TiN/Ti复合细化剂对工业纯铝细化效果的影响

利用高能球磨制备了一种金属钛包覆纳米TiN的复合晶粒细化剂(TiN/Ti),研究了该细化剂对工业纯铝的细化效果及其抗衰退性能.结果表明,TiN/Ti复合细化剂对工业纯铝具有良好的晶粒细化效果,当加入量仅为0.025％时,试样组织由粗大的柱状晶转变为等轴晶;当加入量为0.2％时,纯铝的晶粒平均尺寸为82μm.该细化剂在725℃铝液中保温30、60和120 min后,试样的晶粒尺寸分别为101、153和327 μm.相对纯钛粉,TiN/Ti细化剂表现出良好的抗衰退性能,其抗衰退性来源于金属钛包覆纳米TiN在铝液中的分散性和稳定性.     

Al-Ti-C晶粒细化剂对工业纯铝的晶粒细化

采用自制的Al-Ti-C晶粒细化剂，检验了Al-Ti-C晶粒细化剂对工业纯铝的晶粒细化能力，研究了Al-Ti-C的含碳量、添加量、保温时间、浇注温度等对工业纯铝晶粒细化效果的影响。结果表明，对于工业纯铝添加质量分数为0.2％的Al-5.14Ti-0.3C晶粒细化剂，在725℃的铸造温度下保温2.5min，所得的铸锭晶粒细化效果最好。     

7050铝合金晶粒细化的研究

在普通连铸以及电磁连铸下制备了加入和不加细化剂Al-Ti-B的7050铝合金,研究了Al-Ti-B以及电磁场对合金晶粒细化的影响,结果显示加入0.2%的Al-Ti-B与磁场的引入均可有效的细化晶粒.此外,细化剂在磁场作用下依然可以发挥效用,在磁场与细化剂的共同作用下的晶粒细化效果比二者单独作用下的都要好,铸锭边部与中心晶粒尺寸分别达到70 μm和53 μm.     

Fe、Si对工业纯铝晶粒细化的影响

通过AlTiB晶粒细化剂对高纯铝、工业纯铝的细化及Al-10Ti中间合金、Fe、Si对工业纯铝的细化，研究了Fe、Si在工业纯铝晶粒细化过程中的作用。试验结果表明，0.3％的AlTiB晶粒细化剂对工业纯铝有良好的细化效果，但不能细化高纯铝；Fe、Si作为晶粒细化剂单独加入时，有不同程度的细化作用。分析认为，Fe、Si在工业纯铝晶粒细化过程中有双重作用，即促进型壁晶核的游离和增加α-Al在型壁形核的质点数目。     

铝—钛—硼高效晶粒细化剂

提高铝及铝合金强度的途径之一是细化晶粒.根据金属结晶学理论可知,要使铝及铝合金在铸造过程中形成细小的等轴晶,必须增加其由最初液态转入固态时的形核率.因此,除尽量创造自发形核的结晶动力学条件外,还需人为地加入大量外来晶核.铝一钦-硼中间合金就是人们为细化晶粒而在铸造过程中加入的一种变质剂.后经多年探索实践,发展成为当今的铝-钛-硼高效晶粒细化剂.生产实践表明,铝-钛-硼晶粒细化剂的细化效果十分显著,使用该产品后,可使铸锭的晶粒度由原来的4级提高到1级.     

低频交变磁场下固溶处理对ZK60镁合金组织和性能的影响

对ZK60镁合金凝固过程中有电磁搅拌和无磁场条件下的凝固组织进行对比,利用光学显微镜、显微硬度计、X射线衍射仪和扫描电镜分析固溶处理后的ZK60镁合金析出相。结果表明:低频交变磁场下铸态合金的显微组织主要由初晶Mg基体和非平衡共晶组织(Mg+MgZn+MgZn_2)组成;和无磁条件下的显微组织相比,低频交变磁场下晶界网状共晶组织更加细小,晶粒分布更加均匀。固溶处理有利于第二相粒子的溶解,固溶处理前,低频交变磁场条件下铸态组织与无磁场条件下的铸态组织相比晶粒明显细化,而固溶处理后前者比后者晶粒分布更加均匀;不同固溶处理时间下的硬度曲线均呈单调下降趋势,相同温度下,固溶时间越长,硬度值越小;相同固溶处理制度下,低频交变磁场条件下的试样硬度值低于无磁场条件下的硬度值;低频交变磁场条件下合金的力学性能均高于无磁场条件下的力学性能。     

电磁振荡下半连铸Al合金凝固组织的细化机制

在半连铸7075铝合金过程中, 通过同时施加稳恒磁场和交变磁场的方法, 使凝固熔体产生受迫振荡, 研究了电磁振荡的强度和频率对晶粒细化的影响规律. 对电磁振荡作用下, 合金凝固组织的细化机理进行了探讨. 结果表明 电磁振荡法获得的晶粒尺寸要较CREM法所获得的小, 且随着电磁振荡强度增加及频率降低, 铸锭整体组织变得更加细小和均匀.     

