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《中国无线电电子学文摘》2003,(3)
TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2002,(1)
」_,N6O 02010751多层圆形组件半解析热分析方法的研究/史彭,陈雅妮,王占民(西安建筑私限大学)11电子学报一2001,29(8)一1121一1122文中研究上表面含热源的多层圆形组件半解析的热分析计算方法,用计算机求解其数值解来计算组件上表面温度分布.该计算方法可以用于集成电路、混合电路和微组装件的热设计工作.图3参5(金)MLC)瓷料系统中,其介电性能的变化.结果表明,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度,系统的介电系数随温度变化平坦,改善了系统的热稳定性.然而,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加,绝缘电阻的减小.玻璃成分含量不同的瓷料… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2002,(6)
TN6,TN062 2002060562电路板质里的智能检测/颜长春,张佳佳(湘潭大学)11湘潭大学自然科学学报一2002,24(1),一103一105介绍了一套以单片机为核心的电路板质量检测系统,能够准确快速的把半成品电路板的各种输出信息进行数据采集、显示、分析、存档,并把数据送PC机处理,以便随时修正生产工艺条件,提高合格率.图4参5(木)用最小二乘法,会存在病态方程组,影响辨识的准确性.提出利用正交多项式来拟合变压器传递函数,方程的阶次几乎是原来的1/2,从而降低了系数矩阵的条件数,避免了病态问题.利用正交伴随矩阵,直接求取传递函数的零、极点.根据零… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2008,(1)
TM401 .12008010915变压器阶梯接缝铁心的损耗计算/郭健,林鹤云,徐子宏,金承祥(东南大学电气工程学院)//东南大学学报(自然科学版).―2007,37(1).―60～63.采用有限元方法对变压器铁心“阶梯接缝“叠片方式的磁场、损耗进行了计算,分析了不同接缝形式对损耗的影响,提出了衡量不同阶梯接缝形式对搭接区域损耗影响的度量尺度。研究表明,合理选择阶梯接缝级数和工作磁密,可以最大限度地降低空载损耗。每叠铁心选用2片或3片与选用1片相比,损耗增加,但随级数增加,损耗增加的幅度减小,因该,在选用级数高的阶梯接缝形式时,可以每叠选用2片或3片,在… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2005,(6)
TM42005060494ADSL变压器重要参数分析/蒋晓娜,兰中文(电子科技大学,微电子与固体电子学院)//磁性材料及器件.―2005,36(2).―35～37.针对ADSL变压器的几个重要参数(总谐波失真、插入损耗、反射损耗、平衡度等)进行分析,通过优化磁芯、匝数和变压器的绕线方式来提高变压器的工作性能,确保变压器的高保真信号传输。图3表0参7TM412005060495宽带变压器参数测试信号的高速采集/李德识,雷鸣,吴亚东,陈健(武汉大学电子信息学院)//武汉大学学报.―2005,38(2).―110～112.提出了利用锁相环技术结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)实现对变压器测试… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1998,(3)
TN60 98030400系统工程电连接器防锗断方法/播高泉(电子部10所)夕电讯技术·一1995,38(1)一1、4文中针对电连接器在连接系统时易出现的接插错误对系统的影响,从系统总体设计入手,提出了一种防错新方法,提高了系统可靠性和安全性。经实际使用该方法易于实施,效果明显,具有推广应 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2006,(4)
