共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
一、什么是磁负反馈?什么是磁负反馈,简单扼要的说,就是从磁性换能器如扬声器等的感应线圈上提取反馈信号,组成负反馈电路的负反馈系统叫磁负反馈(MFB)。它与以往常见的负反馈电路的主要区别是:常见的负反馈电路是在单一的电信号体系内完成取样、反馈的。原理单一、简单。MFB是在电生磁、磁生力发声的换能器件上,磁生力的同时也生电(磁生电)并提取电信号作为负反馈信号并组成磁负反馈(MFB)。看起来走了一个大弯子。也许有人会说,音响电路越简洁越好,已经有电压负反馈、电流负反馈等,不是电压负反馈还有弊病吗?干吗还要MFB呢,不是多此一… 相似文献
2.
一,什么是磁负反馈?
什么是磁负反馈,简单扼要的说。就是从磁性换能器如扬声器等的感应线圈上提取反馈信号,组成负反馈电路的负反馈系统叫磁负反馈(HFB)。它与以往常见的负反馈电路的主要区别是:常见的负反馈电路是在单一的电信号体系内完成取样、反馈的。原理单一、简单。MFB是在电生磁、磁生力发声的换能器件上,磁生力的同时也生电(磁生电)并提取电信号作为负反馈信号并组成磁负反馈(MFB)。看起来走了一个大弯子。 相似文献
3.
声表面波器件(SAWD)在信号处理、频率控制及频率选择、信息获取诸方面中应用,是一种性能十分优良的元件。它的结构与基本原理如下图所示: 在一块压电基片上,用微细加工技术加工两组梳状电极(又指换能器),电信号加在其中一组电极上时,就在压电基片表面转换为SAW信号,该信号沿压电基片表面传到另一组电极,又转变为电信号。这一特殊的信号传输过程,使得SAW器件具备如下一些主要特征。 相似文献
4.
光电耦合器是一种把发光器件(一般为红外发光二极管)和光敏器件密封在同一壳体机内的光电转换元件。常见的光电耦合器原理如图1所示。(电信号→光信号→电信号)。由于光电耦合器输入端与输出端实现了电隔离,极大地增强了器件的抗干扰能力和隔离性能。该器件适用于电压或阻抗不同的电路间的隔离和信号传输,并可抑制线路间和接地回路中的噪声所引起的干扰。 相似文献
5.
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 000Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2.4GHz频段内均小于1dB,隔离度平均大于35dB,功率处理能力也达到了36dBm以上,完全满足设计需求。 相似文献
6.
7.
在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力.两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结.两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为.测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97%,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ.这为TFET的研发与简单应用提供了参考. 相似文献
8.
一、特点及发展方向 声表面波滤波器(SAWF)是一种利用声表面波(SAW)效应和谐振挣陛制成的对频率有选择作用的器件。在四端网络理论中,它是一种对频率进行选择的电路,其作用是允许某一频带的信号通过,而阻止其他频带的信号通过。SAWF的工作原理是输入IDT将电信号变成声信号,沿着压电晶体表面传播,输出IDT将接收到的声信号变成电信号输出,它对电信号的加工处理在这两次变换中完成。 相似文献
9.
低电压差分信号(LVDS)是串并转换电路(SerDes)的一种主流接口技术.本文设计并实现了一种适合于8B/10B编码串并转换电路的LVDS接收器(Receiver).本设计的指标完全兼容IEEEStd1593.3-1996标准.它支持最大0.05 V至2.35 V的共模电平输入范围,最小100 mV的差模输入,能够在至少40英寸FR4带状线上达到1.6 Gb/s的接收速率,平均功耗3 mw.电路设计基于0.18μm1.8 V/*3.3 VCMOS工艺,同时采用了3.3 V器件和1.8 V器件. 相似文献
10.
在128°Y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了S型声表面波器件。它将输入叉指换能器激发的声表面波中心对称分成两路并由各自输出叉指换能器检测输出。采用P矩阵法分析推导了输入叉指换能器加电信号,一输出叉指换能器检测输出时的一次时延信号、三次渡越反射信号和五次渡越反射信号与所加电信号的关系式。采用网络分析仪测量了S型声表面波器件的幅度特性,同时,由门函数处理后获得其三次和五次渡越反射信号的幅度特性以验证理论推导的正确性。 相似文献
11.
12.
彩电用超声延迟线是由压电陶瓷材料制成的一种延迟器件。其主要由玻璃介质和输入、输出换能器组成,输入信号经换能器转换为机械振动,并在玻璃介质内形成具有方向性的超声波束,最后由输出换能器吸收其波束能量再转换为电信号输出。在检测超声延迟线时,若有条件可使用扫频仪检测其特性曲线,未检测到此曲线,则表明该延迟线已损坏;而用万 相似文献
13.
混合信号系统集成芯片(System on a chip,SOC)系指在单一芯片上集成信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能,或者说将数字电路、模拟电路、信号采集和转换电路、存储器、CPU、MPU、MCU、DSP等集成在单一芯片上。据统计,2000年全球SOC的市场销售约4亿块,销售额80亿美元,比1999年增长31%。现在的数字无线电话通常使用200多个分立器件、无源器件以及6个IC芯片,一个DSP、MCU、模拟基带、射频以及电源管理芯片等。在未来的3~4年内,SOC将使单片无线电话成为可能。 相似文献
14.
15.
利用厚膜技术获得了具有六层铜导体的实验电路,使制备阻抗为50Ω、带宽2~3GHz的细线成为可能。线路的导体宽度达100μm,介质层46~50μm,电路信息量可达600Mbit/s。 相似文献
16.
出于性能、功耗和兼容性的考虑,芯片的核心电路与I/O电路一般采用不同的电源电压.文中设计了一种新型2.5V/5V双电源电压输出电路,此电路带有新型电平转换电路,能够将摆幅为0~2.5V的内部信号转换为摆幅为0~5V的输出信号.同时,文中所设计的输出电路只使用2.5V耐压的薄栅氧MOS器件,虽然在5V电压下工作,却没有栅氧过压问题. 相似文献
17.
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用 相似文献
18.
声呐发射机的主要作用是产生具有特定形式的大功率电信号,经过匹配网络(提高发射机输出效率)后再通过换能器将电信号转换为声信号.发射机一般包括信号产生器、功率放大器和发射换能器.详细介绍了一种基于MOSFET的半桥式D类功率放大器设计的步骤和方法,并给出了水声换能器假负载的实验波形,信号畸变与失真较小.根据测试结果证明输出50 kHz左右PWM波时效率达到80%,符合声呐发射机高效率、小体积的设计要求. 相似文献
19.
<正> 三菱电机已开始出售用于商业通信系统发射信号放大的GaAs器件,它们是五种大功率GaAs FET和一种GaAs单片微波集成电路。 GaAs FET(MGFK)系列输入输出阻抗在管壳内部匹配成50Ω,用14~14.5GHz频率,输出功率0.3~5.5W,是用MBE法制造的。为了在高感应率衬底上形成内匹配电路而缩小了电路尺寸。单片集成电路(MGF 7201),最适用于14~14.5GHz小信号放大,除了连接规定的电源以外,还能得到18dB的功率增益,输出 相似文献