一种新型的含钛,硼的晶粒细化剂—钛添加剂

在工业纯铝及铝合金中加入微量的钛或钛和硼,会使其最终凝固组织显著细化.采取晶粒细化措施之后,可提高铸造速度,消除柱状晶组织,减少铸锭的裂纹、冷隔和偏析,提高合金韧性,优化工艺塑性,并改善合金的终了内在性能. 为了细化铸锭晶粒,我国大多数工厂目     

直流脉冲磁场和孕育处理共同作用下纯铝的细化(英文)

研究直流脉冲磁场和孕育处理共同作用对纯铝凝固组织的影响,探讨直流脉冲磁场和孕育处理的共同作用的细化行为。结果表明:直流脉冲磁场能够显著细化纯铝凝固组织。纯铝的细化主要是由直流脉冲产生的电磁过冷和强制对流引起的。然而只在直流脉冲作用下,等轴晶区域的晶粒尺寸分布不均匀。在施加直流脉冲磁场的基础上加入质量分数为0.05%的Al-5Ti-B,晶粒尺寸更加细小,并且整个等轴晶区域的晶粒尺寸分布比较均匀;随着输出电流的增加,平均晶粒尺寸减小,当脉冲电源的输出电流增加到100 A时,平均晶粒尺寸减小到113μm。     

铸锭质量对铝型材氧化着色质量的影响

铝铸锭质量对型材的挤压性能、力学性能和表面氧化着色性能起着重要影响,是生产优质型材的基础。论述了在建筑用铝合金熔铸、均匀化等过程中,除渣、除气、细化晶粒、减少偏析、消除内应力与型材表面质量的关系。指出加入细化剂和稀土元素对改善铸锭质量有重要作用。     

超细晶粒钢HAZ晶粒长大的规律

研究了低碳钢、普通市售Ｘ６５钢和高洁净度Ｘ６５钢三种超细晶粒钢焊接ＨＡＺ的晶粒长大倾向。试验结果表明,这些超细晶粒钢都具有严重的晶粒长大倾向;低碳超细晶粒钢比Ｘ６５超细晶粒钢有更为严重的晶粒长大,这是因为前者不含有能阻碍晶粒长大的稳定碳、氮化物形成元素Ｎｂ和Ｔｉ,而后者中含有这些元素;高洁净度Ｘ６５超细晶粒钢的ＨＡＺ晶粒长大倾向小于普通市售Ｘ６５超细晶粒钢。这是因为钢中杂质元素含量越多,α→γ转变温度越低,即Ａｃ３点越低,在同样的焊接热循环条件下,普通市售Ｘ６５超细晶粒钢中的γ晶粒在高温停留时间就越长,晶粒长大的程度也就越大。     

Calculation of Selective Oxidation in Grain and Grain Boundary

The aim of this paper is to identify selective oxidation of high strength steels under different conditions. FISHER model is introduced to simulate diffusion and precipitation of chemical elements in metallic matrices and grain boundary, a scheme of its analytical solution is given. Effects of grain size, dew point and annealing temperature related to concentration of oxygen during annealing treatment are presented. The results are consistent well with literatures. The calculation shows that the selective oxidation of CMnSi TRIP steel at ferritic annealing in a low dew point N₂-10%H₂ atmosphere of ?30 °C result in the formation of internal MnO in the matrix and SiO₂ particles in the subsurface. The calculations agree well with the experimental results.     

精密铸造等轴晶涡轮叶片晶粒度控制方法

从精密铸造的型壳温度、浇注温度、细化剂粒度和含量、凝固方法、组合方式、型壳材料和厚度,以及型壳造型等方面,分析了各因素对涡轮叶片等轴晶粒度的影响,并结合实际生产提出了主要的控制方法和工艺参数,为进一步优化工艺、提高产品质量提供了一定的理论指导和参考。     

超细晶粒钢焊接HAZ晶粒长大规律分析

根据传统金属学和焊接冶金学理论，对800MPa和400MPa两个强度级别新一代钢铁材料进行焊接热模拟试验，分析了焊接HAZ晶粒长大规律。结果表明，随着峰值温度和‰的逐渐增大，新一代钢铁材料焊接HAZ的奥氏体晶粒都存在严重的长大倾向，且400MPa级比800MPa级的HAZ奥氏体晶粒长大更为严重。     

氮化硅陶瓷的玻璃相及其晶粒异常长大

利用透射电镜(TEM)研究无压烧结Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷的显微结构。发现并用微观衍射分析证实了晶界处有玻璃相出现。透射电镜能谱分析得出,当没有MgO时CeO2的主要功能便是形成玻璃相。硅酸铈玻璃相的出现有利于Si3N4液相的产生。MgO-CeO2是Si3N4陶瓷优秀的烧结助剂。当在1850℃以上温度烧结是会出现Si3N4陶瓷晶粒的异常长大,这将导致裂纹和位错并最终影响其机械性能。     

Grain growth of silicon

In this paper we report on 2-D phase-field simulations in order to study the influence of the growth kinetics and the surface energy on the growth behaviour of grains during solidification of silicon. We investigated in detail the growth of two grains.