺点。     

高频测量硅单晶中少数载流子寿命的方法

少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因此寿命的各种测量方法都很难达到一致.目前测量硅单晶中少数载流子寿命的方法有光电导衰减法、双脉冲法、光电流相移法、扩散长度法、光磁效应法……等等.其中以光电导衰减法的准确度最高,所以已成为标准的、采用最广泛的一种方法.在通常的直流光电导衰减法中,将电极连结到矩形或杆状等形状规则的样品两端,使一稳定的     

半导体技术

TN3 02030353浅谈面向21理己的电力电子技术/李宏(西安石油学院)11电力电子技术.一2001,35(4)一57一60探讨了21世纪中电力电子技术的研究课题,该课题有的是现有电力电子技术的深化,有的则是新开辟的研究领域.参10(金)TN3 02030354少数载流子寿命测试系统研究/赵毅弧,翟文生,王健,刘铁臣(航天工业总公司三院8 358所)11红外与激光工程一2001,30(3)一咒6一229少数载流子寿命是衡量半导体材料性能的关键参数之一,文中介绍了光电导衰退法少数载流子寿命测试系统.阐述了光电导衰退法测试原理,分析了测试系统构成,以及光脉冲下降沿时间、微弱信号…     

半导体薄片少子寿命和表面复合速度的计算方法

用光电导衰退法测量半导体薄片的少子寿命时,由于表面复合的影响,通常从光照后少子衰退曲线中算得的表观寿命与实际的体寿命是相差很大的.本文给出了少子扩散方程的一种解法,计算表明,少子光电导衰退曲线用本方法解出的一次模和二次模的叠加来表示已是足够了.可以利用算得的一次模、二次模表达式从少子衰退曲线中算出表面复合速度和少子体寿命,其计算方法是比较方便的.本文还给出了一些实验和计算结果.     

利用二次阳极氧化方法降低N型碲镉汞材料表面复合速度

利用微波反射光电导衰退法比较了采用一次阳极氧化和二次阳极氧化的N型碲镉汞材料的非平衡载流子寿命及其随温度的变化,通过与理论值进行比较拟合得到了碲镉汞材料表面复合速度随温度的变化曲线.结果发现,二次阳极氧化方法能够更好地降低材料表面悬挂键的密度,同时减少抛光引入的表面缺陷能级的数量,从而降低材料的表面复合速度,改善材料的非平衡载流子寿命,利于制造出高性能的HgCdTe红外探测器.     

背景辐射对长波HgCdTe光电导探测器性能的影响

分析了背景辐射影响长波HgCdTe光电导探测器性能的基本原理，分析中考虑了器件上下两表面的表面复合速度和不同器件的具体参数。在MTD标准测试杜瓦上改装了一视场角可连续变化的冷屏（110～10°），用光电导衰退测量了不同视场角下载流子有效寿命，用红外探测器的标准测试方法测量了不同规场角下器件的黑体响应率，单位带宽的均方根噪声电压，黑体探测率，实验结果表明所研制的长波器件已经达到低温背景限的性能。降低背景辐射量可使器件性能有很大提高，用测试过的器件的参数经理论计算得到的结果同实验数据基本一致。     

表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响

采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命.利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化.结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D·优于常规方法制作的器件.