TM402200604674箔式绕组变压器优化设计/邱清泉,李涛,孙萍,励庆孚(西安交通大学电气工程学院)//西安交通大学学报.―2005,39(10).―1111～1115.提出了箔式绕组变压器的一种优化设计方法。该方法考虑到箔式绕组电流引线的存在,为了满足铁心与引线之间的绝缘距离,铁心截面在优化设计时采用了不对称结构,与对称铁心截面结构相比,可以很大程度地提高铁心截面积。将一种改进遗传算法应用到铁心截面和整台变压器的优化设计中,基于优化后的不对称铁心截面对两台箔式绕组变压器进行了优化设计,在满足要求的情况下,成本分别降低8.63%和6.82%。图5表1… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2000,(1)
TN60 00010561高场强下铝阳极氧化膜中相关元素的分布及其介电性能/袁战恒,孙海君,徐友龙,曹婉真(西安交通大学)It电子元件与材料.一1999,18(4)一11一12,15利用俄歇电子能谱仪(AES)分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在B、C、P等相关元素.测试其相应的介电性能表明氧铝比R(O:AI)接近于1.5时其介电性能较好.图5表3参4(许)电子元件与材料.一1 999,18(4)一34一4()根据多层瓷介电容器的结构特征,全而概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点论述了多层压敏电阻器,多层… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1999,(4)
TN60 99040493现代电子材料/曲喜新(电子科技大学)]I电子元件与材料.一1999,18(1)一18一22系统地介绍了现代电子材料,对其中的几种新型材料,如纳米材料、智能材料、梯度材料等作了重点论述.为了从理论上说明新型电子材料的特性,特别着重分析其微观结构.并依此为根据,说明其宏观性能.从材料的微观结构出发,来分类新型材料,并标示出有代表性的材料.此外,还指出了电子材料的一些发展方向.图1表4参14(许)对几种不同滑环和电刷材料配对组成的摩擦副的电接触性能及耐磨性进行了测试和分析研究,为今后的设计提供了依据.图2表2(许)TN60 9904049421… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1996,(5)
TN6,TM219 96050507石英挠性加速度计的温场分析/王洋,商顺昌(中国工程物理研究院电子工程所)//传感器技术.一1996,(3)一8~11,14 利用有限元法对大量程二元脉冲调宽石英挠性加速度计因力矩线圈发热而造成的内部温场变化进行了分析,从理论上计算出温场的分布情况和变化情况,并通过对温度误差的分析,阐述了提高温度特性的有效途径,为加速度计的热设计和温度补偿提供理论依据.图3表4参3(许)TN6O 96050508片式元件产业的发展前景/章士流,鲁圣国,李标荣(东莞南方电子有限公司)刀电子科技导报一19%,(8).一2一4 通过总结中国电子元件产业发展的… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1999,(6)
TN6铁氧体多层结构电波吸收体的研究/ 9906U439娄明连,阐涛(安徽,18(3).一43一45断域滋藻猛呱瓢置A与)顷但第二十学、“由子元件与材料.一1999峰移向高频,A由20dB增至37dB;在吸收介质与反射板之间以及在两个介质层之间涂以介电型介质膜,使第一吸收峰移向高频,A分别增至29dB和27dB.对其作用机理进行了探讨.图5表3参4(许)流侵蚀形成孔径小但孔密度较大的铝箔蚀孔,小电流侵蚀形成孔径较大但孔密度较小的铝箔蚀孔;同一种铝箔的发孔密度随电流密度的增大而增加.图1表2参6(许)TN6O 99060440场论说给出包含互感的四种元件串并联公式/崔山宝,… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1995,(3)
TN60 95030441 鞍形偏转线圈的谐波分析/徐木裕(华中理工大学)11口电视技术一1 995,(1)一2一5 介绍了鞍形偏转线圈绕线分布的谐波分析;详细 讨论了容线腔几何参数对各种谐波的影响,得到线圈 设计参数与谐波之间的关系.对设许新的具有所需谐 波的容腔是有用的.图5表3参4(文)TM 54,95030442记录仪滑线电阻用有机导电膜的研究/李宏建,彭景翠,潘勇(湘潭大学)/l湘潭大学自然科学学报一1994,16(4)一22~24 介绍了一种记录仪滑线电阻用有机导电膜的研制及其电阻率、温度系数、粘度和老化性能的测量。表5参3(木)的轧箔工艺,即高温固溶处理后在数分… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2005,(1)
