磁控溅射法在生物材料表面制备羟基磷灰石涂层的研究现状

主要以牙科种植体为例,介绍钛合金和羟基磷灰石的性能及在生物材料应用中的局限,并简述磁控溅射法的优越性.概述了国内外利用磁控溅射制备生物涂层的动向,得出梯度功能复合膜层制备发展的大趋势及磁控溅射法制备涂层的良好前景,以及在牙科种植体的应用.     

射频磁控溅射含氟羟基磷灰石涂层的研究

本文采用射频磁控溅射技术在钛合金(Ti6Al4V)基体上制备出含氟羟基磷灰石(FHA)生物涂层,探讨该涂层组织结构,不同氟含量和温度对涂层晶化程度的影响.利用扫描电镜(SEM)观察FHA生物涂层的表面形貌,采用X射线衍射仪(XRD)分析涂层相结构,利用能量分散谱仪(EDS)分析涂层的Ca/P比.结果表明,随着氟含量的增加可大大提高涂层的晶化程度,制备的FHA涂层致密、均匀.700℃晶化处理的涂层结晶度较高.     

聚丙烯包装薄膜表面沉积羟基磷灰石改性研究

羟基磷灰石具有稳定的结构,常用作人工骨质材料,在包装塑料薄膜表面沉积羟基磷灰石是一种新的尝试.采用交替沉积法在聚丙烯薄膜表面沉积羟基磷灰石.扫描电镜照片显示羟基磷灰石均匀地分布在薄膜表面;接触角测试结果显示,薄膜表面接触角从99.8°降低到60.3°;透氧性能测试显示,氧气渗透系数为原薄膜的一半.这些结果表明,聚丙烯包装薄膜表面沉积羟基磷灰石能有效地提高其亲水性能和阻隔性能.     

羟基磷灰石复合材料的研究现状与发展趋势

主要从制备工艺、力学性能、生物相容性和临床应用几个方面介绍了羟基磷灰石复合材料的研究现状.另外结合国内外生物材料的研究现状,综述了HAP生物材料在实际应用中存在的主要问题,并提出了相应的设想和发展趋势.     

含氟羟基磷灰石薄膜的溶胶-凝胶制备和溶解特性研究

含氟羟基磷灰石具有与羟基磷灰石相当的生物活性,在体液中具有较小的溶解度,是一种重要的生物材料.本文采用溶胶-凝胶方法,在钛合金基板上制备出氟含量可控、附着力强的含氟羟基磷灰石薄膜.薄膜经柠檬酸改性磷酸性缓冲溶液(CPBS)浸泡后表明,随着薄膜中氟含量增加,其溶解能力减小;随CPBS的pH值增加,不同氟含量的薄膜溶解量差别减小.含氟羟基磷灰石薄膜所具有的这些特性能很好地满足金属植入体表面的高性能生物活性改性材料的要求.     

多孔羟基磷灰石的研究现状与发展

本文综合论述了多孔羟基磷灰石的制备工艺及基本原理,介绍了多孔羟基磷灰石的各种性能,并提出了多孔羟基磷灰石研究中现存的一些问题,预测了今后研究的发展方向.     

羟基磷灰石的研究现状与多孔生物陶瓷性能

从羟基磷灰石的研究现状和多孔生物陶瓷材料的特性入手,分析出羟基磷灰石多孔陶瓷是目前最有应用前景的种植材料,但是在改善羟基磷灰石陶瓷的力学性能方面的研究中,存在增强材料与基体热膨胀系数不匹配、复合材料成孔机理和强度关系不明确以及生物活性受到影响等问题.提出了用天然针状硅灰石增韧多孔羟基磷灰石材料的制备方法.     

羟基磷灰石生物陶瓷材料的现状和发展

人工骨材料的研究和开发是一个全球性关注的课题,具有巨大的社会和经济效益。美国生物陶瓷1990年为1500万美元,预计2000年达6000万美元;日本1990年已达40亿美元;而我国牙缺损或牙缺失患者约2～4亿人,骨缺损患者也年达数百万例。故迫切要求进行生物陶瓷材料的开发和研究。生物陶瓷材料大致可分为三大类(表1)。     

纳米羟基磷灰石表面改性研究现状

纳米羟基磷灰石/聚合物复合材料在骨组织工程中得到广泛应用,但是纳米羟基磷灰石与聚合物的相容性非常差,在使用过程中易出现相分离现象,限制了其应用。通过在纳米羟基磷灰石表面接枝有机高分子,可以改变其表面性质、有效地改善HA与聚合物的相容性,从而提高复合材料的性能。文中综述了最近几年纳米羟基磷灰石表面改性的相关研究,着重对纳...     

