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本文利用固体理论中的量子场论方法和孤子理论以及量子理论中的连续近似方法,研究了聚合物电介质在光辐射作用下,由于光子电子声子间的相互作用,导致聚合物电介质非线性电击穿,得到了非线性动力学过程的孤子理论解.近几年来,高聚物电介质在空间和核工业等具有光辐射的环境中,击穿电压远小于正常击穿电压.通常用线性热效应理论来研究此类问题,理论结果与实验测量相差甚远.本文采用的哈密顿量为:其中代表电子在点的产生与湮没算符,是平衡点。的分子纵向位移算符,M为分子质量,k2为纵向弹性系数,凡是分子。的动量算符,并与算符… 相似文献
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极性半导体中表面激子的性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。 相似文献
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庞小峰 《红外与毫米波学报》1997,16(4)
研究了处于生理温度条件下的有机蛋白质分子所激发的孤子对位于分子链中的γ-激活的原子核产生的Msbauer效应的影响.在分子链不改变所激发的孤子状态下所发射的γ-量子等于分子链的激发能.由此而产生的Mssbauer跃迁几率较小,它低于仅用热声子模型描述的分子链时的跃迁几率. 相似文献
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庞小峰 《红外与毫米波学报》1997,16(4):290-296
研究了处于生理温度条件下的有机蛋白质分子所激发的孤子对位于分子链中的γ-激活的原子核产生的Moessbaur效应的影响。在分子链不改变所激发的孤子状态下所发射的γ-量子等于分子链的激发能。由此而产生的Moessbauer跃迁几率较小,它低于仅用热声子模型描述的分子链时的跃迁几率。 相似文献
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利用光致发光和吸收光谱测量研究了ZnSe—ZnS 多量子阱(MQW)应变层超晶格(SLS)的激子特性,这种 MQW SLS 是用低压有机金属化学汽相沉积技术在(100)ZnS 和 GaAs 衬底上制备的。用氮分子脉冲激光器增加激发强度,发现主要的激子带向更高光子能量的方向偏移。为了了解激子的分离机制,测量了温度与线宽及强激发下发射强度的关系。根据激子散射所起的作用,从三个方面分析了线宽与温度的关系;这三种激子散射分别与 LO、声预声子和施主杂质有关。激子热释放的激活能量约为71meV,该值非常接近于4E_B,D(块状 ZnSe的结合能 E_B,D=19meV)。 相似文献
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光和物质电磁性元激发相互作用形成Polariton,近年来引起了广泛的注意。研究介质中的Polariton时,一般仅仅考虑激子或者横光学声子(TO声子)单独和光子的耦合。原则上这种方法仅适用于激子或声子的共振吸收区附近;在某一元激发的共振吸收区附近,其它元激发和光子的耦合可以忽略。但是导波一般在物质元激发的非共振吸收区,这时应该同时考虑各种电磁性元激发和光的耦合。 相似文献
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本文详细比较闪锌矿和纤锌矿GaN/AlN量子阱中Fr?hlich电声子相互作用哈密顿量及极化子性质。采用LLP变分方法计算由界面、局域和半空间声子模导致的基态极化子能移。结果表明,若忽略z方向和x-y平面之间异性的影响,闪锌矿和纤锌矿哈密顿量是一致的。各向异性在窄阱情形对界面声子能移的影响较为明显,而在略宽阱时对局域声子能移影响明显。此外,内建电场对各支光学声子引起的能移的影响较大。 相似文献
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采用低温荧光激发光谱研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构中热电子的驰豫过程,在PLE谱中首次观察到GaAs/AlGaAs多量子阱中LO声子的发射,用四能带Kane模型计算了由轻、重空穴杂化效应引起的价带结构的畸变及其对声子发射谱的影响,实验和理论计算结果均表明、光激发热电子可以通过发射LO声子直接弛豫到激子态上,实现热电子的冷却。 相似文献
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为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替。使用线性组合算符和么正变换对系统进行理论计算,导出了半导体量子点中磁极化子的基态和各部分能量。当考虑电子在反冲效应中反射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了这种作用对半导体量子点中磁极化子基态能量的影响。通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加。当磁场较弱时,声子之间的相互作用对极化子性质的影响是不能忽略的。 相似文献
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用一维晶体点阵模型描述DNA分子链,选取2-3指数势表示双螺旋互补碱基对间的相互作用得到一维离散型系统哈密顿量和运动方程。动用数值积分方法和点阵Green函数方法讨论了激光辐照后激发的呼吸子的稳定性,用以说明生物实验结果。 相似文献
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从电子与体纵光学声子(LO声子)体系的哈密顿量出发,采用Huybrenchts的线性组合算符及幺正变换方法研究了在磁场作用下抛物量子线中弱耦合束缚极化子的激发能量、第一内部激发态能量和振动频率,并对其进行了数值计算,数值计算结果表明:抛物量子线中弱耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,随约束强度... 相似文献
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研究声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响. 采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量. 在计算电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了磁场、库仑束缚势、电子-声子耦合强度、量子点的有效受限长度和声子间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子基态能量的影响. 数值计算结果表明,半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大. 当量子点的有效受限长度l0>0.7时,必须考虑声子之间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量的影响. 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1994,(6)
TN301 94060348第n类最子阱中激子的空间屏蔽效应/蔡敏,刘文明,刘有延(华南理工大学)11华南理工大学学报一1994,22(2)一45~50 讨论了空间依赖的介电屏蔽效应对第n类量子阱中激子的影响,研究了电场对GaAs/AIA:第11类量子阱中激子的影响,特别是激子空间屏蔽的电场效应.图4参1仪木)低激发功率密度下G:As卜xPx:N(x一0.88)的NN.对发光/俞容文,郑健生,糜东林,颜炳章履门大学)/I半导体学报一1994,15(7)一444一449 在低激发功率密度条件下研究了混晶材料GaAs卜尹::N(、二。,88)中的NN‘对束缚激子发光.发现随温度升高,在光致发光谱中依次出… 相似文献
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<正> 鉴于准二维激子在半导体多量子阱的光学过程中所起的决定性的作用,可以预期,在共振喇曼散射中,激子应是主要的中间态。但由于多量子阱电子结构、激子、声子的研究只是在近几年才有比较深入的理解,迄今尚无系统的喇曼散射的微观理论。本文将给出二维各向同性近似和电偶极近似下的多量子阱喇曼散射微观理论。 相似文献
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用前向立体简并四波混频实验对光能转换生物分子细菌视紫红质(bR)作三阶非线性光学超快过程研究,观察到时间响应由快成份和慢成份组成.用激子位相空间充满理论和构形变化模型分别给予动力学机制解释.快成份对应于自由电子-空穴对形成的激子,慢成份对应于无辐射衰变形成的极化子.通过对实验曲线的数学拟合,得到激子饱和密度和激子长度,激子和极化子寿命、以及极化子形成效率等动力学参数. 相似文献