TN6,TM53 2005010556超级离子龟容器C/Nio复合气凝胶电极材料的研究/徐榕青,李悦.陈艾,昊孟弧,陆海鹏(西南电子设备研究所)仆电子学报一2004,32(8)一1399一1401以间苯二酚‘甲醛、硝酸镍和无水碳酸钠为原料,使用溶胶一凝胶法制备碳/氧化镍复合凝胶,经CO:超临界干燥及900℃炭化处理,得到复合碳气凝胶,电化学方法证明这种材料制备的电极具有典型的电容特性.采用1 mol/L KOH电解液构成电容器单元,比电容量达263F/g,等效串联电阻小于1几.文中还对这种复合材料的结构形貌进行了探讨.分析了其对电容器性能的影响.图7参5(李)连理工大学)11电… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1994,(4)
TM53,TN45夕4〔抖0615基于多值开关级代数的电容模型及其应用/胡谋,徐申生(上海铁道学院)/j电户学报一1994,22‘2)一了朋、103 应用多值开关级数为MOS电路中的电容建立模型,并提出了应用多值开关级代数分析MOS动态电路、时延及电荷共享的方法图4参7(文)TM53,TN455 94040616付氏展开法结合样条插值和变分技术计算微带交指型电容器的电容/马西奎(西安交通大学)//通信学报.一1993 14(6、一6宁一,2一56一运用付氏级数展开法结合样条插值和变分技术计算微带交指型电容器的电容.它与有限元法十分相似,但具有不必进行单元剖分、矩阵方程阶数… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1994,(3)
TN6{) 94030678压电陶瓷微位移驱动器概述/陈大任(中国科学院上海硅酸盐所)/I电子元件与材料一1994,(l)一2一7 利用压电陶瓷的逆压电效应,可制成微位移驱动器.对该类器件的性能特点、分类、应用概况,压电陶瓷材料本质对该器件性能的影响,材料的选择及发展趋势等方面进行了介绍.图7表2参S(许)TN6() 94030679导纳光谱在200压敏电阻材料分析中的应用/史利民(西安无线电二厂)ll电子元件与材料一1994,(1).一一4Q~53导纳光谱学正是从材料的微观结构人手,通过对电子结构及运动进行分析研究,从本质上判别所用生产工艺是否合理,进而指导工艺的改进… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1997,(6)
TM 53 97060413以srTi03为基电容器瓷料的研究/史伟,张沛霖,祝清亮(山东大学)Ij山东大学学报(自然科学版)一1997,32(2)、一174~178 通过对以srTi03为基瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在一25℃~85℃的温度范围内,介电常数:大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料.图4参3(木) 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1996,(3)
TN6 96030511有机电子晶体取代苯基硫服的制备与特性/杨大本,邓文礼(电子科技大学)//压电与声光一19%,18(l)一54~57 阐述了有机电子晶体取代苯基硫脉的意义,讨论了其合成制备、分子结构、介电和压电特性。图10表2参7(文)/j微处理机一1996,(l)一70一72 DYL多元逻辑8位高速视频D/A转换器是我国“八五’科技预研项目。在DAC的工艺研制中,成功应用关键工艺,其中包括高稳定薄膜精密电阻技术,从而保证和进一步提高转换速度和线性度.图4参2(许)T,N6 96030512电子器件可靠性的噪声表征方法/庄奕琪,孙青(西安电子科技大学微电子所)//电一子学报.… 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2004,(1)
TN60 2004010449一种光电器件几何参数测试方法/赵洪杰,孙洪拓(东北电子技术所)“光电对抗与无源干扰.一2 003,(l)一32一34简单介绍了光电器件几何参数,找到了一种测试工具一一万能工具显微镜,探讨了用新工具测试几何参数的方法,有效解决了深度测量的难题.图1表2参4(刚)TN60 20 相似文献