水热法合成羟基磷灰石晶须的工艺研究

纳米羟基磷灰石（HAP）增强聚合物基复合材料是替换硬组织的最理想材料，是植入材料的研究重点之一。为了制备与天然骨结构非常相似的复合材料，必须首先制备出性能优良的的纳米HAP粉体。对水热法制备HAP纳米晶须的工艺进行了研究，研究了反应时间、温度、起始反应物的浓度、钙磷比以及反应体系的pH值对合成HAP纳米晶须形貌的影响。用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和红外光谱（FT-IR）法，对制备的羟基磷灰石进行了表征和分析。结果表明：生成的HAP晶须的长度及长径比随反应时间的延长而增大。温度〈150℃时，得到HAP晶须；温度〉180℃，则得到细小HAP晶体的聚集产物。当反应物的pH=9时，得到的是缺钙型的HAP；当反应物的pH〈4时，产物中出现新相磷酸氢钙；当pH=2时，得到纯的磷酸氢钙。     

平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能

研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明,在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后,薄膜表面致密均匀,无裂纹,薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率,完全可以作为固体电解质使用。     

Reactive DC Magnetron Sputtering Deposition of Copper Nitride Thin Film

Copper nitride thin film was deposited on glass substrates by reactive DC （direct current） magnetron sputtering at a 0.5 Pa N2 partial pressure and different substrate temperatures. The as-prepared film, characterized with X-Ray diffraction, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy measurements, showed a composed structure of Cu3N crystallites with anti-ReO3 structure and a slight oxidation of the resulted film.The crystal structure and growth rate of Cu3N films were affected strongly by substrate temperature. The preferred crystalline orientation of Cu3N films were （111） and （200） at RT, 100℃. These peaks decayed at 200℃ and 300℃ only Cu （111） peak was noticed. Growth of Cu3N films at 100℃ is the optimum substrate temperature for producing high-quality （111） Cu3N films. The deposition rate of Cu3N films estimated to be in range of 18-30 nm/min increased while the resistivity and the microhardness of Cu3N films decreased when the temperature of glass substrate increased.     

溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比

分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较.分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的c轴取向特性,生长的薄膜结晶更加均匀、致密.     

Properties of TiO2 Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering

With rapid progressive application of TiO2 thin films,magnetron sputtering becomes a very interesting method to prepare such multi-functional thin films.This paper focuses on influences of various deposition processes and deposition rate on the structures and properties of TiO2 thin films.Anatase,rtile or amorphous TiO2 films with various crystalline structures and different photocatalytic,optical and electrical properties can be produced by varying sputtering gases,substrate temperature,annealing process,deposition rate and the characteristics of magnetron sputtering.This may in turn affect the function of TiO2 films in many applications.Furthermore,TiO2-based composites films can overcome many limitations and improve the properties of TiO2 films.     

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响,利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、 Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．     

磁控溅射法制备掺杂ZnO透明导电薄膜及其研究进展

磁控溅射技术以其显著的优点已成为工业镀膜主要技术之一。充分发挥磁控溅射镀膜技术的现有优势,寻找新的增长点,成为近年来人们研究的热点。介绍了磁控溅射镀膜技术的原理、特点;总结了近来磁控溅射法制备掺杂ZnO薄膜,主要是Al掺杂、Si掺杂、Al-H共掺杂ZnO薄膜的研究进展。并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展趋势进行了展望。     

温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动;温度对消光系数k影响不大;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低.通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑.     

磁控溅射镱薄膜的制备及压阻特性

使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数依赖于薄膜的晶粒尺寸,经300℃热处理1 h,镱薄膜晶粒长大,薄膜结构更为致密,膜内缺陷减少,压阻系数有明显提高.     

纳米硅薄膜及磁控溅射法沉积

纳米硅薄膜具有卓越的光学和电学特性,其在光电器件方面潜在的应用越来越引起人们的兴趣.讨论了用磁控溅射法制备纳米硅薄膜的微观机理及沉积参数对薄膜结构和性能的影响.其中,氢气分压、基片温度、溅射功率是磁控溅射法沉积纳米硅的关键参数,适当的温度、较高的氢气分压和较低的溅射功率有利于纳米硅的生成.